【正文】 為了有效且使用廣泛的抗生素之一；同樣的情景也發(fā)生在研究橡膠的實(shí)驗(yàn)中，偶然打破裝在玻璃杯里的硫黃，倒入融化的橡膠液體中，凝固後橡膠變成了堅(jiān)硬且頗富韌性的材質(zhì)。電子管是怎樣工作的 通過(guò)這樣的電子流，電子管可以將較小的交流電放大成較強(qiáng)的信號(hào)，實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大功能。現(xiàn)代的真空管共由4種基本構(gòu)件組成：極對(duì)燈絲(Filament) (加熱用)、陰極(Cathode)、柵極(Grid)和陽(yáng)極(Anode)。但這些都不會(huì)影響到電子管的正常工作和穩(wěn)定性。有時(shí)吸氧劑在真空管工作時(shí)會(huì)流動(dòng)，甚至能夠薄薄的平均分布在整個(gè)真空管的腔體內(nèi)。電子管玻璃上的銀色物質(zhì)是什么? 銀色物質(zhì)被稱為吸氧劑，它的目的是幫助增加電子管內(nèi)的真空度。陽(yáng)極板是您能在電子管中看到的最大的金屬構(gòu)件。它的外觀有點(diǎn)像燈泡(通常由玻璃制成)，其中已經(jīng)被抽至幾近真空。 檢測(cè)結(jié)果凡符合以上規(guī)律的光電二極管、光電三極管可初步認(rèn)為其能滿足使用需要。 光電三極管檢測(cè)：光電三極管管腳較長(zhǎng)的是發(fā)射極，另一管腳是集電極。如無(wú)標(biāo)記可用一塊黑布遮住其接收光線信號(hào)的窗口，將萬(wàn)用表置R*1 K擋測(cè)出正極和負(fù)極，同時(shí)測(cè)得其正向電阻應(yīng)在10K~20K間，其反向電阻應(yīng)為無(wú)窮大，表針不動(dòng)。正、反向阻值一大一小者為光電二極管。同光電二極管一樣，光電三極管外殼也有一個(gè)透明窗口，以接收光線照射。光電三極管除具有光電轉(zhuǎn)換的功能外，還具有放大功能，在電路圖中文字符號(hào)一般為VT。表明留有較高的安全系數(shù).光電二極管（LED） 光電二極管、光電三極管是電子電路中廣泛采用的光敏器件。另外使用ZC 253型兆歐表和500型萬(wàn)用表的250VDC檔測(cè)出，內(nèi)部?jī)晒艿姆聪驌舸╇妷篤BR依次為140V、135V。第二，因①—②、③—②之間的正向電阻只幾歐姆，而反向電阻為無(wú)窮大，故具有單向?qū)щ娦浴?選擇500型萬(wàn)用表的R1檔進(jìn)行測(cè)量，全部數(shù)據(jù)整理成表2。 檢測(cè)內(nèi)容包括：①識(shí)別電極；②檢查管子的單向?qū)щ娦?；③測(cè)正向?qū)航礦F；④測(cè)量反向擊穿電壓VBR。 由表可見(jiàn)，硅高速開(kāi)關(guān)二極管的trr雖極低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。 利用其低壓降這特點(diǎn)，能提高低壓、大電流整流（或續(xù)流）電路的效率 。但它的反向耐壓值較低，一般不超過(guò)去時(shí)100V。 肖特基整流管僅用一種載流子（電子）輸送電荷，在勢(shì)壘外側(cè)無(wú)過(guò)剩少數(shù)載流子的積累，因此，不存在電荷儲(chǔ)存問(wèn)題（Qrr→0），使開(kāi)關(guān)特性獲得時(shí)顯改善。 加負(fù)偏壓E時(shí)，勢(shì)壘寬度就增加，見(jiàn)圖2。在基片下邊形成N+陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。二氧化硅（SiO2）用來(lái)消除邊緣區(qū)域的電場(chǎng)，提高管子的耐壓值。它是以N型半導(dǎo)體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的N外延層。 當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡，便形成了肖特基勢(shì)壘。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度表面逐漸降輕工業(yè)部，表面電中性被破壞，于是就形成勢(shì)壘，其電場(chǎng)方向?yàn)锽→A。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。 中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式。其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），而整流電流卻可達(dá)到幾千安培。這類二極管，在負(fù)荷電阻特別低的情況下，整流效率較高。對(duì)高傳導(dǎo)點(diǎn)接觸型二極管而言，有SD51N56A等等。高傳導(dǎo)點(diǎn)接觸型二極管　　它與高反向電阻型相反。雖然其反方向耐壓也是特別地高，但反向電流小，因此其特長(zhǎng)是反向電阻高。要求更高時(shí)有硅合金和擴(kuò)散型。在點(diǎn)接觸型鍺二極管中，有SD31N38A、OA81等等。使用于高壓電路的檢波和整流。如：SD3SD41N34A等等屬于這一類。 