【正文】 0804把轉(zhuǎn)換完成的數(shù)據(jù)加載到DB口，可以通過數(shù)據(jù)端口DB0～DB7讀出本次的采樣結(jié)果。在外接多個ADC0804芯片時，該信號可以作為選擇地址使用，通過不同的地址信號使能不同的ADC0804芯片，從而可以實現(xiàn)多個AD通道的分時復(fù)用。: ADC0804引腳圖ADC0804引腳功能: ：芯片片選信號，低電平有效。5V。 輸出電壓與溫度的關(guān)系： LM324引腳圖 ADC0804芯片ADC0804是采用CMOS集成工藝制成的逐次比較型模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片。每一組運算放大器共有5個引出腳，其中“+”、“”為兩個信號輸入端，“V+”、“V”為正、負(fù)電源端，“Vo”為輸出端。靜態(tài)電流為MC1741的靜態(tài)電流的五分之一。 C)Temp. (℃) V_out (mV) Temp. (℃) V_out (mV)20 50 10 60 0 70 10 80 20 90 25 100 30 110 40 120 熱敏電阻參數(shù)表Resistance (KΩ) Resistance (KΩ) Temp.(oC) Min Center Max. Temp.(oC)MinCenter Max. 20 45 15 50 10 55 5 60 0 65 5 70 10 75 15 80 20 85 25 90 30 95 35 100 40 105 ： LM324運算放大器LM324系列器件帶有差動輸入的四運算放大器。管腳4：熱敏電阻接地端點。 管腳2：熱敏電阻輸出訊號。使用方便，測量精度較高。熱電堆傳感器的特色在于與溫度參考電阻器在同一塊基座上。與電阻相互比較熱敏元件總是存在白色雜訊。該傳感器芯片采用了了一個獨特的前表面微加工技術(shù)，使得尺寸更小，能更快速地響應(yīng)環(huán)境溫度變化的結(jié)果。該傳感器包含了116組串聯(lián)的熱接點，形成了一個直徑545μm的感應(yīng)區(qū)。XTAL2:振蕩器反相放大器的輸出端。此管腳的第二功能Vpp是對89c51片內(nèi)EPROM固化編程時，作為施加較高編程電壓的輸入端。為了執(zhí)行內(nèi)部程序指令，EA應(yīng)該接VCC。EA/VPP:訪問外部程序存儲器控制信號。此端驅(qū)動8個LS型TTL。此管腳接EPROM的OE端，PSEN端有效，即允許讀出EPROM/ROM中的指令碼。程序存儲允許輸出信號端。ALE端的負(fù)載驅(qū)動能力為8個LS型TTL。CPU訪問片外存儲器時，此信號作為鎖存地址總線的低8位地址的控制信號。:地址鎖存允許/編程信號端。在flash編程時，此引腳（PROG）也用作編程輸入脈沖。如果看門狗計時完成，RST 腳輸出96 個晶振周期的高電平。RST: 復(fù)位輸入。(WR):片外數(shù)據(jù)存儲器寫選通控制輸出。(T0):計時器0外部時鐘輸入。(INT0):外部中斷0，低有效。此外，P3口與其它I/O端口有很大區(qū)別，它除作為一般準(zhǔn)雙向I/O口外，還具有特殊的控制功能:(RXD):串行數(shù)據(jù)接收端（串行口輸入）。P3口是一個多功能端口。并因此作為輸入時，P2口的管腳被外部拉低，將輸出電流。P2口緩沖器能接收，輸出4個TTL門電流，每位可驅(qū)動4個LS型的TTL負(fù)載，在訪問外接存儲器器時，用做高8位地址輸出。當(dāng)阻值近似為0時，可將管腳快速上拉至高電平；當(dāng)阻值很大時，P1口為高阻輸入狀態(tài)。由于片內(nèi)負(fù)載電阻較大，約20～40KΩ，所以不會對輸入的數(shù)據(jù)產(chǎn)生影響。當(dāng)P1口輸出高電平時，能向外提供拉電流負(fù)載，所以不必再接上拉電阻。每位可驅(qū)動4個LS型TTL負(fù)載。即在指令的前半周期，PO口作為地址總線的低8位輸出，在ALE信號的下降沿該地址被鎖存，在指令的后半周期用做8位數(shù)據(jù)總線。作輸入口使用時要先寫1，這就是準(zhǔn)雙向的含義。在CPU訪問片外存貯器時，P0口是分時提供8位地址和8位數(shù)據(jù)的復(fù)用總線。它們都有字節(jié)地址，每一個端口鎖存器還有位地址，所以每一條I/O線獨立地用做輸入或輸出時，數(shù)據(jù)可以鎖存；作輸入時，數(shù)據(jù)可以緩沖。