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正文內(nèi)容

微星77主板bios設(shè)置-文庫吧資料

2025-04-15 11:45本頁面
  

【正文】 鐘發(fā)生器工作時(shí),脈沖的峰值會(huì)產(chǎn)生電磁干擾(EMI),展頻技術(shù)可以降低脈沖發(fā)生器所產(chǎn)生的電磁干擾。2輔助超頻設(shè)置25Spread Spectrum(擴(kuò)展頻譜)也稱展頻技術(shù)。開啟這項(xiàng)設(shè)置,下面就出現(xiàn)集顯的倍頻設(shè)置。2集顯頻率設(shè)置安裝整合集顯的處理器,就會(huì)出現(xiàn)這2項(xiàng)集顯的超頻設(shè)置。參數(shù)范圍16T。tRWSR:ReadWrite Same Rank。這個(gè)參數(shù)的含義是在同一內(nèi)存條或不同內(nèi)存條上寫讀不同的RANK的延遲。參數(shù)范圍16T。tRWDRDD:ReadWrite Different Ranks same or Different DIMM。這個(gè)參數(shù)的含義是寫不同RANK的延遲(包括了所有DIMM)。參數(shù)范圍16T。tWWDR:WriteWrite Different Rank,same DIMM。這個(gè)參數(shù)的含義是讀取不同RANK的延遲(包括了所有DIMM)。參數(shù)范圍16T。高級(jí)時(shí)序配置tRRDR:ReadRead Different Rank,same DIMM。該參數(shù)主要影響穩(wěn)定性。SDRAM內(nèi)存是隨機(jī)訪問的,這意味著內(nèi)存控制器可以把數(shù)據(jù)寫入任意的物理地址,大多數(shù)情況下,數(shù)據(jù)通常寫入距離當(dāng)前列地址最近的頁面。參數(shù)范圍463T。這個(gè)參數(shù)就是4個(gè)Bank激活窗口的延遲。參數(shù)范圍45T。這個(gè)參數(shù)實(shí)際上就是讀命令和預(yù)充電明令之間的時(shí)間間隔。參數(shù)范圍415T。然而,由于需要一定量的數(shù)據(jù),太短的延遲會(huì)引起連續(xù)數(shù)據(jù)膨脹。該值也表示在同一個(gè)內(nèi)存模組連續(xù)的行選通動(dòng)作或者預(yù)充電行數(shù)據(jù)命令的最小延遲時(shí)間。tRRD(RAS to RAS Delay):行選通到行選通延遲,也稱為Row to Row delay。偏低則提高讀寫性能,但系統(tǒng)會(huì)不穩(wěn)定。也就是在同一個(gè)單元中,最后一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時(shí)鐘周期。tWTR(Write to Read Delay):寫到讀延時(shí)。同樣的,過低的tWR雖然提高了系統(tǒng)性能,但可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)還未被正確寫入到內(nèi)存單元中,就發(fā)生了預(yù)充電操作,會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)的丟失及損壞。就是說在一個(gè)激活的bank中完成有效的寫操作及預(yù)充電前,必須等待多少個(gè)時(shí)鐘周期。tWR(Timing of Write Recovery):寫恢復(fù)時(shí)間。tRFC值越小越好,它比tRC的值要稍高一些。tRFC(Refresh Cycle Time):刷新周期時(shí)間,這個(gè)參數(shù)表示自動(dòng)刷新“行”周期時(shí)間,它是行單元刷新所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。參數(shù)范圍1040T。該值一般設(shè)定為CAS latency + tRCD + 2個(gè)時(shí)鐘周期。降低tRAS周期,則會(huì)導(dǎo)致已被激活的行地址會(huì)更早的進(jìn)入非激活狀態(tài)。也就是“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”,調(diào)整這個(gè)參數(shù)要根據(jù)實(shí)際情況而定,并不是說越大或越小就越好。