微電子工藝課程總結(jié)-文庫(kù)吧資料
2025-01-24 18:23本頁(yè)面
【正文】 入損傷與退火（了解） 第三章 薄膜技術(shù) ? 外延及特點(diǎn)（熟悉） 167。 ②成本高 一 ,離子注入設(shè)備（了解） ? 二 . 能量損失模型（掌握） ? ? ? 三 . 注入深度（熟悉） R ① E0 Ene,即以核阻擋為主，令 Se(E)=0,則 R≈k1E0 ② E0 Ene,即以電子阻擋為主，令 Sn(E)=0,則 R≈k2 E01/2 XP RP （投影偏差）△ RP— 反映了 RP的分散程度（分散寬度）。 ② 再分布（有限源擴(kuò)散） ―高斯分布 ? 目的：達(dá)到所需的 Ns和 Xj ?111s tDN2Q ?22111s2s tDtDN2N??（了解） 5．?dāng)U散層質(zhì)量參數(shù)（了解） ① 結(jié)深的測(cè)量 （熟悉） ： ： ②方塊電阻 R□ (RS) Qq1X1XR?jj ??? ???③ 表面濃度 Ns查圖法（了解） ④ 次表面濃度和次表面薄層電阻（了解） ⑤擊穿特性 (了解） 三 . 擴(kuò)散方法（了解） 167。 ? 例如：再分布。 ? — 擴(kuò) 散方程（掌握） xNDtN22?????二、擴(kuò)散雜質(zhì)的濃度分布 /恒定表面濃度擴(kuò)散（掌握） ? 定義（特征） : 在擴(kuò)散過(guò)程中， Si片表面的雜質(zhì)濃度始終不變。 J=D 1 擴(kuò)散 一 、 擴(kuò)散原理（熟悉） 本質(zhì)上：擴(kuò)散是微觀粒子做無(wú)規(guī)則熱運(yùn)動(dòng)的統(tǒng)計(jì)結(jié)果 。 單晶的制備（了解） ? 一、直拉法（ CZ法） ? 二、懸浮區(qū)熔法（ floatzone， FZ法） ? 三、水平區(qū)熔法（布里吉曼法） GaAs單晶 167。 課程總結(jié) 西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院 戴顯英 微電子工藝基礎(chǔ) ?緒論（了解） ? 一、微電子技術(shù)發(fā)展歷史 二、微電子技術(shù)發(fā)展的規(guī)律與 趨勢(shì) Moore 定律? 1 9 6 5 年 Inte l公司的創(chuàng)始人之一Gord o n E. Moore
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