晶體三極管ppt課件-文庫吧資料
2025-05-18 08:54本頁面
【正文】 ICEO=（ 1+ ） ICBO 2. 極間反向電流ICEO (1) 集電極基極間反向飽和電流 ICBO 發(fā)射極開 路時，集電結(jié)的反向飽和電流。放大區(qū)： iC平行于 vCE軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。iC=f(vCE)? iB=const2. 輸出特性曲線輸出特性曲線的三個區(qū)域 : BJT的 特性曲線截止區(qū)： iC接近零的區(qū)域，相當(dāng) iB=0的曲線的下方。1. 輸入特性曲線 BJT的 特性曲線（以共射極放大電路為例）(3) 輸入特性曲線的三個部分① 死區(qū) ② 非線性區(qū)③ 線性區(qū) 1. 輸入特性曲線 BJT的 特性曲線飽和區(qū)： iC明顯受 vCE控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)，一般 vCE＜ (硅管 )。 BJT的 電流分配與放大原理vCE = 0V+bce共射極放大電路VBBVCCvBEiCiB +vCE iB=f(vBE)? vCE=const(2) 當(dāng) vCE≥1V時， vCB= vCE vBE0， 集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開始收 集電子，基區(qū)復(fù)合減少，同樣的 vBE下 IB減小，特性曲線右移。實現(xiàn)這一傳輸過程的兩個條件是：（ 1） 內(nèi)部條件： 發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，且基區(qū)很薄。共基極接法 ， 基極作為公共電極，用 CB表示。一般 ? = ?IE=IB+ IC載流子的傳輸過程根據(jù) ? 是另一個電流放大系數(shù)， 同樣，它也只與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān)，與外加電壓無關(guān)?；?BJT (Bipolar Junction Transistor)。 外部條件： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 發(fā)射區(qū) 集電區(qū)基區(qū)三極管符號 結(jié)構(gòu)特點：? 發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高；? 集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且
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