單片機開機次數(shù)記憶器結構設計-文庫吧資料
2025-07-02 10:11本頁面
【正文】 e((SDA==1)amp。 SCL=1。 AT2401_Delay()。 AT2401_Delay()。 AT2401_Delay()。 AT2401_Delay()。 AT2401_Delay()。 AT2401_Delay()。 _nop_()。 _nop_()。 while((tempamp。 rw=1。 temp=0x00。}////2402程序2void AT2401_Delay(){。 lcd_wcmd(0x01)。 lcd_wcmd(0x06)。 lcd_wcmd(0x0c)。 }lcd_init(){ //LCD初始化設定 lcd_wcmd(0x38)。 _nop_()。 _nop_()。 ep = 1。 _nop_()。 _nop_()。 ep = 0。 rs = 1。 }lcd_pos(BYTE pos){ //設定顯示位置 lcd_wcmd(pos | 0x80)。 _nop_()。 _nop_()。 ep = 1。 _nop_()。 _nop_()。 _nop_()。 ep = 0。 rs = 0。 return result。 0x80)。 _nop_()。 _nop_()。 ep = 1。 rs = 0。 _nop_()。 _nop_()。 i delay(BYTE ms){ // 延時子程序 BYTE i。BYTE dis2[10]={0123456789}。sbit ep = P2^7。 sbit rs = P2^6。typedef unsigned int WORD。 /* defined for unsigned 8bits integer variable 無符號8位整型變量 */typedef signed char int8。int time2=0。 //AT24C01串行數(shù)據(jù) 5腳 sbit SCL = P2^1。第7～14腳：D0～D7為8位雙向數(shù)據(jù)端。第5腳：RW為讀寫信號線，高電平(1)時進行讀操作，低電平(0)時進行寫操作。如果系統(tǒng)在上電時得不到有效的復位，則程序計數(shù)器PC將得不到一個合適的初值，CPU可能會從一個未被定義的位置開始執(zhí)行程序。在圖4的復位電路中，當VCC掉電時，必然會使RST端電壓迅速下降到0V以下，但是，由于內(nèi)部電路的限制作用，這個負電壓將不會對器件產(chǎn)生損害。單片機引腳圖連接選擇如圖3所示：圖3 單片機的引腳連接圖 RC復位電路復位電路圖如圖4所示：圖4 復位電路圖系統(tǒng)復位的工作過程是在加電時，復位電路通過電容加給RST端一個短暫的高電平信號，此高電平信號隨著VCC對電容的充電過程而逐漸回落，即RST端的高電平持續(xù)時間取決于電容的充電時間。RST為復位輸入。在訪問8 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器（如執(zhí)行MOVXRI 指令）時，P2 口輸出P2鎖存器的內(nèi)容。對端口P2 寫“1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時可作輸入口，作輸入口使用時，因為內(nèi)部存在上拉電阻，某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流(IIL)。在Flash編程時，P0 口接收指令字節(jié)，而在程
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