三、根據(jù)特性分類點(diǎn)接觸型二極管，按正向和反向特性分類如下。發(fā)光二極管　　用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成，體積小，正向驅(qū)動(dòng)發(fā)光。瞬變電壓抑制二極管 　　TVP管，對(duì)電路進(jìn)行快速過(guò)壓保護(hù)，分雙極型和單極型兩種，按峰值功率（500W－5000W）和電壓（～200V）分類。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導(dǎo)體）肖特基二極管可以用來(lái)制作太陽(yáng)能電池或發(fā)光二極管。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微，所以其頻率響僅為RC時(shí)間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快速開(kāi)關(guān)的理想器件。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導(dǎo)體。其正向起始電壓較低?？焖訇P(guān)斷（階躍恢復(fù)）二極管用于脈沖和高次諧波電路中。階躍恢復(fù)二極管的“自助電場(chǎng)”縮短了存貯時(shí)間，使反向電流快速截止，并產(chǎn)生豐富的諧波分量。其結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)是：在PN結(jié)邊界處具有陡峭的雜質(zhì)分布區(qū)，從而形成“自助電場(chǎng)”。江崎二極管可以被應(yīng)用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達(dá)毫米波段），也可以被應(yīng)用于高速開(kāi)關(guān)電路中。江崎二極管為雙端子有源器件。隧道電流由這些簡(jiǎn)并態(tài)半導(dǎo)體的量子力學(xué)效應(yīng)所產(chǎn)生。其基底材料是砷化鎵和鍺。它常被應(yīng)用于微波領(lǐng)域的振蕩電路中。雪崩二極管 (Avalanche Diode)　　它是在外加電壓作用下可以產(chǎn)生高頻振蕩的晶體管。因此，可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用。當(dāng)其工作頻率超過(guò)100MHz時(shí)，由于少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)和“本征”層中的渡越時(shí)間效應(yīng)，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。PIN型二極管（PIN Diode）　　這是在P區(qū)和N區(qū)之間夾一層本征半導(dǎo)體（或低濃度雜質(zhì)的半導(dǎo)體）構(gòu)造的晶體二極管。在功率方面，也有從200mW至100W以上的產(chǎn)品。作為控制電壓和標(biāo)準(zhǔn)電壓使用而制作的。被制作成為硅的擴(kuò)散型或合金型。如果對(duì)階躍二極管施加正弦波，那么，因tt（轉(zhuǎn)移時(shí)間）短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產(chǎn)生很多高頻諧波。頻率倍增用的變?nèi)荻O管稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動(dòng)頻率控制用的變?nèi)荻O管的工作原理相同，但電抗器的構(gòu)造卻能承受大功率。結(jié)電容隨反向電壓VR變化，取代可變電容，用作調(diào)諧回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路，常用于電視機(jī)高頻頭的頻道轉(zhuǎn)換和調(diào)諧電路，多以硅材料制作。因此，被使用于自動(dòng)頻率控制、掃描振蕩、調(diào)頻和調(diào)諧等用途。日本廠商方面也有其它許多叫法。 2AK型點(diǎn)接觸為中速開(kāi)關(guān)電路用；2CK型平面接觸為高速開(kāi)關(guān)電路用；用于開(kāi)關(guān)、限幅、鉗位或檢波等電路；肖特基（SBD）硅大電流開(kāi)關(guān)，正向壓降小，速度快、效率高。開(kāi)關(guān)二極管的特長(zhǎng)是開(kāi)關(guān)速度快。開(kāi)關(guān)用二極管 　　有在小電流下（10mA程度）使用的邏輯運(yùn)算和在數(shù)百毫安下使用的磁芯激勵(lì)用開(kāi)關(guān)二極管。放大用二極管 　　用二極管放大，大致有依靠隧道二極管和體效應(yīng)二極管那樣的負(fù)阻性器件的放大，以及用變?nèi)荻O管的參量放大。即使其它變?nèi)荻O管也有調(diào)制用途，但它們通常是直接作為調(diào)頻用。調(diào)制用二極管 　　通常指的是環(huán)形調(diào)制專用的二極管。為了使這些二極管具有特別強(qiáng)的限制尖銳振幅的作用，通常使用硅材料制造的二極管。限幅用二極管 　　大多數(shù)二極管能作為限幅使用。