tRAS(Row active Strobe):行地址選通。參數(shù)范圍415T。但是該參數(shù)的大小取決于內(nèi)存顆粒的體質(zhì),參數(shù)小將獲取最高的性能,但可能會(huì)造成行激活之前的數(shù)據(jù)丟失,內(nèi)存控制器不能順利地完成讀寫操作,從而導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。這是從一個(gè)行地址轉(zhuǎn)換到下一個(gè)行地址所需的時(shí)鐘周期(比如從一個(gè)Bank轉(zhuǎn)換到下一個(gè)Bank)。參數(shù)范圍415T。tRCD(RAS to CAS Delay):行地址到列地址的延遲時(shí)間,這是激活行地址選通和開始讀列地址選通之間的時(shí)鐘周期延遲。該參數(shù)對(duì)內(nèi)存性能的影響最大, 是JEDEC規(guī)范中排在第一的參數(shù),CAS值越低,內(nèi)存讀寫操作越快,但穩(wěn)定性下降,相反數(shù)值越高,讀寫速度降低,穩(wěn)定性越高。必須注意部分內(nèi)存不能運(yùn)行在較低的延遲,可能會(huì)丟失數(shù)據(jù),如果不穩(wěn)定就只有進(jìn)一步提高它了。同時(shí)該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一個(gè)步驟,也是內(nèi)存參數(shù)中最重要的。首先是“行”地址,然后初始化tRCD(RAS to CAS Delay行地址到列地址延遲),接著通過CAS(列地址選通)訪問所需數(shù)據(jù)的精確十六進(jìn)制地址。當(dāng)內(nèi)存讀寫請(qǐng)求觸發(fā)后,最初是tRP(Active to Precharge Delay:預(yù)充電延遲),預(yù)充電后,內(nèi)存才真正開始初始化RAS(內(nèi)存行地址選通)。因?yàn)镃AS主要控制十六進(jìn)制的地址,或者說是內(nèi)存矩陣中的列地址,所以它是最為重要的參數(shù),在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡可能設(shè)低。tCL(CAS Latency):列地址選通潛伏時(shí)間,指的是在當(dāng)前行訪問和讀一特定列的時(shí)鐘周期。性能低的設(shè)置1T后肯定要藍(lán)屏死機(jī)。設(shè)置項(xiàng)有Auto/1T/2T,默認(rèn)是Auto,1T比2T快。234Link(雙通道聯(lián)調(diào))的Advanced DRAM Configuration(高級(jí)DRAM配置)上列內(nèi)存參數(shù)設(shè)置,左側(cè)是參數(shù)名稱,中間是默認(rèn)值,右側(cè)是設(shè)置項(xiàng)(Auto),要修改設(shè)置,請(qǐng)敲回車,從彈出的的參數(shù)菜單中選擇。23DRAM Timing Mode(DRAM時(shí)序模式)這里是設(shè)置內(nèi)存時(shí)序的,設(shè)置項(xiàng)有Auto(自動(dòng))/Link(雙通道聯(lián)調(diào))/Unlink(單個(gè)通道調(diào)),默認(rèn)是Auto。這里是開啟/關(guān)閉XMP,設(shè)置項(xiàng)有設(shè)置項(xiàng)有Disabled(關(guān)閉)和Enabled(開啟),默認(rèn)是Disabled(關(guān)閉)。23Extreme Memory Profile()XMP是英特爾提出的一種內(nèi)存超頻模式,就是把內(nèi)存的超頻頻率和參數(shù)設(shè)置以文件的方式存在內(nèi)存條的SPD模塊中。內(nèi)存控制器整合到處理器內(nèi),支持內(nèi)存的規(guī)格依據(jù)CPU了。2內(nèi)存頻率設(shè)置23DRAM Reference Clock(DRAM參考頻率)DRAM參照頻率是內(nèi)存的基本頻率,設(shè)置項(xiàng)有200/266,Auto,默認(rèn)是Auto。如果不想再用這里的超頻設(shè)置,可以在My OC Genie(我的超頻精靈)里設(shè)置為Default(默認(rèn))。這些超頻設(shè)置都是個(gè)人私有的設(shè)置。