勵磁系統(tǒng)選型計算書-文庫吧資料
2025-06-26 06:18本頁面
【正文】 護配置通常，勵磁系統(tǒng)配置的過壓保護有整流橋交流側(cè)過電壓保護（浪涌吸收）；整流橋直流側(cè)過電壓保護（可控硅換相過電壓吸收）；轉(zhuǎn)子反相過電壓吸收；非全相及大滑差過電壓保護。注3：選取時，保證快熔的I2t數(shù)值小于可控硅元件的I2t數(shù)值。注1： IRN 時4小時內(nèi)不會熔斷，在6 IRN時20ms就能熔斷。快熔標稱電壓：U=（～）U24．3 額定電流的選擇快速熔斷器的額定電流（有效值）應按下式進行計算：IR ≤（IRN=IRK= IfnK）≤（適用于單臂單快熔）IR ≤（IRN=IRK= IfnK）≤（適用于單相單快熔） 其中：IR為額定勵磁時流經(jīng)每個橋臂的電流有效值，IR=Ifn （）Ifn為系統(tǒng)額定勵磁電流K為綜合系數(shù)，為裕度系數(shù)、散熱經(jīng)驗系數(shù)，風速修正系數(shù)，環(huán)境溫度系數(shù)的綜合，~。4 快速熔斷器選用計算4．1 電路形式的確定 在以往的設計中，我們主要選擇每臂一個快熔的三相全控整流電路，但在小勵磁系統(tǒng)中選用每相一個快熔的三相全控整流電路。實際按N1原則考慮，選并聯(lián)整流橋數(shù)為2。計算時，Ka取2，若np1=（ ） 1，則每臂選用單只可控硅元件滿足要求（在我們現(xiàn)有的設計中都是單柜單臂單元件結(jié)構），否則就要考慮重新選擇可控硅。（科大創(chuàng)新計算方法：單柜額定輸出電流/）（洪山計算方法：3***額定勵磁電流）（南瑞計算方法：單柜額定輸出電流/）3 整流橋并聯(lián)支路計算3．1整流橋額定電流的確定設計原則：整流橋的額定電流是根據(jù)可控硅及其散熱組件在一定的條件下，影響可控硅發(fā)熱安全的電流極限，在選擇整流橋時，在整流橋的發(fā)熱計算設計時已充分考慮強勵20秒的運行要求，因此：單整流橋額定電流應≥額定勵磁電流實際設計單柜額定電流為（ ）A3．1整流橋的并聯(lián)元件數(shù)： 整流橋的并聯(lián)元件數(shù)可根據(jù)下式計算：其中：為電流裕量系數(shù)；為單柜最大連續(xù)電流值。接線組別：Y/△11，或△/ Y11額定容量： kVA 原邊電壓： kV副邊電
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