【正文】 教、學(xué)、作 ”一體化通態(tài)平均電壓 UT(AV ) 在規(guī)定環(huán)境溫度、標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下， 元件通以正弦半波額定電流時(shí)，陽極與陰極間電壓降的平均值，稱通態(tài)平均電壓 (又稱管壓降 )表 晶閘管通態(tài)平均電壓分組 組別 A B C通態(tài)平均電壓（ V） Ｕ T≤ ＜ Ｕ T ≤ ＜ Ｕ T ≤ 組別 D E F通態(tài)平均電壓（ V） ＜ Ｕ T ≤ ＜ Ｕ T ≤ ＜ Ｕ T ≤ 組別 G H I通態(tài)平均電壓（ V） ＜ Ｕ T ≤ ＜ Ｕ T ≤ ＜ Ｕ T ≤ 在實(shí)際使用中，從減小損耗和元件發(fā)熱來看，應(yīng)選擇 Ｕ T(AV) 小的晶閘管。相反過程也應(yīng)會計(jì)算。反向重復(fù)峰值電壓 URRM—— 在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí)，允許重復(fù)加在器件上的反向峰值電壓。選用時(shí)，一般取額定電壓為正常工作時(shí)晶閘管所承受峰值電壓 2~3倍。 器件開關(guān)頻率較高時(shí)， 開關(guān)損耗 會隨之增大而可能成為器件功率損耗的主要因素 課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動(dòng) “教、學(xué)、作 ”一體化 167。 對某些器件來講，驅(qū)動(dòng)電路向其注入的功率也是造成器件發(fā)熱的原因之一216。 在器件開通或關(guān)斷的轉(zhuǎn)換過程中產(chǎn)生 開通損耗和 關(guān)斷損耗 ，是動(dòng)態(tài)損耗216。 實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)對晶閘管施加足夠長時(shí)間的反向電壓，使晶閘管充分恢復(fù)其對正向電壓的阻斷能力，電路才能可靠工作關(guān)斷時(shí)間 tq： trr與 tgr之和，即 tq=trr+tgr （16） 普通晶閘管的關(guān)斷時(shí)間約幾百微秒。課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動(dòng) “教、學(xué)、作 ”一體化極限高阻伏安特性極限低阻伏安特性IFGM ： 門極正向峰值電流 UFGM ： 門極正向峰值電壓IGT ： 門極觸發(fā)電流 UGT ： 門極觸發(fā)電壓 IGD ： 門極不觸發(fā)電流 UGD ： 門極不觸發(fā)電壓 PG ： 平均功率 PGM ： 瞬時(shí)最大功率可靠觸發(fā)區(qū)不觸發(fā)區(qū)不可靠觸發(fā)區(qū)為保證可靠、安全的觸發(fā)，觸發(fā)電路所提供的觸發(fā)電壓、電流和功率應(yīng)限制在可靠觸發(fā)區(qū)。216。216。晶閘管的伏安特性課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動(dòng) “教、學(xué)、作 ”一體化二、晶閘管的門極伏安特性216。216。216。正向特性課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動(dòng) “教、學(xué)、作 ”一體化反向特性216。 導(dǎo)通期間，如果門極電流為零，并且陽極電流降至接近于零的某一數(shù)值 IH以下，則晶閘管又回到正向阻斷狀態(tài) 。 導(dǎo)通后的晶閘管特性和二極管的正向特性相仿216。216。 晶 閘 管的基本特性一、晶閘管的伏安特性（靜態(tài)特性）課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動(dòng) “教、學(xué)、作 ”一體化第一象限正向特性第三象限反向特性課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動(dòng) “教、學(xué)、作 ”一體化216?！?　 晶閘管加反向陽極電壓時(shí)，只流過很小的反向漏電流，當(dāng)反向電壓升高到Ｕ RO時(shí)管子反向擊穿損壞，Ｕ RO稱為反向擊穿電壓。為使晶閘管關(guān)斷，必須使其陽極電流減小到一定數(shù)值以下，這只有通過使陽極電壓減小到零或反向的方法來實(shí)現(xiàn)。 （ 2）晶閘管控制電路加合適的正向電壓。