led基礎(chǔ)知識(shí)及外延工藝-文庫吧資料
2025-05-02 12:56本頁面
【正文】 超晶格結(jié)構(gòu)發(fā)光層，主要由阱與壘反復(fù)疊加構(gòu)成。 反射率曲線將保持正弦曲線震蕩。 五、典型 LED外延結(jié)構(gòu) 2. uGaN 3E Semiconductor Create the Light, Light the World 在 uGaN之上生長 nGaN做為電子注入層。 ? 隨著外延表面趨于平整，反射率將開始上升。 2. uGaN 典型 LED外延結(jié)構(gòu) 3E Semiconductor Create the Light, Light the World ? U2層 (Recover)，此時(shí)使外延從 3D生長向 2D生長轉(zhuǎn)變。此時(shí)反射率將降至 0附近。此時(shí)反射率將下降至襯底本身的反射率水平。 典型 LED外延結(jié)構(gòu) 1. Buffer 3E Semiconductor Create the Light, Light the World ? U1層 (Rough)，形成結(jié)晶質(zhì)量較高的晶核，并以之為中心形成島狀生長。 ? 目前通用的是低溫 GaN緩沖層技術(shù)。由于晶格失配，此時(shí) GaN結(jié)晶質(zhì)量較差。 3E Semiconductor Create the Light, Light the World ? 由于襯底 （ Al203）與 GaN材料的晶格失配較大，故在生長 GaN之前需要生長一層薄薄的緩沖層，我們將其稱為 Buffer層。 MOCVD反應(yīng)的基本原理 MOCVD簡介 3E Semiconductor Create the Light, Light the World Ga(CH3)3 + NH3 = GaN +3CH4 表面反應(yīng)原理 MOCVD簡介 3E Semiconductor Create the Light, Light the World ? 常用 MO源： ? TMGa （三甲基鎵，液態(tài)） ? TMAl （三甲基鋁，液態(tài)） ? TMIn （三甲基銦，固態(tài)，現(xiàn)已有液態(tài)） ? TEGa （三乙基鎵，液態(tài)） ? Cp2Mg（二茂基鎂，固態(tài)，現(xiàn)已有液態(tài)） ? 載氣：純度很高（ %）的 H2和 N2 ? 特氣：高純度（ %） NH3（氨氣，液態(tài)） SiH4（硅烷，氣態(tài)） ? 襯底： Sapphire（藍(lán)寶石襯底） , PSS （圖形化的襯底） 工藝材料 MOCVD簡介 3E Semiconductor Create the Light, Light the World nClad Active GaN Buffer N+GaN:Si pGaN:Mg Well : InGaN Barrier InGaN Sapphire cplane Al2O3 UGaN/Buffer NGaN:Si 420um 4 um/250A 30A 70A pGaN MQW unGaN 襯底 外延 基礎(chǔ) 3E Semiconductor Create the Light, Light the World （ a） 襯底上成核 （ Buffer） （ b） 形成的島狀顆粒在側(cè)面快速生長 （ c） 島與島之間開始進(jìn)行合并 （ d） 最后形成平整結(jié)構(gòu) 外延 基礎(chǔ) 在生長的外延晶體中的線缺陷能夠形成 載流子的復(fù)合中心 ，從而降低 LED的發(fā)光效率 相當(dāng)一部分的缺陷是由于異質(zhì)外延的晶格失配產(chǎn)生的 解決
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