面結(jié)型，工作頻率小于KHz，最高反向電壓從25伏至3000伏分A～X共22檔。整流用二極管　　就原理而言，從輸入交流中得到輸出的直流是整流。類似點(diǎn)觸型那樣檢波用的二極管，除用于檢波外，還能夠用于限幅、削波、調(diào)制、混頻、開(kāi)關(guān)等電路。二、根據(jù)用途分類檢波用二極管　　就原理而言，從輸入信號(hào)中取出調(diào)制信號(hào)是檢波，以整流電流的大?。?00mA）作為界線通常把輸出電流小于100mA的叫檢波。其特長(zhǎng)是：開(kāi)關(guān)速度非?？欤悍聪蚧謴?fù)時(shí)間trr特別地短。肖特基與PN結(jié)的整流作用原理有根本性的差異。因能隨意地控制雜質(zhì)的不同濃度的分布，故適宜于制造高靈敏度的變?nèi)荻O管。外延型二極管 　　用外延面長(zhǎng)的過(guò)程制造PN結(jié)而形成的二極管。把難以制作的材料通過(guò)巧妙地?fù)脚潆s質(zhì)，就能與合金一起過(guò)擴(kuò)散，以便在已經(jīng)形成的PN結(jié)中獲得雜質(zhì)的恰當(dāng)?shù)臐舛确植?。合金擴(kuò)散型二極管 　　它是合金型的一種。最初，對(duì)于被使用的半導(dǎo)體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。由于半導(dǎo)體表面被制作得平整，故而得名。平面型二極管 　　在半導(dǎo)體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴(kuò)散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上僅選擇性地?cái)U(kuò)散一部分而形成的PN結(jié)。因此，又把這種臺(tái)面型稱為擴(kuò)散臺(tái)面型。其剩余的部分便呈現(xiàn)出臺(tái)面形，因而得名。最近，使用大電流整流器的主流已由硅合金型轉(zhuǎn)移到硅擴(kuò)散型。擴(kuò)散型二極管 　　在高溫的P型雜質(zhì)氣體中，加熱N型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成P型，以此法PN結(jié)。正向電壓降小，適于大電流整流。在鍵型二極管中，熔接金絲的二極管有時(shí)被稱金鍵型，熔接銀絲的二極管有時(shí)被稱為銀鍵型。與點(diǎn)接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結(jié)電容量稍有增加，但正向特性特別優(yōu)良。鍵型二極管 　　鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細(xì)絲而形成的。因?yàn)闃?gòu)造簡(jiǎn)單，所以價(jià)格便宜。因此，其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。與PN結(jié)不可分割的點(diǎn)接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內(nèi)。所以用二極管整流時(shí)，流過(guò)二極管的正向電流（既輸出直流）不允許超過(guò)最大整流電流。最大整流電流IOM（mA）二極管能長(zhǎng)期正常工作時(shí)的最大正向電流。最高反向工作電壓VRM（V）二極管長(zhǎng)期正常工作時(shí)，所允許的最高反壓。PN結(jié)的面積越大，極間電容量越大，影響也約大，這就是面接觸型二極管（如整流二極管）和低頻三極管不能用于高頻工作的原因 晶體二極管的主要參數(shù)最高工作頻率fM（MC）二極管能承受的最高頻率。所以，PN結(jié)工作于高頻時(shí)，高頻信號(hào)容易被極間電容或反饋而影響PN結(jié)的工作。 PN結(jié)的極間電容PN結(jié)的P型和N型兩快半導(dǎo)體之間構(gòu)成一個(gè)電容量很小的電容，叫做“極間電容”（如圖4所示）。 圖3是常用的晶體二極管的外形及符號(hào)。 上敘實(shí)驗(yàn)說(shuō)明這樣一個(gè)結(jié)論：晶體二極管（或PN結(jié)）具有單向?qū)щ娞匦?。反向連接時(shí)，晶體管二極管（或PN結(jié)）兩端承受的電壓叫“反向電壓”；處在反向電壓下，二極管（或PN結(jié)）的電阻叫“反向電阻”，在反向電壓下，通過(guò)二極管（或PN結(jié)）的電流叫“反向電流”。這時(shí)PN結(jié)的電阻很大（大到幾百千毆），電流（I=U/R）幾乎不能通過(guò)二極管，或者說(shuō)通過(guò)的電流很微弱。 圖2a 正向連接時(shí)，晶體管二極管（或PN結(jié)）兩端承受的電壓叫“正向電壓”；處在正向電壓下，二極管（或PN結(jié)）的電阻叫“正向電阻”，在正向電壓下，通過(guò)二極管（或PN結(jié)）的電流叫“正向電流”。因此，通過(guò)PN結(jié)的電流（I=U/R）就很大。N端（或N端引出線）叫晶體二極管的負(fù)端（也稱負(fù)極）。 例如，收音機(jī)中應(yīng)用的晶體二極管，其觸絲（即觸針）部分相當(dāng)于P型半導(dǎo)體，N型鍺片就是N型半導(dǎo)體，他們