光伏薄膜沉積ppt課件-文庫吧資料
2025-05-12 03:48本頁面
【正文】 將光阻去除後，使用蝕刻液對晶圓作濕蝕刻製 程，蝕刻至略比懸臂樑厚度稍厚。 RIE 是利用電漿對不同的材料做非等向性的蝕 刻，以本製程為例使用 O2及 CF4氣體，以適 當的流量蝕刻 SiO2及 Si3N4，蝕刻時間與流 量及阻擋層厚度有關。最後的顯影液需要做適當的 調配，其所需之顯影時間，可用顯微鏡觀察光 阻有無去除乾淨，來決定曝光的時間長短。 Etching Masking（蝕刻阻擋層） 將光阻旋塗於晶圓表面，光阻所需之厚度與光 阻之種類和製程有關聯(lián)，在製作時必須考量此 點，且重複的測試，並以所設計之第一道光罩 加以曝光及顯影，做出濕蝕刻所需之窗口。C. and is predominantly (100) for substrate temp, 650~700176。C, grains are fine and equiaxed ? 625 176。C, produces amorphous film ? 100% SiH4 source gas, 100 mtorr, temp 570176。/min (630 176。C ? High energy electrons break the chemical bonds and ionize the molecules of the layer material. ? Better deposition rate and uniformity ? Metal Organic CVD (MOCVD) ? 將氫化物（如砷化三氫）或有機金屬聚合物（三聚乙基鎵）的反應氣體，於流場通過試片置放處進行薄膜沈積 CVD薄膜材料與沈積方式 ? CVD常用材料 ? 二氧化矽 (SiO2)：蝕刻阻擋層、隔離層 、 防護層、犧牲層 ? 磷矽玻璃 (PSG)：防護層 (如防水氣 )、 犧牲層 ? 多晶矽 (Polycrystalline Silicon)：作為結構層 ? 氮化矽 (Si3N4): 蝕刻保護層 ? 碳化矽 (Silicon Carbide):作為結構層 ? 鎢 (W)：導體 Polysilicon ? LPCVD: source gas SiH4(矽甲烷， silane), 570650176。C) and toxic gases Various type of CVD ? Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition (APCVD) ? 通常用來沈積磊晶矽及複合半導體材料 ? 在 300～ 450186。C（標準製程溫度） ? 速度較慢但電性較佳，故在半導體產業(yè)中較常用 SiO2製作 Thin Film Techniques PLD ? Physical Layer Deposition（物理層沈積） ? 高硬度、耐腐蝕、美觀 ? Vapor Deposition(蒸鍍 ) ? High temperature （接近熔點） in a vacuum chamber ? Poor layer adhesion ? Sputtering(濺度 ) ? Magron sputtering ? Reactive sputtering ? Better layer adhesion Physical Vapor Deposition (PVD) ? PVD依不同加熱源蒸鍍法可分為 ? 真空蒸鍍法、電子束蒸鍍法（常用）、雷射束蒸鍍法 ? 真空蒸鍍法 ? Vacuum chamber ? 電流通過坩堝加熱蒸鍍源至接近熔點 ? 蒸鍍源侷限於如鋁之低熔點金屬 ? 缺點：坩堝因被加熱，故可能造成 沈積材料污染 Physical Vapor Deposition (PVD) ? 電子束蒸鍍法 (Electron Beam Evapora
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