2 亮 正向 零 亮3 亮 正向 反向 亮4 亮正向（逐漸減小到接近于零）任意 暗晶閘管在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，當(dāng)陽極電壓減小到接近于零時(shí)，晶閘管關(guān)斷。2 暗 反向 零 暗3 暗 反向 正向 暗1 暗 正向 反向 暗 晶閘管在正向陽極電壓與正向門極電壓的共同作用下，才能導(dǎo)通。 只有門極觸發(fā)（包括光觸發(fā)）是最精確、迅速而可靠的控制手段其他幾種可能導(dǎo)通的情況：課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動(dòng) “教、學(xué)、作 ”一體化 晶閘管的導(dǎo)通、關(guān)斷實(shí)驗(yàn)v由電源、晶閘管的陽極和陰極、白熾燈組成晶閘管主電路；由電源、開關(guān) S、晶閘管的門極和陰極組成控制電路（觸發(fā)電路）。 結(jié)溫較高 以上三種情況，因不易控制，難以應(yīng)用于實(shí)踐216。 陽極電壓升高至相當(dāng)高的數(shù)值造成雪崩效應(yīng)216。 要使晶閘管關(guān)斷，只有使晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值（ 維持電流 IH） 以下 。 晶閘管一旦導(dǎo)通，門極就失去控制作用（ 半控 ）。 承受正向電壓時(shí)，僅在門極有正向觸發(fā)電壓的情況下晶閘管才能開通。 承受正向電壓時(shí)，無門極正向觸發(fā)電壓時(shí)處于 正向阻斷 狀態(tài)。 承受反向電壓時(shí)，不論門極是否有觸發(fā)電流，晶閘管都不會導(dǎo)通。 一管基極電流能維持另一管的飽和，此時(shí)除去門極正向電壓晶閘管仍導(dǎo)通。 UAK 很?。?1V左右） IA實(shí)際由外電路決定。 開通（門極觸發(fā)） ：在晶閘管門極加正向觸發(fā)脈沖。IG（ IB2） ?? ? ? ??IC2（ IB1） IC1（ IB2） ??晶閘管工作原理課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動(dòng) “教、學(xué)、作 ”一體化? 共基極電流增益 忽略 ICBO： 課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動(dòng) “教、學(xué)、作 ”一體化Ic1=?1 IA + ICBO1 （ 11）Ic2=?2 IK + ICBO2 （ 12）IK=IA+IG （ 13）IA=Ic1+Ic2 216。課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動(dòng) “教、學(xué)、作 ”一體化導(dǎo)通的過程是一個(gè) 正反饋過程 。PNPNPN課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動(dòng) “教、學(xué)、作 ”一體化216。課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動(dòng) “教、學(xué)、作 ”一體化　　 管芯由四層半導(dǎo)體（ P1 N1 P2 N2）組成 ,形成三個(gè) PN結(jié)（Ｊ Ｊ Ｊ 3）。 晶 閘 管的 結(jié) 構(gòu)與 工作原理一、晶閘管的結(jié)構(gòu)課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動(dòng) “教、學(xué)、作 ”一體化晶閘管 實(shí)物 圖課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動(dòng) “教、學(xué)、作 ”一體化常用晶閘管的外形螺栓型晶閘管 晶閘管模塊平板型晶閘管外形及結(jié)構(gòu)課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動(dòng) “教、學(xué)、作 ”一體化　　 晶閘管散熱器，圖 a適用于螺栓式，圖 b、 c用于平板式。圖a為小電流塑封式，電流稍大時(shí)也需緊固在散熱板上，圖 b、 c為螺栓式，使用時(shí)必須緊栓在散熱器上，圖 d為平板式，使用時(shí)由兩個(gè)彼此絕緣的散熱器把其緊夾在中間。 晶 閘 管的派生器件課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動(dòng) “教、學(xué)、作 ”一體化　 　 晶閘管是一種功率四層半導(dǎo)體器件，有三個(gè)引出極，陽極（ A）、陰極（ K）、門極（