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正文內(nèi)容

基于ds18b20數(shù)字溫度計的終稿畢業(yè)論文-文庫吧資料

2025-07-03 17:16本頁面
  

【正文】 gment Displays)是由多個發(fā)光二極管封裝在一起組成“8”字型的器件,引線已在內(nèi)部連接完成,只需引出它們的各個筆劃和公共電極。共陽數(shù)碼管是指將所有發(fā)光二極管的陽極接到一起形成公共陽極(COM)的數(shù)碼管,共陽數(shù)碼管在應(yīng)用時應(yīng)將公共極COM接到+5V,當(dāng)某一字段發(fā)光二極管的陰極為低電平時,相應(yīng)字段就點亮,當(dāng)某一字段的陰極為高電平時,相應(yīng)字段就不亮。數(shù)碼管按段數(shù)分為七段數(shù)碼管和八段數(shù)碼管,八段數(shù)碼管比七段數(shù)碼管多一個發(fā)光二極管單元(多一個小數(shù)點顯示);按能顯示多少個“8”可分為1位、2位、4位等等數(shù)碼管。由于單線制只有一根線,因此發(fā)送接口必須是三態(tài)的。 DS18B20采用寄生電源的電路圖當(dāng)DS18B20處于寫存儲器操作和溫度A/D轉(zhuǎn)換操作時,總線上必須有強的上拉,上拉開啟時間最長為500ms。 DS18B20與單片機接口電路的設(shè)計 DS18B20可以采用兩種供電方式:一種是采用電源供電方式,此時DS18B20的第1引腳接地,第2引腳作為信號線,第3引腳接電源;另外一種是寄生電源供電方式。 (4)在DS1820測溫程序設(shè)計中,向DS1820發(fā)出溫度轉(zhuǎn)換命令后,程序總要等待DS1820的返回信號,一旦某個DS1820接觸不好或斷線,當(dāng)程序讀該DS1820時,將沒有返回信號,程序進(jìn)入死循環(huán)。這種情況主要是由總線分布電容使信號波形產(chǎn)生畸變造成的。試驗中,當(dāng)采用普通信號電纜傳輸長度超過50m時,讀取的測溫數(shù)據(jù)將發(fā)生錯誤。當(dāng)單總線上所掛DS1820超過8個時,就需要解決微處理器的總線驅(qū)動問題,這一點在進(jìn)行多點測溫系統(tǒng)設(shè)計時要加以注意。在使用PL/M、C等高級語言進(jìn)行系統(tǒng)程序設(shè)計時,對DS1820操作部分最好采用匯編語言實現(xiàn)。操作協(xié)議為:初始化DS18B20(發(fā)復(fù)位脈沖→發(fā)ROM功能命令→發(fā)存儲器操作命令→處理數(shù)據(jù)。另外,DS18B20單線通信功能是分時完成的,有嚴(yán)格的時隙概念,因此讀/寫時序很重要。如此循環(huán),知道減法計數(shù)器2計數(shù)到0時,停止溫度計數(shù)器值的累加,此時溫度寄存器中的數(shù)值就是所測溫度值。計數(shù)門的開啟時間由高溫度系數(shù)振蕩器來決定,每次測量前,首先將55℃所對應(yīng)的一個基數(shù)分別置入減法計數(shù)器1和溫度寄存器中,減法計數(shù)器和溫度寄存器被預(yù)置在55℃所對應(yīng)的一個基數(shù)值。 ,圖中低溫度系數(shù)振蕩器的振蕩頻率受溫度影響很小,用于產(chǎn)生固定頻率的脈沖信號送給減法計數(shù)器1;高溫度系數(shù)振蕩器隨溫度變化其振蕩頻率明顯改變,所產(chǎn)生的信號作為減法計數(shù)器2的脈沖輸入。 在64位ROM的最高有效字節(jié)中存儲有循環(huán)冗余檢驗碼(CRC)。 DS18B20溫度與表示值對應(yīng)表 DS18B20完成溫度轉(zhuǎn)換后,就把測得的溫度值與RAM中的TH、TL字節(jié)內(nèi)容作比較,若T>TH或T<TL,則將該器件內(nèi)的報警標(biāo)志位置位,并對主機發(fā)出的報警搜索命令做出響應(yīng)。:低字節(jié) 高字節(jié) 溫度數(shù)據(jù)值格式 圖中,S表示符號位。 