【正文】 12光標返回000000001*3置輸入模式00000001I/DS4顯示開/關控制0000001DCB5光標或字符移位000001S/CR/L**6置功能00001DLNF**7置字符發(fā)生存貯器地址0001字符發(fā)生存貯器地址8置數(shù)據(jù)存貯器地址001顯示數(shù)據(jù)存貯器地址9讀忙標志或地址01BF計數(shù)器地址10寫數(shù)到CGRAM或DRAM10要寫的數(shù)據(jù)內(nèi)容11從CGRAM或DDRAM讀數(shù)11讀出的數(shù)據(jù)內(nèi)容 基本操作時序 見表8：表8 基本操作時序讀狀態(tài)輸入：RS=L，RW=H，E=H輸出：D0D7=狀態(tài)字寫指令輸入：RS=L，RW=L，D0D7=指令E=高脈沖輸出：無讀數(shù)據(jù)輸入：RS=H，RW=H，E=H輸出：D0D7=數(shù)據(jù)寫數(shù)據(jù)輸入：RS=H，RW=L，D0D7=數(shù)據(jù)，E=高脈沖輸出：無一共有16個引腳，其中一對電源引腳、一對LED背光電源引腳、LCD驅(qū)動電壓引腳、一個模式選擇引腳、一個讀寫操作引腳、一個使能引腳以及7個數(shù)據(jù)引腳?？梢燥@示兩行每行8個字符。分4位和8位數(shù)據(jù)傳輸方式。數(shù)字0信號表示方法如圖13所示：圖13 數(shù)字0信號電平變化圖數(shù)字1信號表示方法如圖14所示：圖14 數(shù)字1信號電平變化圖 LCD液晶顯示模塊在本系統(tǒng)中我們采用1602字符型液晶顯示模塊來顯示采集到的溫濕度的值，以便于我們更好的了解當時的環(huán)境并做相應的處理。如果讀取響應信號為高電平，則DHT11沒有響應，請檢查線路是否連接正常。通訊初始化要求如圖12所示：圖12 通訊初始化要求圖總線為低電平，說明DHT11發(fā)送響應信號，DHT11發(fā)送響應信號后，再把總線拉高80us， 準備發(fā)送數(shù)據(jù)，每一bit數(shù)據(jù)都以50us低電平時隙開始，高電平的長短定了數(shù)據(jù)位是0還是1。通訊過程如圖11所示：圖11 通訊過程圖總線空閑狀態(tài)為高電平，主機把總線拉低等待DHT11響應，主機把總線拉低必 須大于18毫秒，保證DHT11能檢測到起始信號。數(shù)據(jù)格式：8bit濕度整數(shù)數(shù)據(jù)+8bit濕度小數(shù)數(shù)據(jù)+8bi溫度整數(shù)數(shù)據(jù)+8bit溫度小數(shù)數(shù)據(jù)+8bit校驗和數(shù)據(jù)傳送正確時校驗和數(shù)據(jù)等于“8bit濕度整數(shù)數(shù)據(jù)+8bit濕度小數(shù)數(shù)據(jù)+8bi溫度整數(shù)數(shù)據(jù)+8bit溫度小數(shù)數(shù)據(jù)”所得結(jié)果的末8位。1177。1%RH/yr溫度分辨率111℃888Bit重復性177。5%RH互換性可完全互換量程范圍0℃3090%RH25℃2090%RH50℃2080%RH響應時間1/e(63%)25℃，1m/s 空氣61015S遲滯177。1%RH精度25℃177。電源引腳（VDD，GND）之間可增加一個100nF的電容，用以去耦濾波。 DHT11引腳及接口說明DHT11引腳說明見表4：表4 DHT11引腳Pin名稱注釋1VDD2DATA串行數(shù)據(jù)，單總線3NC 空腳，請懸空4GND接地，電源負極建議連接線長度短于20米時用5K上拉電阻，大于20米時根據(jù)實際情況使用合適的上拉電阻，圖10 傳感器接口DHT11的供電電壓為3－。超小的體積、極低的功耗，信號傳輸距離可達20米以上，使其成為各類應用甚至最為苛刻的應用場合的最佳選則。因此該產(chǎn)品具有品質(zhì)卓越、超快響應、抗干擾能力強、性價比極高等優(yōu)點。它應用專用的數(shù)字模塊采集技術和溫濕度傳感技術，確保產(chǎn)品具有極高的可靠性與卓越的長期穩(wěn)定性。 在寫寄存器之前一定要進入待機模式或掉電模式。若此時自動應答開啟，接收方則同時進入發(fā)射狀態(tài)回傳應答信號。當接收方檢測到有效的地址和CRC時，就將數(shù)據(jù)包存儲在RX若發(fā)送堆棧中無數(shù)據(jù)且CE為高，則進入空閑模式2。最后發(fā)射成功時，若CE為低則nRF2401進入空閑模式1。FIFO中數(shù)據(jù)保留以便在次重發(fā)。FIFO中清除。若自動應答開啟，那么nRF2401在發(fā)射數(shù)據(jù)后立即進入接收模式，接收應答信號（自動應答接收地址應該與接收節(jié)點地址TX_ADDR一致）。在CS引腳的下降沿，新送入的配置字開始工作。　