【正文】 01HR2 0 0 1 0 02HR3 0 0 1 1 03HR4 0 1 0 0 04HR5 0 1 0 1 05HR14 1 1 1 0 0EHR15 1 1 1 1 0FH寄存器列陣包含8個(gè)8位寄存器R0～R5和R1R15。增強(qiáng)型波形又稱三次諧波，它可以使輸出功率提高20%，三相諧波互相抵消，防止電動(dòng)機(jī)發(fā)熱。片內(nèi)ROM存有3種可供選擇的波形，它們是純正弦波形、增強(qiáng)型波形和高效型波形（）。通過脈沖延遲電路生成死區(qū)，保證任何橋臂上的兩個(gè)開關(guān)管不會(huì)在狀態(tài)轉(zhuǎn)換期間短路。外部時(shí)鐘輸入經(jīng)分頻器分成設(shè)定的頻率，并生成三角形載波，三角載波與所選定的片內(nèi)ROM中的調(diào)制波形進(jìn)行比較，自動(dòng)生成SPWM輸出脈沖。來自單片機(jī)的數(shù)據(jù)通過總線控制和譯碼進(jìn)入初始化寄存器或控制器。它有12mA的驅(qū)動(dòng)能力，可直接驅(qū)動(dòng)一個(gè)LED 指示燈；ZPPR：該引腳輸出調(diào)制波頻率；WSS：該引腳輸出采樣波形。（2）輸出類引腳說明：RPHB、YPHB、BPHB：這些引腳通過驅(qū)動(dòng)電路控制逆變橋的R、Y、B 相的下臂開關(guān)管；RPHT、YPHT、BPHT：這些引腳通過驅(qū)動(dòng)電路控制逆變橋的R、Y、B相的上臂開關(guān)管；它們都是標(biāo)準(zhǔn)的TTL輸出，每一個(gè)輸出都有12mA 的驅(qū)動(dòng)能力，可直接驅(qū)動(dòng)6個(gè)EXB840 快速型IGBT 專用驅(qū)動(dòng)模塊。CS ：片選引腳，與微機(jī)系統(tǒng)的輸出端相連。CLK：時(shí)鐘輸入端，SA4828 既可以單獨(dú)外接時(shí)鐘，也可以與單片機(jī)共用時(shí)鐘；MUX：用于總線選擇。SET TRIP：通過該引腳，可以快速關(guān)斷全部SPWM信號(hào)輸出，當(dāng)其有效時(shí)，TRIP端輸出高電平，指示燈亮。芯片的主要特性是：全數(shù)字控制；兼容Intel和Motorola系列的單片機(jī)；載波頻率最高可達(dá)24kHz；輸出調(diào)制波頻率范圍為0～4kHz；16位調(diào)速分辨率；8位調(diào)壓分辨率；內(nèi)部ROM固化3種可選波形；可設(shè)定死區(qū)時(shí)間和刪除最小脈寬；可實(shí)現(xiàn)正反轉(zhuǎn)控制；可以單獨(dú)設(shè)定各相的輸出電壓幅值以適應(yīng)不平衡負(fù)載；有看門狗定時(shí)器。它采用28引腳，分DIP和SOIC兩種封裝。在掉電模式下，保存RAM的內(nèi)容并且凍結(jié)振蕩器，禁止所用其他芯片功能，直到下一個(gè)硬件復(fù)位為止。在閑置模式下，CPU停止工作。在芯片擦操作中，代碼陣列全被寫“1”且在任何非空存儲(chǔ)字節(jié)被重復(fù)編程以前，該操作必須被執(zhí)行。有余輸入至內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)要通過一個(gè)二分頻觸發(fā)器，因此對(duì)外部時(shí)鐘信號(hào)的脈寬無任何要求，但必須保證脈沖的高低電平要求的寬度。石晶振蕩和陶瓷振蕩均可采用。 振蕩器特性： 　　XTAL1和XTAL2分別為反向放大器的輸入和輸出。 　　XTAL1：反向振蕩放大器的輸入及內(nèi)部時(shí)鐘工作電路的輸入。注意加密方式1時(shí)，/EA將內(nèi)部鎖定為RESET；當(dāng)/EA端保持高電平時(shí)，此間內(nèi)部程序存儲(chǔ)器。但在訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)，這兩次有效的/PSEN信號(hào)將不出現(xiàn)。 　　/PSEN：外部程序存儲(chǔ)器的選通信號(hào)。另外，該引腳被略微拉高。如想禁止ALE的輸出可在SFR8EH地址上置0。因此它可用作對(duì)外部輸出的脈沖或用于定時(shí)目的。在FLASH編程期間，此引腳用于輸入編程脈沖。當(dāng)振蕩器復(fù)位器件時(shí)，要保持RST腳兩個(gè)機(jī)器周期的高電平時(shí)間?！　