單片機可以通過單線接口讀出數(shù)據(jù)。: 配置寄存器位定義當(dāng)DS18B20接受到溫度轉(zhuǎn)換命令后,開始啟動轉(zhuǎn)換。 高速暫存RAM結(jié)構(gòu)圖 高速暫存的第8字節(jié)保留未用,表現(xiàn)為全邏輯1。其中,低5位一直為1;TM是測試模式位,用于設(shè)置DS18B20在工作模式還是在測試模式,在DS18B20出廠時,該位被設(shè)置為0,用戶不要去改動;R1和R0決定溫度轉(zhuǎn)換的精度位數(shù),即用來設(shè)置分辨率,: DS18B20分辨率R1 R0 分辨率/位 溫度最大轉(zhuǎn)換時間/ms0 0 9 0 1 10 1 0 11 3751 1 12 750 DS18B20分辨率的定義和規(guī)定 ,DS18B20溫度轉(zhuǎn)換的時間較長,而且設(shè)定的分辨率越高,所需要的溫度數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換時間就越長。第3和第4字節(jié)是TH和TL的拷貝,是易失的,每次上電復(fù)位時刷新。高速暫存RAM的結(jié)構(gòu)為9字節(jié)的存儲器。當(dāng)數(shù)據(jù)被校驗之后,復(fù)制暫存存貯器的命令把數(shù)據(jù)傳送到非易失性EEPROM。暫存存貯器有助于在單線通信時確保數(shù)據(jù)的完整性。當(dāng)存貯在DS18B20內(nèi)或由DS18B20計算得到的CRC值與總線主機產(chǎn)生的值不相符合時,在DS18B20內(nèi)沒有電路來阻住命令序列的繼續(xù)執(zhí)行。在使用CRC來確認(rèn)數(shù)據(jù)傳送的每一種情況中,總線主機必須使用上面給出的多項式函數(shù)計算CRC的值并把計算所得的值或者與存貯在DS18B20的64位ROM部分中的8位CRC值(ROM讀數(shù)),或者與DS18B20中計算得到的8位CRC值(在讀暫存存貯器中時,它作為第九個字節(jié)被讀出),進(jìn)行比較??偩€上的主機可以根據(jù)64位ROM的前56位計算機CRC的值并把它與存貯在DS18B20內(nèi)的值進(jìn)行比較以決定ROM的數(shù)據(jù)是否已被主機正確地接收。如果某處溫度超過極限,那么可以識別出正在告警的器件并立即將其讀出而不必讀出非告警的器件。只要告警標(biāo)志置位,DS18B20將對告警搜索命令做出響應(yīng)。如果溫度測量的結(jié)果高于TH或低于TL,那么器件內(nèi)告警標(biāo)志將置位。因為這些寄存器僅僅是8位,℃位在比較時被忽略。在成功地執(zhí)行了ROM操作序列之后DS18B20特定的功能便可訪問,然后總線上主機可提供六個存儲器和控制功能命令之一。知道ROM操作協(xié)議被滿足,DS18B20控制部分的功能是不可訪問的。開始的8位是單線產(chǎn)品系列編碼(DS1820編碼是10h);接著的48位是每個器件唯一的系列號;最后的8位是開始56位CRC檢驗碼。(1)DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)及功能 DS18B20采用3腳PR—35封裝或8腳SOIC封裝,主要包括:寄生電源,溫度傳感器,64位ROM和單總線接口,存放中間數(shù)據(jù)的高速暫存器RAM,用于存儲用戶設(shè)定溫度上下限值的TH和TL觸發(fā)器,存儲與控制邏輯,8位循環(huán)冗余校驗碼(CRC)發(fā)生器等7部分。⑨DS18B20可將檢測到溫度值直接轉(zhuǎn)化為數(shù)字量,并通過串行通信的方式與主控制器進(jìn)行數(shù)據(jù)通信。⑦報警搜索命令可識別和尋址超過程序限定溫度(溫度報警條件)的器件。⑤可編輯數(shù)據(jù)為9~12位,轉(zhuǎn)換12位溫度時間為750ms(最大)。④測溫范圍為55℃~+125℃,在10℃~+85℃范圍內(nèi)誤差為177。②每只DS18B20具有一個獨有的,不可修改的64位序列號,根據(jù)序列號訪問地應(yīng)的器件。