【正文】 定CGRAM位址到位址計數(shù)器（AC）設定DDRAM位址CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0LLHAC6AC5AC4AC3AC2AC1 C0 功能：設定DDRAM位址到位址計數(shù)器（AC）讀取忙碌狀態(tài)（BF）和位址CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0LHBFAC6AC5AC4AC3AC2AC1AC0 功能：讀取忙碌狀態(tài)（BF）可以確認內部動作是否完成，同時可以讀出位址計數(shù)器（AC）的值寫資料到RAMCODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0HLD7D6D5D4D3D2D1 D0功能：寫入資料到內部的RAM（DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM）1讀出RAM的值CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0HHD7D6D5D4D3D2D1 D0功能：從內部RAM讀取資料（DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM）1 待命模式（12H）CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0LLLLLLLLL H功能：進入待命模式，執(zhí)行其他命令都可終止待命模式1卷動位址或IRAM位址選擇（13H）CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0LLLLLLLLH SR功能：SR=1；允許輸入卷動位址 SR=0；允許輸入IRAM位址 1反白選擇（14H）CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0LLLLLLLHR1 R0功能：選擇4行中的任一行作反白顯示，并可決定反白的與否1睡眠模式（015H）CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0LLLLLLHSLX X功能：SL=1；脫離睡眠模式 SL=0；進入睡眠模式1擴充功能設定（016H）CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0LLLLHHX1 REG L功能：RE=1；擴充指令集動作 RE=0；基本指令集動作 G=1；繪圖顯示ON G=0；繪圖顯示OFF1設定IRAM位址或卷動位址（017H）CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0LLLHAC5AC4AC3AC2AC1AC0 功能：SR=1；AC5~AC0為垂直卷動位址 SR=0；AC3~AC0寫ICONRAM位址1設定繪圖RAM位址（018H）CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0LLHAC6AC5AC4AC3AC2AC1AC0功能：設定GDRAM位址到位址計數(shù)器（AC）圖形顯示坐標水平方向X—以字節(jié)單位 垂直方向Y—以位為單位漢字顯示坐標 X坐標Line180H81H82H83H84H85H86H87HLine290H91H92H93H94H95H96H97HLine388H89H8AH8BH8CH8DH8EH8FHLine498H99H9AH9BH9CH9DH9EH9FH字符表代碼（02H7FH）文本顯示RAM（DDRAM）文本顯示RAM（DDRAM）文本顯示RAM提供8個4行的漢字空間，當寫入文本顯示RAM時，可以分別顯示CGROM、HCGROM與CGRAM的字型；ST7920A可以顯示三種字型 ，分別是半寬的HCGROM字型、CGRAM字型及中文CGROM字型。顯示起始行是由Z地址計數(shù)器控制的，該命令自動將A0A5位地址送入Z地址計數(shù)器，起始地址可以是063范圍內任意一行。 “RE”為基本指令集與擴充指令集的選擇控制位元，當變更“RE”位元后，往后的指令集將維持在最后的狀態(tài)，除非再次變更“RE”位元，否則使用相同指令集時，不需每次重設“RE”位元。圖 5 蜂鳴器電路連接圖第七章 LCD顯示圖6 12864液晶顯示器 RT12864M漢字圖形點陣液晶顯示模塊，可顯示漢字及圖形，內置8192個中文漢字（16X16點陣）、128個字符（8X16點陣）及64X256點陣顯示RAM（GDRAM）。當所測速度超過獲低于所預設的速度時，數(shù)據(jù)口相應拉高電平，報警輸出。振動膜片在電磁線圈和磁鐵的相互作用下，周期性地振動發(fā)聲。電磁式蜂鳴器由振蕩器、電磁線圈、磁鐵、振動膜片及外殼等組成。 壓電蜂鳴片由鋯鈦酸鉛或鈮鎂酸鉛壓電陶瓷材料制成。當接通電源后（）,多諧振蕩器起振,，阻抗匹配器推動壓電蜂鳴片發(fā)聲。壓電式蜂鳴器主要由多諧振蕩器、壓電蜂鳴片、阻抗匹配器及共鳴箱、外殼等組成。如圖4信號輸出端每輸出一個周期的方波，代表轉過了一個齒。因此，切換精度可以隨傳感器低／高轉變次數(shù)的增加而增加，這種低／高轉變可以代表齒輪的一個旋轉角度。