：I/O端口引腳：I/O端口P0～P3（地址為80H，90H，A0H，B0H），且P0～P3為四個8位特殊功能寄存器?？臻e方式停止CPU的工作，但允許RAM，定時/計數(shù)器，串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。AT89C51 提供以下標(biāo)準(zhǔn)功能：4k 字節(jié)Flash 閃速存儲器，128字節(jié)內(nèi)部RAM，32 個I/O 口線，兩個16位定時/計數(shù)器，一個5向量兩級中斷結(jié)構(gòu)，一個全雙工串行通信口，片內(nèi)振蕩器及時鐘電路。由于將多功能8位CPU和閃爍存儲器組合在單個芯片中，ATMEL的AT89C51是一種高效微控制器，AT89C51是它的一種精簡版本。單片機(jī)的可擦除只讀存儲器可以反復(fù)擦除1000次。 不同環(huán)境溫度下的標(biāo)定系數(shù)標(biāo)準(zhǔn)溫度 （℃）環(huán)境溫度（℃）測量值（V）系 數(shù) Ka（V/℃） 表第3章 系統(tǒng)硬件設(shè)計 AT89C51單機(jī)AT89C51是一種帶4K字節(jié)FLASH存儲器（FPEROM—Flash Programmable and Erasable Read Only Memory）的低電壓、高性能CMOS 8位微處理器，俗稱單片機(jī)。所以對此溫度范圍的物體必須進(jìn)行環(huán)境溫度對標(biāo)定系數(shù)的修正。然后再根據(jù)環(huán)境溫度的不同對已選出的標(biāo)定系數(shù)進(jìn)行修正，達(dá)到在不同環(huán)境溫度下仍然能夠準(zhǔn)確測溫的目的。 ：首先應(yīng)該對物體表面溫度分段定標(biāo)，因為測量范圍較大，所以不同段的標(biāo)定系數(shù)相差很大。根據(jù)表達(dá)式（）可以得到不同的標(biāo)定公式： （1）簡單關(guān)系式，即 式()式中： 應(yīng)用此公式所作的標(biāo)定實驗結(jié)果見表1，表中數(shù)據(jù)表明， 不僅與有關(guān)，還與有關(guān)。但是，但是要進(jìn)行絕對溫度的準(zhǔn)確測量時，必須事先知道被測物體的輻射率，否側(cè)測出的溫度值將與實際值有較大的誤差。一般情況，對運行的設(shè)備進(jìn)行紅外測溫時，大多都是通過比較法來判定的，即相鄰的橫向比較和本身不同部位的縱向比較。不同物質(zhì)的輻射率是不相同的，并隨物體的表面狀況而變化，在不同的溫度和不同的波長有不同的值。(3)輻射率的影響輻射率是一個描述被測物體相對于黑體輻射能力大小的物理量。目標(biāo)物體的距離太遠(yuǎn)，儀器吸收到的輻射能減小，所測溫度比目標(biāo)物體的實際溫度偏低。當(dāng)被測物體小于儀器的光學(xué)目標(biāo)時，儀器顯示被測物體及背景二者溫度的加權(quán)平均值，此時顯示出的溫度誤差與被測物體的背景溫度有關(guān)，同時也與被測物體與背景的大小比例有關(guān)。: 距離與被測目標(biāo)直徑紅外測溫儀工作時，只能測定被測目標(biāo)表面上確定面積的平均溫度。(2)距離系數(shù)的影響距離系數(shù)是紅外測溫儀的一項很重要的技術(shù)性能指標(biāo)。輻射能量在大氣吸收中的衰減程度可由大氣模式補(bǔ)償，此模式可計算出大氣的吸收度與物體距離、相對溫度及大氣溫度的反應(yīng)關(guān)系，但目前大多數(shù)紅外測溫儀沒有作如此補(bǔ)償，以致造成誤差。大氣吸收時，使一部分紅外輻射能量變成其它形式的能量，成另一種光譜分布。影響紅外測溫的因素有很多，如大氣影響、測試背景影響、物體輻射率的影響、距離系數(shù)的影響、工作波長區(qū)域范圍的影響和瞬時視場角的影響等。紅外測溫技術(shù)的關(guān)鍵是檢測數(shù)據(jù)結(jié)果的真實性和可靠性，判斷缺陷部位的準(zhǔn)確性和合理性。 7）環(huán)境條件考慮：測溫儀所處的環(huán)境條件對測量結(jié)果有很大影響，應(yīng)予考慮并適當(dāng)解決，否則會影響測溫精度甚至引起損壞。 5）確定響應(yīng)時間：響應(yīng)時間表示紅外測溫儀對被測溫度變化的反應(yīng)速度，定義為到達(dá)最后讀數(shù)的95%能量所需要時間，它與光電探測器、信號處理電路及顯示系統(tǒng)的時間常數(shù)有關(guān)。