: DS18B20的實物管腳分布圖 (1)引腳功能說明GND是地址信號;DQ是數(shù)據(jù)輸入/輸出引腳,開漏單總線接口引腳,當(dāng)被用在寄生電源下,也可以向器件提供電源;VDD為外接供電電源輸入端(在寄生電源接線方式時接地)。與前一代產(chǎn)品不同,新的產(chǎn)品支持3V~,使系統(tǒng)設(shè)計更靈活、方便。現(xiàn)場溫度直接以“一線總線”的數(shù)字方式傳輸,大大提高了系統(tǒng)的抗干擾性。DS1822的精度較差為177。DS18bDS1822“一線總線”數(shù)字化溫度傳感器同DS1820一樣,DS18B20也支持“一線總線”接口,測量溫度范圍為55℃~+125℃,在10~+85℃范圍內(nèi),精度為177。Dallas半導(dǎo)體公司的數(shù)字化溫度傳感器DS18b20是世界上第一片支持“一線總線”接口的溫度傳感器。(4)掉電模式可由外部中斷喚醒,適用于水表、氣表等電池供電系統(tǒng)及便攜設(shè)備。(2)空閑模式:典型功耗2mA。(14)PDIP封裝。(13)工作溫度范圍。(11)外部中斷4路,下降沿中斷或低電平觸發(fā)電路,Power Down模式可由外部中斷低電平觸發(fā)中斷方式喚醒。(10)共有3個16位定時器/計數(shù)器。(8)具有EEPROM功能。(6)通用I/O口(32個),復(fù)位后為:P1/P2/P3/P4是準(zhǔn)雙向口/弱上拉,P0口是漏極開路輸出,作為總線擴展用時,不用加上拉電阻,作為I/O口用時,需加上拉電阻。(4)用戶應(yīng)用程序空間為8K字節(jié)。(2)工作電壓:~(5V單片機)/~(3V單片機)。通過設(shè)置特殊功能寄存器T2CON中的C/T2位,可將其作為定時器或計數(shù)器()。XTAL2(18引腳):振蕩器反相放大器的輸入端。在Flash編程期間,EA也接收12伏VPP電壓。注意加密方式1時,EA將內(nèi)部鎖定為RESET。EA/VPP(31引腳):訪問外部程序存儲器控制信號。 PSEN(29引腳):外部程序存儲器選通信號(PSEN)是外部程序存儲器選通信號。否則,ALE將被微弱拉高。如果需要,通過將地址位8EH的SFR的第0位置“1”,ALE操作將無效。在一般情況下,ALE以晶振六分之一的固定頻率輸出脈沖,可用來作為外部定時器或時鐘使用。ALE/PROG (30引腳):地址鎖存控制信號(ALE)是訪問外部程序存儲器時鎖存低8位地址的輸出脈沖。特殊寄存器AUXR(地址8EH)上的DISRTO位可以使此功能無效。當(dāng)輸入連續(xù)兩個機器周期以上高電平時為有效,用來完成單片機的復(fù)位初始化操作。 在對Flash ROM編程或程序校驗時,P3還接收一些控制信號。對端口寫入1時,通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電位,這時可用作輸入口。 P3端口(~,10~17引腳):P3是一個帶內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口。在訪問8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器(如執(zhí)行“MOVXR1”指令)時,P2口引腳上的內(nèi)容,在整個訪問期間不會改變。P2作為輸入口使用時,因為有內(nèi)部的上拉電阻,那些被外部信號拉低的引腳會輸出一個電流。P2口是一個帶內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/。P1口作輸入口使用時,因為有內(nèi)部上拉電阻,那些被外部拉低的引腳會輸出一個電流。P1的輸出緩沖器可驅(qū)動4個TTL輸入。驗證時,要求外接上拉電阻。此時,P0口內(nèi)部上拉電阻有效。P0端(~,39~32引腳):P0口是一個漏極開路的8位雙向I/O口。: STC89C52 實物圖STC89C52引腳及特點: 芯片引腳功能1. STC8
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