傳感器和齒輪之間允許的最大距離是溫度、模數(shù)、磁體和速度的一個函數(shù)，速度可以用每次輪齒/齒隙轉變時在輸出端出現(xiàn)一個脈沖來表征。在模數(shù)為1，該器件都可以感應到差值。其中d是齒輪直徑，Z是輪齒數(shù)量。這種動態(tài)差分原理使傳感器表面與齒輪之間存在較大氣隙的條件下能保持高靈敏度。然而，由于一個單元面向磁場集中的輪齒，另一個單元則面向一個齒隙，如果兩個霍爾單元之間存在磁場梯度，那么將產生一個差值信號，并在芯片上放大。1工作方法 當該霍爾器件處在任何極性的恒定磁場中時，其上的兩個霍爾傳感器將產生同樣的輸出信號?；魻栃獋鞲衅鞲袦y的是磁通量的大小。 也可將工作磁體固定在霍爾器件（外殼上沒打標志的一面），讓被檢的鐵磁物體（例如鋼齒輪）從它們近旁通過，檢測出物體上的特殊標志（如齒、凸緣、缺口等），得出物體的運動參數(shù)。齒輪轉動時，使得穿過霍爾元件的磁力線密度發(fā)生變化，因而引起霍爾電壓的變化，霍爾元件將輸出一個mV級的準方波電壓。這種方法的檢測精度很高，在125℃的溫度范圍內，冀片的位置重復精度可達50μm。 在遮斷方式中，工作磁體和霍爾器件以適當?shù)拈g隙相對固定，用一軟磁（例如軟鐵）翼片作為運動工作部件，當冀片進入間隙時，作用到霍爾器件上的磁力線被部分或全部遮斷，以此來調節(jié)工作磁場。工作磁體和霍爾器件間的運動方式有：（a）對移；（b）側移；（c）旋轉；（d）遮斷。在封裝好的霍爾電路中，霍爾片的深度在產品手冊中會給出。為保證霍爾器件，尤其是霍爾開關器件的可靠工作，在應用中要考慮有效工作氣隙的長度。例如，用一個4mm 3mm 11mm 的釹鐵硼Ⅱ號磁鋼，就可在它的磁極表面上得到約2 300高斯的磁感應強度。而且，因霍爾元件的尺寸極小，可以進行多點檢測，由計算機進行數(shù)據(jù)處理，可以得到電場的分布狀態(tài)，并可對狹縫、小孔中的磁場進行檢測。 使用霍爾器件檢測磁場的方法極為簡單，將霍爾器件作成各種形式的探頭，放在被測磁場中，因霍爾器件只對垂直子霍爾片表面的磁感應強度敏感，磁力線必須和器件表面垂直，通電后即可由輸出電壓得到被測磁場的磁感應強度。第四章 測量磁場及工作設置 測量磁場 在一塊半導體薄片上，其長度為l，寬度為b，厚度為d,當它被置于磁感應強度為B的磁場中，如果在它相對的兩邊通以控制電流I，且磁場方向與電流方向正交，則在半導體另外兩邊將產生一個大小與控制電流I和磁感應強度B乘積成正比的電勢UH，即UH=KHIB，其中kH為霍爾元件的靈敏度。 霍爾傳感器的外形圖和與磁場的作用關系 備注：當沒有信號產生時，可以改變一下磁鋼的方向，霍爾對磁鋼方向有要求。圓盤每轉動一圈，霍爾傳感器便輸出一個脈沖。 霍爾傳感器檢測轉速示意圖如下。 霍爾傳感器的外形圖和與磁場的作用關系如下圖所示。所設計的基于霍爾元件的脈沖發(fā)生器要求成本低，構造簡單，性能好。 所設計的基于霍爾元件的脈沖發(fā)生器要求成本低，構造簡單，性能好。脈沖發(fā)生器的工作原理是按發(fā)電機轉速高低，每轉發(fā)出相應數(shù)目的脈沖信號。發(fā)電機轉速的檢測方案可分成兩類：用測速發(fā)電機檢測或用脈沖發(fā)生器檢測。 霍爾傳感器是利用霍爾效應實現(xiàn)磁電轉換的一種傳感器，我國從70 年代開始研究霍爾器件，經(jīng)過20 余年的研究和開發(fā)，目前已經(jīng)能生產各種性能的霍爾元件,它具有靈敏度高，線性度好，穩(wěn)定性高、體積小和耐高溫等特點，在機車控制系統(tǒng)中占有非常重要的地位。2片機SCT89C52具有低電壓供電和小體積等特點，兩個端口剛好滿足電路系統(tǒng)的設計需要，很合適攜手特式產品的使用?！馲TAL1：反向振蕩放大器的輸入及內部時鐘工作電路的輸入?！馝A/VPP：當EA保持低電平時，訪問外部ROM；注意加密方式1時，EA將內部鎖定為RESET；當EA端保持高電平時，訪問內部ROM。在由外部程序存儲器取址期間，每個機器周期PSEN兩次有效。如果微處理器在外部執(zhí)行狀態(tài)ALE禁止，置位無效。此時， ALE只有在執(zhí)行MOVX，MOVC指令時ALE才起作用。然而要注意的是：每當用作外部數(shù)據(jù)存儲器時，將跳過一個ALE脈沖。在平時，ALE端以不變的頻率周期輸出正脈沖信號，此頻率為振蕩器頻率的1/6?！馎LE / PROG ：當訪問外部存儲器時，地址鎖存允許的輸出電平用于鎖存地址的地位字節(jié)?！馬ST：復位輸入。作為輸入時，由于外部下拉為低電平，P3口將輸出電流(ILL)，也是由于上拉的緣故。●P3口：P3口管腳是8個帶內部上拉電阻的雙向I/O口，可接收輸出4個TTL門電流。在給出地址“1”時，它利用內部上拉的優(yōu)勢，當對外部八位地址數(shù)據(jù)存儲器進行讀寫時，P2口輸出其特殊功能寄存器的內容。作為輸入時，P2口的管腳電位被外部拉低，將輸出電流，這是由于內部上拉的緣故。在FLASH編程和校驗時，P1口作為第八位地址接收?！馪1口：P1口是一個內部提供上拉電阻的8位雙向I/O口，P1口緩沖器能接收輸出4TTL門電流。P0能夠用于外部程序數(shù)據(jù)存儲器，它可以被定義為數(shù)據(jù)/地址的第八位。 各引腳功能簡單介紹如下： ●VCC：供電電壓 ●GND：接地 ●P0口：P0口為一個8位漏級開路雙向I/O口，每個管腳可吸收8TTL門電流。主要特性如下●與MCS51 兼容●4K字節(jié)可編程閃爍存儲器●壽命：1000寫/擦循環(huán)●數(shù)據(jù)保留時間：1