3口也可作為AT89C51的一些特殊功能口，如下所示： 　　 RXD（串行輸入口） 　　 TXD（串行輸出口） 　　 /INT0（外部中斷0） 　　 /INT1（外部中斷1） 　　 T0（記時(shí)器0外部輸入） 　　 T1（記時(shí)器1外部輸入） 　　 /WR（外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通） 　　 /RD（外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通） 　　P3口同時(shí)為閃爍編程和編程校驗(yàn)接收一些控制信號(hào)。當(dāng)P3口寫入“1”后，它們被內(nèi)部上拉為高電平，并用作輸入。P2口在FLASH編程和校驗(yàn)時(shí)接收高八位地址信號(hào)和控制信號(hào)。P2口當(dāng)用于外部程序存儲(chǔ)器或16位地址外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行存取時(shí)，P2口輸出地址的高八位。并因此作為輸入時(shí)，P2口的管腳被外部拉低，將輸出電流。在FLASH編程和校驗(yàn)時(shí)，P1口作為第八位地址接收。 　　P1口：P1口是一個(gè)內(nèi)部提供上拉電阻的8位雙向I/O口，P1口緩沖器能接收輸出4TTL門電流。 P0能夠用于外部程序數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，它可以被定義為數(shù)據(jù)/地址的第八位。 P0口：P0口為一個(gè)8位漏級(jí)開路雙向 I/O口，每腳可吸收8TTL門電流。片內(nèi)振蕩器和時(shí)鐘電路 89C51仿真芯片圖 管腳說明： VCC：供電電壓?？删幊檀型ǖ?　　兩個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器 　　128*8位內(nèi)部RAM 　　全靜態(tài)工作：0Hz24Hz 　　壽命：1000寫/擦循環(huán) 　　與MCS51 兼容 　　 VNC（與直流母線,光耦副邊共地） 28：VN1（控制電源正極） 29：NC（不接） 30：NC（不接） 31：P（直流母線正極） 32：U（U組輸出） 33：V（V組輸出） 34：W（W組輸出） 35：N：（與直流母線地之間串取樣電阻） 三菱PS21564芯片圖 89C51主控制模塊89C51是一種帶4K字節(jié)閃爍可編程可擦除只讀存儲(chǔ)器（FPEROM—Falsh Programmable and Erasable Read Only Memory）的低電壓，高性能CMOS8位微處理器，俗稱單片機(jī)。 CFO（故障延時(shí)設(shè)置） 26: WN（W組下橋信號(hào)輸入） 24: UN（U組下橋信號(hào)輸入） 22: 13：VWFS（V組驅(qū)動(dòng)電源地） 14： NC（不接） 15：VWFB (W組驅(qū)動(dòng)電源正極) 16：VP1（控制電源正極） 17：NC（不接） 18：WP（W組信號(hào)輸入） 19：NC（不接） 20: 12：VP（V組信號(hào)輸入） 11：NC(不接) 6：UP（U組信號(hào)輸入） 5：NC（不接） 3：VUFB（U組驅(qū)動(dòng)電源正 極） IPM相關(guān)參數(shù)PS21564P 、PS21564SP 智能IPM功率模塊控制端口定義：1：VUFS（U組驅(qū)動(dòng)電源地）電機(jī)電流最大峰值可由下式計(jì)算： ()式中：P＝電機(jī)功率(W)；　　　OL＝變頻器最大過載系數(shù)；　　　λ＝電流脈動(dòng)因數(shù)；　　　η＝變頻器的效率；　　　F＝功率因數(shù)；　　　VAC＝交流線電壓(V)。下表是根據(jù)OC動(dòng)作數(shù)值和電機(jī)峰值電流而給出的交流220V電機(jī)推薦使用的IPM類型。選型時(shí)，根據(jù)IPM的過流動(dòng)作數(shù)值以確定峰值電流及適當(dāng)?shù)臒嵩O(shè)計(jì)以保證結(jié)溫峰值永遠(yuǎn)小于最大結(jié)溫額定值，使基板的溫度永遠(yuǎn)低于過熱動(dòng)作數(shù)值。PWM隔離光耦可選用HCPIA503型、HCPIA504型、PS204l型(NEC)等高速光耦，(圖中未畫出)。R2根據(jù)IPM驅(qū)動(dòng)電流選值，一方面應(yīng)盡可能小以避免高阻抗IPM拾取噪聲，另一方面又要足夠可靠地控制IPM。15V電源，且接1只10μF的退耦電容器(圖中未畫出)以濾去共模噪聲。來自控制電路的PWM信號(hào)經(jīng)R1限流．再經(jīng)高速光耦隔離并放大后接IPM內(nèi)部驅(qū)動(dòng)電路并控制開關(guān)管工作，F(xiàn)O信號(hào)也經(jīng)過光耦隔離輸出。