【摘要】dww電子電力課后習(xí)題答案(王兆安第五版)機(jī)械工業(yè)出版社第一章電力電子器件使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?答:使晶閘管導(dǎo)通的條件是:晶閘管承受正相陽極電壓,并在門極施加觸發(fā)電流(脈沖)。或者UAK0且UGK0維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷?答:維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大
2024-11-11 09:43
【摘要】目錄第1章電力電子器件··························
2024-11-12 00:24
【摘要】目錄第1章電力電子器件 1第2章整流電路 4第3章直流斬波電路 20第4章交流電力控制電路和交交變頻電路 26第5章逆變電路 31第6章PWM控制技術(shù) 35第7章軟開關(guān)技術(shù) 40第8章組合變流電路 42第1章電力電子器件1.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?
2025-06-30 00:21
【摘要】目錄第1章電力電子器件2222222221第2章整流電路222222222224第3章直流斬波電
2024-11-25 10:06
【摘要】目錄第1章電力電子器件·················
2024-10-26 13:09
【摘要】目錄第1章電力電子器件 1第2章整流電路 4第3章直流斬波電路 20第4章交流電力控制電路和交交變頻電路 26第5章逆變電路 31第6章PWM控制技術(shù) 35第7章軟開關(guān)技術(shù) 40第8章組合變流電路 42第1章電力電子器件1.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?答:
2025-06-24 13:41
【摘要】第1章電力電子器件1.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?答:使晶閘管導(dǎo)通的條件是:晶閘管承受正向陽極電壓,并在門極施加觸發(fā)電流(脈沖)?;颍簎AK0且uGK0。2.維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷?答:維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流,即維持電流。要使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷,可利用外加電壓和外電
【摘要】電力電子技術(shù)答案2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。P區(qū)和N區(qū)之間多了一層低摻雜N區(qū),也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可以承受很高的電壓
2024-11-12 04:06
【摘要】目錄第1章電力電子器件···························
2024-11-06 07:31
【摘要】第2章電力電子器件3.圖1-43中陰影部分為晶閘管處于通態(tài)區(qū)間的電流波形,各波形的電流最大值均為Im,試計(jì)算各波形的電流平均值Id1、Id2、Id3與電流有效值I1、I2、I3。圖1-43晶閘管導(dǎo)電波形解:a)Id1==()ImI1==Imb)Id2==()ImI2==c)
2025-06-24 13:36
【摘要】第3章直流斬波電路1.簡述圖3-1a所示的降壓斬波電路工作原理。答:降壓斬波器的原理是:在一個(gè)控制周期中,讓V導(dǎo)通一段時(shí)間ton,由電源E向L、R、M供電,在此期間,uo=E。然后使V關(guān)斷一段時(shí)間toff,此時(shí)電感L通過二極管VD向R和M供電,uo=0。一個(gè)周期內(nèi)的平均電壓Uo=。輸出電壓小于電源電壓,起到降壓的作用。2.在圖3-1a所示的降壓斬波電路中,已知E=
【摘要】1.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?答:使晶閘管導(dǎo)通的條件是:晶閘管承受正向陽極電壓,并在門極施加觸發(fā)電流(脈沖)?;颍簎AK0且uGK0。2.維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷?答:維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流,即維持電流。要使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷,可利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到
2025-06-24 13:42
【摘要】電力電子技術(shù)第五版答案僅供參考學(xué)習(xí)2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。P區(qū)和N區(qū)之間多了一層低摻雜N區(qū),也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜
2024-11-06 07:30
【摘要】第一章電力電子器件圖1-43中陰影部分為晶閘管處于通態(tài)區(qū)間的電流波形,各波形的電流最大值均為Im,試計(jì)算各波形的電流平均值Id1、Id2、Id3與電流有效值I1、I2、I3。解:a)Id1=I1=b)Id2=I2=c)
2025-06-29 20:12
【摘要】........目錄第1章電力電子器件 1第2章整流電路 4第3章直流斬波電路 20第4章交流電力控制電路和交交變頻電路 26第5章逆變電路 31第6章PWM控制技術(shù) 35第7章
2025-06-27 23:43