有關(guān)太陽(yáng)能電池的基礎(chǔ)知識(shí)-文庫(kù)吧資料
2025-06-30 18:05本頁(yè)面
【正文】 法，操作溫度區(qū)間在300~1200℃，主要依據(jù)基材材料而定。除了硅材料使用量可大幅降低外，此類型光電池由于電子與電洞傳導(dǎo)距離短，因此硅材料的純度要求，不若硅晶圓型太陽(yáng)能電池高，材料成本可進(jìn)一步降低。 【硅薄膜太陽(yáng)能電池】Thin Film Silicon Solar Cells0 s 最早開(kāi)發(fā)此型光電池是在1970’s，至1980’s方有大的突破。二、碲天然運(yùn)藏量有限，其總量勢(shì)必?zé)o法應(yīng)付大量而全盤(pán)的倚賴此種光電池發(fā)電之需。沉積操作時(shí)溫度較低，所耗用碲元素也最少。已知的方法有濺鍍法（sputtering）、化學(xué)蒸鍍（CVD）、ALE（atomic layer epitaxy）、網(wǎng)印（screenprinting）、電流沉積法（galvanic deposition）、化學(xué)噴射法（chemical spraying）、密集堆積升華法（closepacked sublimation）、modified closepacked sublimation、sublimationcondensation。干式法較為工業(yè)界所采用。CdS層的上沿先接合TCO，再連接基材，CdTe上沿則接合背板，以形成一個(gè)光電池架構(gòu)。再1982年時(shí)Kodak首先做出光電效率超過(guò)10﹪的此類型光電池，﹪，由美國(guó)NREL實(shí)驗(yàn)室完成，其作法是將已建立多年的電池構(gòu)造，在進(jìn)一步增量修改，并改變部分材質(zhì)。 f+ 1 l7 S39。鎘（Cd）的毒*一直是人們所關(guān)注，硫化鎘（CdS）在電池中會(huì)不會(huì)不當(dāng)外露，危害人們，并不能讓所有人放心，因此在歐洲部份國(guó)家，舍棄投入此型光電池研究。奈米技術(shù)應(yīng)用，引進(jìn)了不同思維，可能有機(jī)會(huì)，但應(yīng)用至大面積制造，其良率多少？可能是一項(xiàng)挑戰(zhàn)?！ 【C合而言，CIGS在高光電效率低材料成本的好處下，面臨三個(gè)主要困難要克服：（1）制程復(fù)雜，投資成本高；（2）關(guān)鍵原料的供應(yīng)；（3）緩沖層CdS潛在毒害。另外，美國(guó)NREL亦成功開(kāi)發(fā)一種三步驟制程（3stage process），在實(shí)驗(yàn)室非常成功，﹪光電效率的太陽(yáng)能電池。實(shí)驗(yàn)室常用的同步揮發(fā)式制程，放大不易，可能不具商業(yè)化可行*。其載體亦可使用具可撓*材質(zhì)，因此制程可以rolltoroll方式進(jìn)行。此外由于高吸光效率（α105㎝1），所需光電材料厚度不需超過(guò)1μm，99﹪以上的光子均可被吸收，因此一般粗估量產(chǎn)制造時(shí)，所需半導(dǎo)體原物料可能僅只US$。在實(shí)驗(yàn)室完成的CIGS光電池，光電效率最高可達(dá)約19﹪，就模塊而言，最高亦可達(dá)約13﹪。G7 q. T2 T5 h+ ?8 6 [, m 【銅銦鎵二硒太陽(yáng)能電池】Copper Indium Gallium Diselenide Solar Cells 此類型光電池計(jì)有兩種：一種含銅銦硒三元素（簡(jiǎn)稱CIS），一種含銅銦鎵硒四元素（簡(jiǎn)稱CIGS）。展望未來(lái)此型光電池最大的弱點(diǎn)在于其低光電轉(zhuǎn)化效率。綜合言之，在價(jià)格上不太具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的前提下，此類型光電池年產(chǎn)量再過(guò)去三年仍呈現(xiàn)快速成長(zhǎng)，2003年相較于2002年成長(zhǎng)了113﹪，預(yù)期此趨勢(shì)將持續(xù)下去。其制程采取rolltoroll的方式，但因蒸鍍速度緩慢，以及高質(zhì)量導(dǎo)電玻璃層價(jià)格高，以至其總制造成本僅略低于晶
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