聲光顯示智力競(jìng)賽搶答器-文庫(kù)吧資料
2025-06-02 23:56本頁(yè)面
【正文】 得到緩沖,增加了數(shù)據(jù)輸入的可靠性。AT89C51的各引腳功能情況為:P1 口( P110～P117) 8 個(gè)引腳,P117 為最高位, P110 為最低位。從圖2 中可以看出,鍵盤(pán)部分包括14個(gè)按鈕位置,分別為begin開(kāi)始搶答,rest復(fù)位鍵,time adj 搶答時(shí)間與允許答題時(shí)間調(diào)節(jié), time sub 時(shí)間減, time add 時(shí)間加,XS1～XS9 選手搶答按鈕,各按鈕實(shí)現(xiàn)不同的功能。2. 鍵盤(pán)部分鍵盤(pán)是單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)最常用的輸入設(shè)備,操作人員可以通過(guò)鍵盤(pán)向單片機(jī)系統(tǒng)輸入指令、地址和數(shù)據(jù),實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的人機(jī)通信。在掉電模式下，保存RAM的內(nèi)容并且凍結(jié)振蕩器，禁止所用其他芯片功能，直到下一個(gè)硬件復(fù)位為止。在閑置模式下，CPU停止工作。在芯片擦操作中，代碼陣列全被寫(xiě)“1”且在任何非空存儲(chǔ)字節(jié)被重復(fù)編程以前，該操作必須被執(zhí)行。XTAL2：來(lái)自反向振蕩器的輸出。在FLASH編程期間，此引腳也用于施加12V編程電源（VPP）。 /EA/VPP：當(dāng)/EA保持低電平時(shí)，則在此期間外部程序存儲(chǔ)（0000HFFFFH），不管是否有內(nèi)部程序存儲(chǔ)器。在由外部程序存儲(chǔ)器取指期間，每個(gè)機(jī)器周期兩次/PSEN有效。如果微處理器在外部執(zhí)行狀態(tài)ALE禁止，置位無(wú)效。此時(shí)， ALE只有在執(zhí)行MOVX，MOVC指令是ALE才起作用。然而要注意的是：每當(dāng)用作外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)，將跳過(guò)一個(gè)ALE脈沖。在平時(shí)，ALE端以不變的頻率周期輸出正脈沖信號(hào)，此頻率為振蕩器頻率的1/6。 ALE/PROG：當(dāng)訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器時(shí)，地址鎖存允許的輸出電平用存地址的地位字節(jié)。 RST：復(fù)位輸入。作為輸入，由于外部下拉為低電平，P3口將輸出電流（ILL）這是由于上拉的緣故。 P3口：P3口管腳是8個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的雙向I/O口，可接收輸出4個(gè)TTL門(mén)電流。在給出地址“1”時(shí)，它利用內(nèi)部上拉優(yōu)勢(shì)，當(dāng)對(duì)外部八位地址數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫(xiě)時(shí)，P2口輸出其特殊功能寄存器的內(nèi)容。這是由于內(nèi)部上拉的緣故。 P2口：P2口為一個(gè)內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口，P2口緩沖器可接收，輸出4個(gè)TTL門(mén)電流，當(dāng)P2口被寫(xiě)“1”時(shí)，其管腳被內(nèi)部上拉電阻拉高，且作為輸入。P1口管腳寫(xiě)入1后，被內(nèi)部上拉為高，可用作輸入，P1口被外部下拉為低電平時(shí)，將輸出電流，這是由于內(nèi)部上拉的緣故。在FIASH編程時(shí)，P0 口作為原碼輸入口，當(dāng)FIASH進(jìn)行校驗(yàn)時(shí)，P0輸出原碼，此時(shí)P0外部必須被拉高。當(dāng)P1口的管腳第一次寫(xiě)1時(shí)，被定義為高阻輸入。 GND：接地。89C51單片機(jī)為很多嵌入式控制系統(tǒng)提供了一種靈活性高且價(jià)廉的方案。該器件采用ATMEL高密度非易失存儲(chǔ)器制造技術(shù)制造，與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的MCS51指令集和輸出管腳相兼容。89C51是一種帶2K字節(jié)閃爍可編程可擦除只讀存儲(chǔ)器的單片機(jī)。根據(jù)以上分析，方案一的缺陷是不能夠精確的判斷搶答者的對(duì)象，并且在一些場(chǎng)合揚(yáng)聲器容易壞掉，可能好多的時(shí)候不能發(fā)聲，為了更好的精確比賽規(guī)則等條件，所以將選用方案二完成本次設(shè)計(jì)。當(dāng)選手將問(wèn)題回答完畢時(shí)，主持人操作控制開(kāi)關(guān)，使系統(tǒng)恢復(fù)到禁止工作狀態(tài)，
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