表3 nRF2401配置字描述位位數(shù)名字功能ShockBurstTM配置143:12024TEST保留119：1128DATA2W接收頻道2有效數(shù)據(jù)的長度111：1048DATA1W接收頻道1有效數(shù)據(jù)的長度103：6440ADDR2接收頻道2的地址，最高位5字節(jié)63:2440ADDR1接收頻道1的地址，最高位5字節(jié)23:186ADDRW接收頻道地址位數(shù)171CRCL8或16位CRC161CRCEN使能CRC檢驗常用器件配置151RX2EN使能第二頻道141CM通信方式設置131RFDRSB發(fā)射數(shù)據(jù)速率(1Mbs需要16MHz晶振)12：103XOF晶振頻率9：82RFPWR發(fā)射輸出電源7：17RFCH頻道設置 01RXEN接收或發(fā)射操作在配置模式下，注意保證PWR_UP引腳為高電平，CE引腳為低電平。配置字從最高位開始，依次送入nRF2401。nRF2401配置字的各個位的描述見表3。這使得nRF2401能夠區(qū)分地址和數(shù)據(jù)；地址：接收數(shù)據(jù)的地址，有通道1的地址和通道2的地址；CRC：使nRF2401能夠生成CRC校驗碼和解碼。ShockBurstTM的配置字可以分為以下四個部分：數(shù)據(jù)寬度：聲明射頻數(shù)據(jù)包中數(shù)據(jù)占用的位數(shù)。 nRF2401器件配置以下介紹把nRF2401配置為ShockBurstTM收發(fā)模式的器件配置方法。關機模式在關機模式下，為了得到最小的工作電流，一般此時的工作電流小于1uA。在空閑模式下，部分片內(nèi)晶振仍在工作，此時的工作電流跟外部晶振的頻率有關，如外部晶振為4MHz時工作電流為12uA，外部晶振為16MHz時工作電流為32uA。配置模式在配置模式下，15字節(jié)的配置字被送到nRF2401，這通過CS、CLK1和DATA三個引腳完成，具體的配置方法參照本設計的器件配置部分。其工作模式見表2：表2 nRF2401工作模式工作模式PWRUPCECS收發(fā)模式110配置模式101空閑模式100關機模式0ShockBurstTM發(fā)射流程：當微控制器有數(shù)據(jù)要發(fā)送時，其把CE置高，使nRF2401工作，把接收機的地址和要發(fā)送的數(shù)據(jù)按時序送入nRF2401，微控制器把CE置低，激發(fā)nRF2401進行ShockBurstTM發(fā)射，nRF2401的ShockBurstTM發(fā)射，給射頻前端供電，射頻數(shù)據(jù)打包(加字頭、CRC校驗碼)，高速發(fā)射數(shù)據(jù)包，發(fā)射完成，nRF2401進入空閑狀態(tài)。nRF2401的引腳說明 見表1：表1 nRF2401引腳引腳名稱 引腳功能描述1CE 數(shù)字輸入使nRF2401工作于接收或發(fā)送狀態(tài)2DR2 數(shù)字輸出頻道2接收數(shù)據(jù)準備好3CLK2 數(shù)字I/O頻道2接收數(shù)據(jù)時鐘輸入輸出4DOUT2 數(shù)字輸出頻道2接收數(shù)據(jù)5CS 數(shù)字輸入配置模式的片選端6DR1 數(shù)字輸出頻道1接收數(shù)據(jù)準備好7CLK1 數(shù)字I/O頻道1接收數(shù)據(jù)時鐘輸入/輸出8DATD 數(shù)字I/O頻道1接收/發(fā)送數(shù)據(jù)端9DVDD 電源電源的正數(shù)字輸出10VSS 電源電源地11XC1 模擬輸出晶振112XC2 模擬輸入晶振213VDDPA 電源輸出14ANT1 天線天線接口115ANT2 天線天線接口216VSS_PA 電源電源地17VDD 電源電源正端18VSS 電源電源地19IREF 模擬輸入模數(shù)轉(zhuǎn)換的外部參考電壓20VSS 電源電源地21VDD 電源電源正端22VSS 電源電源地23PWR_UP 數(shù)字輸入芯片激活端24VDD 電源電源正端 nRF2401工作模式nRF2401有四種工作模式：收發(fā)模式、配置模式、空閑模式和關機模式。QFN24引腳封裝，外形尺寸只有55mm。nRF2401內(nèi)置地址解碼器、先入先出堆棧區(qū)、解調(diào)處理器、時鐘處理器、GFSK濾波器、低噪聲放大器、頻率合成器，功率放大器等功能模塊，需要很少的外圍元件，nRF2401功耗低，在以6 dBm的功率發(fā)射時，工作電流也只有9 mA；接收時， mA，多種低功率工作模式(掉電模式和空閑模式)使節(jié)能設計更方便。這兩個電容成為晶振的負載電容，它會影響晶振的諧振頻率和輸出幅度。具體復位電路如圖6所示，其中C4是104陶瓷電容，C3是22uf/25V的電解電容，R1的阻值為10K歐。如果RST持續(xù)為高電平，單片機就處于循環(huán)復位狀態(tài)。：RD，外部數(shù)據(jù)存儲器的讀取信號。：T1，計時計數(shù)器1輸入。：INT1，外部中斷1輸入。：TX