光學(xué)分辨率越高，測溫儀的成本也越高。 3）確定距離系數(shù)（光學(xué)分辨率）：距離系數(shù)由D：S之比確定，即測溫儀探頭到目標(biāo)之間的距離D與被測目標(biāo)直徑之比。否則背景會干擾測溫讀數(shù)，造成誤差。 2）確定目標(biāo)尺寸：紅外測溫儀根據(jù)原理可分為單色測溫儀和雙色測溫儀（輻射比色測溫儀）。1）確定測溫范圍：測溫范圍是測溫儀最重要的一個性能指標(biāo)。 為斯忒潘—玻耳茲曼常數(shù)， T為物體的熱力學(xué)溫度。溫度為T的絕對黑體，單位面積元在半球方向上所發(fā)射的全部波長的輻射出射度與溫度T的四次方成正比。吸收輻射能力強(qiáng)的物體，受熱后向外輻射的能力也強(qiáng)。 光譜發(fā)射率： ：實際物體與黑體在溫度T時的光譜輻射出射度之比。 為非黑體在溫度為T時的光譜輻射射出射度。 物體的單色輻射出射度與單色吸收比的比值為一普適函數(shù) 式()與溫度和波長有關(guān)系。：黑體——只能部分吸收輻射到其上能量的物體（實際）。 式() 式中， 為被物體吸收的輻通量； 為照射到物體單位面積上的輻通量。輻通量：單位時間內(nèi)通過某一截面的輻射能，又稱輻射功率，SI單位為瓦。根據(jù)式（）的原理，儀表所測得的紅外輻射為： 式() 式中：為光學(xué)常數(shù)，與儀表的具體設(shè)計結(jié)構(gòu)有關(guān)；為被測對象的輻射率；為紅外溫度計的輻射率；為被測對象的溫度（K）；為紅外溫度計的溫度（K）；它由一個內(nèi)置的溫度檢測元件測出。在不同的溫度范圍，對象發(fā)出的電磁波能量的波長分布不同，在常溫（0～100℃）范圍，能量主要集中在中紅外和遠(yuǎn)紅外波長。利用這個原理制成的溫度測量儀表叫紅外溫度儀表。當(dāng)用紅外輻射測溫儀測量目標(biāo)的溫度時首先要測量出目標(biāo)在其波段范圍內(nèi)的紅外輻射量，然后由測溫系統(tǒng)計算出被測目標(biāo)的溫度，用公式可表達(dá)為： 式()E是輻射出射度．單位是W／m3；δ是斯蒂芬一波爾茲曼常數(shù)，5．67x108W／（m2根據(jù)輻射定律，只要知道了材料的發(fā)射率，就知道了任何物體的紅外輻射特性。因此，為使黑體輻射定律適用于所有實際物體，必須引入一個與材料性質(zhì)及表面狀態(tài)有關(guān)的比例系數(shù)，即發(fā)射率。物體發(fā)射率對輻射測溫的影響：自然界中存在的實際物體，幾乎都不是黑體。 黑體輻射定律：黑體是一種理想化的輻射體，它吸收所有波長的輻射能量，沒有能量的反射和透過，其表面的發(fā)射率為1。物體的紅外輻射能量的大小及其波長的分布——都與這些物體表面的溫度有著非常緊密的關(guān)系。此外，本設(shè)計還增加了超溫報警功能，當(dāng)被測物體溫超過50度時，LED燈亮的同時蜂鳴器蜂鳴報警。將被測物體發(fā)射的紅外線具有的輻射能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘枺t外線輻射能量的大小與物體本身的溫度是相關(guān)的，根據(jù)轉(zhuǎn)變成的電信號的大小，就可以確定物體的溫度。本系統(tǒng)采用了AT89C51芯片，LM324芯片，LCD12864顯示屏,ADC0804芯片，ANTOTP538U紅外傳感器，完成紅外測溫的功能。單片機(jī)的應(yīng)用非常廣泛，在智能儀表、機(jī)電一體化、實時控制、分布式多機(jī)系統(tǒng)以及人們的生活中均有用武之地。就其組成和功能而言，一塊單片機(jī)芯片就是一臺計算機(jī)。在單片機(jī)技術(shù)和傳感器技術(shù)飛速發(fā)展的條件下本設(shè)計將應(yīng)用現(xiàn)代電子技術(shù)實現(xiàn)多功能的體溫檢測與記錄系統(tǒng)。所以這種溫度計不適合對多人進(jìn)行連續(xù)的溫度采集。并且使用水銀溫度計的時候，必須把溫度計與身體的皮膚接觸。在普通人們的日常生活中，我們常用水銀溫度計去測量。一個不是很復(fù)雜的功能要是用美國50年代開發(fā)的74系列，或者60年代的CD4000系列這些純硬件來搞定的話，電路一定是一塊大PCB板！但是如果要是用美國70年代成功投放市場的系列單片機(jī)，結(jié)