當(dāng)設(shè)定為Customize(自選)時(shí),增加My OC Genie Option(我的超頻精靈選項(xiàng))。這里是微星特有的超頻技術(shù)。BIOS開啟這個(gè)按鈕功能后,開機(jī)前按下這個(gè)按鈕,開機(jī)后就自動(dòng)超頻。21Enhanced Turbo(增強(qiáng)睿頻)設(shè)置項(xiàng)有Enabled/Disabled,默認(rèn)是Disabled(關(guān)閉)。英特爾睿頻技術(shù)是根據(jù)CPU的實(shí)際作業(yè)情況提升核心的頻率,比如一個(gè)核心作業(yè)就可以提高這個(gè)核心的頻率,加速作業(yè)進(jìn)程。EIST全稱為“Enhanced Intel Speed Step Technology”,它能夠根據(jù)不同的系統(tǒng)工作量自動(dòng)調(diào)節(jié)處理器的電壓和頻率,以減少耗電量和發(fā)熱量。21Internal PLL Overvoltage(內(nèi)部PLL過電壓)開啟/關(guān)閉內(nèi)部PLL過電壓保護(hù),設(shè)置項(xiàng)有Auto/Disabled/Enabled,默認(rèn)是Auto。設(shè)置項(xiàng)有Enabled/Disabled,默認(rèn)是Disabled(關(guān)閉)。默認(rèn)是Auto,就是處理器的默認(rèn)倍頻。這項(xiàng)設(shè)置適合解鎖倍頻的處理器,倍率設(shè)置從12到60。所以,超頻時(shí)請(qǐng)注意內(nèi)存頻率要與內(nèi)存條標(biāo)稱頻率相近,如果偏差較大,可能導(dǎo)致超頻失敗。此項(xiàng)下面的灰色行就是當(dāng)前的CPU基本頻率。2CPU頻率設(shè)置21CPU Base Clock(MHz)(CPU基本頻率)設(shè)置CPU的外頻,英特爾SNB/IVY處理器的外頻是100MHz,可以適當(dāng)提高或降低。二、性能(OC超頻)設(shè)置點(diǎn)擊OC按鈕進(jìn)入性能(OC超頻)設(shè)置。這里需要說明的是UEFI啟動(dòng),如果使用3TB的硬盤安裝系統(tǒng),作為啟動(dòng)盤。列出的是實(shí)例,用戶真正看到的與此不會(huì)相同的。 退出14Save Change and Reboot保存設(shè)置 amp。退出)設(shè)置保存BIOS設(shè)置和退出設(shè)置。1Save amp。13BBS Priorities當(dāng)相同類型的啟動(dòng)設(shè)備多于1個(gè)時(shí),可以在這里設(shè)置它們的順序。開啟/關(guān)閉全屏LOGO,設(shè)置項(xiàng)有Disabled(關(guān)閉)/Enabled(開啟),默認(rèn)是Enabled(開啟)。Any Key(任意鍵)喚醒就是可以使用鍵盤的任意鍵,Hot Key(熱鍵)喚醒的熱鍵有:Ctrl + Esc,Ctrl + F1,Ctrl + Space。1210Resume From S3/S4/S5 by PS/2 Keyboard:PS2鍵盤從S3/S4/S5喚醒。1210Resume From S3/S4/S5 by PS/2 Mouse:PS2鼠標(biāo)從S3/S4/S5喚醒。128Resume From S3 by USB Device:USB設(shè)備從S3喚醒。1210Resume By PCI or PCIE Device:PCI或PCIE設(shè)備喚醒。設(shè)置項(xiàng)有Disabled(關(guān)閉)/Enabled(開啟),默認(rèn)是Disabled(關(guān)閉)。如果設(shè)定BIOS喚醒,就要做下面的設(shè)定。如果是OS喚醒,下面的設(shè)置都不需要了。12Wake Up Event Setup(喚醒事件設(shè)置)當(dāng)ACPI Settings(ACPI設(shè)置)里設(shè)定了S3休眠后,就可以在這里設(shè)置喚醒事件。開機(jī)就是來電后自動(dòng)開機(jī),關(guān)機(jī)就是來電后不開機(jī)。129Restore after AC Power Loss:AC電源掉電再恢復(fù)時(shí)電腦的狀態(tài)。12Power Management
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