由于IPM內(nèi)置了驅(qū)動(dòng)電路，與IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相比，外圍驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)比較方便，只要能提供15V直流電壓即可。 IPM驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 現(xiàn)以PM100DSA120為例進(jìn)行介紹。 IGBT的分立式驅(qū)動(dòng)電路中分立元件多，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，保護(hù)功能比較完善的分立電路就更加復(fù)雜，可靠性和性能都比較差，因此實(shí)際應(yīng)用中大多數(shù)采用集成式驅(qū)動(dòng)電路。 IGBT集成式驅(qū)動(dòng)電路 假定開通驅(qū)動(dòng)時(shí)，在上升時(shí)間tr內(nèi)線性地對(duì)MOSFET輸入電容Cin充電，則驅(qū)動(dòng)電流為Igt＝CinUgs/tr，其中可取tr＝，R為輸入回路電阻。前者的缺陷是將增加等效輸入電容Cin，從而影響開關(guān)速度，后者的缺陷是將減小輸入阻抗，增大驅(qū)動(dòng)電流，使用時(shí)應(yīng)根據(jù)需要取舍。 IGBT的分立驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì) IGBT的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)問題亦即MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)問題，設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：①IGBT柵極耐壓一般在177。 IPM驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì) 過流、短路、過熱保護(hù)動(dòng)作都是非常惡劣的運(yùn)行狀況，應(yīng)避免其反復(fù)動(dòng)作，因此僅靠IPM內(nèi)部保護(hù)電路還不能完全實(shí)現(xiàn)器件的自我保護(hù)。 當(dāng)IPM發(fā)生UV、OC、OT、SC中任一故障時(shí)，其故障輸出信號(hào)持續(xù)時(shí)間FO為1．8ms(SC持續(xù)時(shí)間會(huì)長一些)，此時(shí)間內(nèi)IPM會(huì)封鎖門極驅(qū)動(dòng)，關(guān)斷IPM。為縮短過流保護(hù)的電流檢測(cè)和故障動(dòng)作間的響應(yīng)時(shí)間，IPM內(nèi)部使用實(shí)時(shí)電流控制電路(RTC)，使響應(yīng)時(shí)間小于100ns，從而有效抑制了電流和功率峰值，提高了保護(hù)效果。 (4)短路保護(hù)(SC)：若負(fù)載發(fā)生短路或控制系統(tǒng)故障導(dǎo)致短路，流過IGBT的電流值超過短路動(dòng)作電流，則立刻發(fā)生短路保護(hù)，封鎖門極驅(qū)動(dòng)電路，輸出故障信號(hào)。為避免發(fā)生過大的di/dt，大多數(shù)IPM采用兩級(jí)關(guān)斷模式。 (2) 過溫保護(hù)(OT)：在靠近IGBT芯片的絕緣基板上安裝了一個(gè)溫度傳感器，當(dāng)IPM溫度傳感器測(cè)出其基板的溫度超過溫度值時(shí)，發(fā)生過溫保護(hù)，封鎖門極驅(qū)動(dòng)電路，輸出故障信號(hào)。 保護(hù)電路可以實(shí)現(xiàn)控制電壓欠壓保護(hù)、過熱保護(hù)、過流保護(hù)和短路保護(hù)。 IPM內(nèi)置的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路使系統(tǒng)硬件電路簡(jiǎn)單、可靠，縮短了系統(tǒng)開發(fā)時(shí)間，也提高了故障下的自保護(hù)能力。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。 IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級(jí)驅(qū)動(dòng)及