電力電子課程設計-文庫吧資料
2025-06-22 14:32本頁面
【正文】 越大，要求紋波系數(shù)越小，一般不做嚴格計算，多取2000 μF以上。(3) 輸出功率為100W,所以負載電阻R==1156Ω，取1200Ω；負載電流=/ =,電源電流=(α)/β= A。 圖36 過壓保護電路圖37 過壓保護電路 參數(shù)計算由設計要求可取直流輸入電壓=50V, =340V, 則:(1) 占空比α=150/340=.(2) 交流側(cè)二次電壓有效值=/=。 保護電路升壓斬波電路需同時具有過壓和過流保護功能，分別如圖36，37所示，均采用反饋控制,將過流過壓信號反饋到芯片SG3525的輸入，從而起到調(diào)節(jié)保護作用。此電路具有信號穩(wěn)定，安全可靠等優(yōu)點。輸出的PWM信號通過二極管DD7送至光電耦合器U2，光耦后通過驅(qū)動電路對信號進行放大。其電路圖如下圖 35所示：圖35 控制和驅(qū)動電路原理圖工作原理：通過RRC3結合SG3525產(chǎn)生鋸齒波輸入到SG3525的振蕩器。它還具有高抗干擾能力，是一款性價比相當不錯的工業(yè)級芯片。產(chǎn)生PWM信號有很多方法，但歸根到底不外乎直接產(chǎn)生PWM的專用芯片、單片機、PLC、就能產(chǎn)生特定頻率的PWM波，通過改變IN+輸入電阻就能改變輸出PWM波的占空比，故在IN+端接個可調(diào)電阻就能實現(xiàn)PWM控制。根據(jù)系統(tǒng)的動態(tài)、靜態(tài)特性要求，在誤差放大器的輸出腳9 和腳1 之間一般要添加適當?shù)姆答佈a償網(wǎng)絡。腳1 及腳2 分別為芯片內(nèi)部誤差放大器的反相輸入端、同相輸入端。腳腳腳7 內(nèi)有一個雙門限比較器，內(nèi)設電容充放電電路，加上外接的電阻電容電路共同構成SG3525 的振蕩器。其中，腳16 為SG3525 的基準電壓源輸出，精度可以達到（177。G1為IGBT，D1為電力二極管，L2為電感，C1為電容，R1為負載。右邊為斬波電壓輸出，J2為測試點。應為輸出電壓比較大，故斬波器件選用能夠承受大電壓和導通內(nèi)阻小，開關頻率高，開關時間小的大功率IGBT管。結合兩種元器件的特性，組成上圖整流電路，可以得到比較理想的直流電壓（幅值為50V左右）。電感具有電流不能突變，通直流阻交流特性，因此串聯(lián)一個電感可以提高直流電壓品質(zhì)。當同名端為正時DD5導通，DD4截止，電壓上正下負。本電路采用RL低通濾波器（通過串聯(lián)一個電感，濾除電流的高次諧波，并聯(lián)一個電容濾除電壓的高次諧波），以減小紋波。第3章 單元電路的設計 直流供電電路生活中現(xiàn)有的都為交流電，所以斬波電路的輸入電壓需由交流電經(jīng)整流得到。而PWM接口驅(qū)動能力及其與IGBT的接口電路的設計直接影響到系統(tǒng)工作的可靠性。IGBT 的控制、驅(qū)動及保護電路等應與其高速開關特性相匹配，另外，在未采取適當?shù)姆漓o電措施情況下，IGBT的G～E極之間不能為開路。RG的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動電路的結構及IGBT 的容量有關，一般在幾歐～幾十歐，小容量的IGBT 其RG值較大。(3)門極電路中的正偏壓應為+12～+15V；負偏壓應為2V～10V。(2)用低內(nèi)阻的驅(qū)動源對門極電容充放電，以保證門及控制電壓有足夠陡峭的前、后沿，使IGBT的開關損耗盡量小。將升壓比的倒數(shù)記作β，即。也稱之為boost chooper變換器。設V通的時間為，此階段L上積蓄的能量為V斷時，E和L共同向C充電并向負載R供電。本次設計采用的是脈寬調(diào)制的方法，開關選用全控型器件IGBT，它集中了電力MOSFET和GTR得優(yōu)點。（2）頻率調(diào)制：開關導通時間ton不變，改變開關周期T。通過這次課程設計，使我更好的掌握了課本的知識和熟悉了軟件的使用，并且掌握了SG3525芯片的應用，更了解了升壓斬波電路性能指標要求及分析計算，同時也掌握了文檔的制作。第二：用MATLAB對設計出來的電路仿真，即運用SIMULINK工具箱對電路建模仿真，得到預期的電壓輸出波形。 本人的主要工作在這次課程設計中，我主要完成了三件事。 (4) 電力電子智能化的進展，在一定程
化學相關推薦
鄂ICP備17016276號-1