【摘要】半導(dǎo)體激光器S120600661任躍功主要內(nèi)容?第一章半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識?第二章半導(dǎo)體激光器的原理?第三章半導(dǎo)體激光器的發(fā)展、運(yùn)用第一章半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識?定義:在絕對零度時(shí)無任何導(dǎo)電能力,但其導(dǎo)電性隨溫度升高呈現(xiàn)總體上升趨勢,且對光照等外部條件和材料的純度與結(jié)構(gòu)完整性(是否有缺陷)等內(nèi)
2025-05-05 04:53
【摘要】SiGeGaAs1962GaAsGaAlAs-GaAsIIIVGaAsIIVICdSIVVIPbSnTe???????????元素半導(dǎo)體半導(dǎo)體化合物半導(dǎo)體年研制出第一臺半導(dǎo)體激光器,同質(zhì)結(jié)激光器
2025-05-12 12:46
【摘要】半導(dǎo)體激光器發(fā)散角和偏振特性測量實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?、掌握半導(dǎo)體激光器遠(yuǎn)場發(fā)散角的測量方法。2、掌握半導(dǎo)體激光器偏振特性的測量方法。實(shí)驗(yàn)原理X方向(快軸),它與結(jié)平面方向垂直,又稱為橫向,發(fā)散角較大;Y方向(慢軸),為與結(jié)平面平行的方向,又稱為側(cè)向,發(fā)散角較小;出射激光的光斑即可判斷這種邊緣發(fā)
2025-05-20 20:53
【摘要】上節(jié)課回顧:1、躍遷速率與愛因斯坦關(guān)系;2、半經(jīng)典理論求解B12;3、凈受激發(fā)射的條件;4、增益系數(shù)閾值條件和增益分布此時(shí)建立起粒子數(shù)的反轉(zhuǎn)分布,吸收系數(shù)就變?yōu)樨?fù)的,半導(dǎo)體材料由光吸收介質(zhì)變成了增益媒質(zhì)。它可以使頻率處在增益帶寬范圍內(nèi)的光輻射得到放大。增益系數(shù)為:
2025-05-05 05:02
【摘要】半導(dǎo)體激光器常用參數(shù)的測定一實(shí)驗(yàn)?zāi)康模赫莆瞻雽?dǎo)體激光器常用的電學(xué)參數(shù)及其測試方法一實(shí)驗(yàn)基本原理1、普通光源的發(fā)光——受激吸收和自發(fā)輻射普通常見光源的發(fā)光(如電燈、火焰、太陽等地發(fā)光)是由于物質(zhì)在受到外來能量(如光能、電能、熱能等)作用時(shí),原子中的電子就會吸收外來能量而從低能級躍遷到高能級,即原子被激發(fā)。激發(fā)的過程是一個(gè)“受激吸收”過程。處在高能級(E2)的電子壽命很短(一般
2025-06-29 23:24
【摘要】畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)題目:半導(dǎo)體激光器溫控系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)系別:光電信息系專業(yè):光電信息工程班級:B1001042021年5月7日
2025-06-14 09:04
【摘要】實(shí)驗(yàn)一半導(dǎo)體激光器系列實(shí)驗(yàn)懷化學(xué)院物理與電子工程系一、實(shí)驗(yàn)設(shè)備介紹1.實(shí)驗(yàn)儀器序號名稱規(guī)格1半導(dǎo)體激光器及可調(diào)電源中心波長650nm,<5mW,電流0~40mA連續(xù)可調(diào)2WGD-6光學(xué)多道分析器光柵600L/mm,f=3可旋轉(zhuǎn)偏振片最小刻度值1°4旋轉(zhuǎn)臺0°~360&
2025-04-23 00:34
【摘要】畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)題目:半導(dǎo)體激光器溫控系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)系別:光電信息系專業(yè):光電信息工程班級:B1001042022年5月7日
2025-01-22 17:31
【摘要】題目:半導(dǎo)體激光器的發(fā)展與應(yīng)用學(xué)院:理專業(yè):光姓名:劉半導(dǎo)體激光器的發(fā)展與應(yīng)用摘要:激光技術(shù)自1960年面世以來便得到了飛速發(fā)展,作為激光技術(shù)中最關(guān)鍵的器件激光器的種類層出不窮,這其中發(fā)展最為迅速,應(yīng)用作為廣泛的便是半導(dǎo)體激
2025-06-22 14:50
【摘要】優(yōu)秀畢業(yè)設(shè)計(jì)半導(dǎo)體激光器的溫控電路分析摘要半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生受激發(fā)射作用的器件。其工作原理是通過一定的激勵(lì)方式,在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶(導(dǎo)帶與價(jià)帶)之間,或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)(受主或施主)能級之間,實(shí)現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉(zhuǎn),當(dāng)處于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)狀態(tài)的大量電子與空穴復(fù)合時(shí),便產(chǎn)生受激發(fā)射作用。本文首先闡述了半導(dǎo)體激光器的基本結(jié)構(gòu),通常激光器都是由三部
2025-06-30 19:35
【摘要】上節(jié)課回顧:半導(dǎo)體激光器的制備流程;半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)要求?機(jī)械穩(wěn)定性;?電連接;?散熱問題;以50%電光轉(zhuǎn)換效率計(jì)算,一個(gè)典型的中等功率50W/bar,腔長為1mm,熱流密度為500W/cm2,電流密度1000A/cm2以每個(gè)發(fā)光單元2W,有源區(qū)尺寸1um
2024-08-17 22:29
【摘要】半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電源設(shè)計(jì)目錄摘要 1Abstract 21前言 32系統(tǒng)方案論證與及技術(shù)路線 4 4 43模擬電路部分的系統(tǒng)方案設(shè)計(jì) 5 5 6 103.3短路保護(hù)電路 143.4延時(shí)軟啟動 14 15限流保護(hù)電路 164數(shù)字電路部分的系統(tǒng)方案設(shè)計(jì) 18 18 22 22 23A/D轉(zhuǎn)換電
2025-07-04 09:33
【摘要】半導(dǎo)體激光器光刻工藝?yán)瞽Z半導(dǎo)體激光器光刻工藝?光刻工藝步驟?808大功率激光器光刻流程?光刻質(zhì)量要求光刻工藝步驟以正型光刻膠為例:808大功率激光器光刻工藝?工藝步驟:外延材料生長?一次光刻(腐蝕臺面)?介質(zhì)膜生長?二次光刻(腐蝕介質(zhì)膜)
2025-05-05 04:29
【摘要】1引言GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn),是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料,并與SiC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。GaN是極穩(wěn)定的化合物,又是堅(jiān)硬的高熔點(diǎn)材料,熔點(diǎn)約為1700℃,GaN具有高的電離度,在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的()。在大氣壓力下,GaN晶體
2025-05-19 22:26
【摘要】半導(dǎo)體激光器輸出特性的影響因素半導(dǎo)體激光器是一類非常重要的激光器,在光通信、光存儲等很多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。下面我將探討半導(dǎo)體激光器的波長、光譜、光功率、激光束的空間分布等四個(gè)方面的輸出特性,并分析影響這些輸出特性的主要因素。1.波長半導(dǎo)體激光器的發(fā)射波長是由導(dǎo)帶的電子躍遷到價(jià)帶時(shí)所釋放出的能量決定的,這個(gè)能量近似等于禁帶寬度Eg(eV)。hf=Egf(H
2025-07-02 03:36