【正文】 錯線附近的嚴重畸變區(qū)）以一定的步數(shù)作一定旋向閉合回路，稱為柏氏回路。位錯環(huán)：形成封閉線的位錯。位錯線：已滑動區(qū)與未滑移區(qū)的邊界線。其柏氏矢量與位錯線平行。螺型位錯：一個晶體的某一部分相對于其他部分發(fā)生了滑移，原子平面沿著一根軸線盤旋上升，每繞軸線一周，原子面上升一個晶面間距。（?？济~解釋）位錯類型： 刃型位錯 螺型位錯刃型位錯：晶體中的某一晶面，在其上半部有多余的半排原子面，好像一把刀刃插入晶體中，使這一晶面上下兩部分晶體之間產(chǎn)生了原子錯排，稱為刃型位錯。所以間隙原子的擴散要比置換原子的擴散快。通常是Q值增加， D0也增加；反之Q值減小， D0也減小。為了便于求解菲克第二定律，把擴散系數(shù)認為是與濃度無關(guān)的常數(shù)，但在許多固溶體合金中，溶質(zhì)的擴散系數(shù)隨濃度的增加而增加。（4）化學成分： A,結(jié)合鍵 B 溶質(zhì)的濃度 C第三組元既影響擴散速率，還影響方向。 4. 晶體的各向異性對擴散系數(shù)也有影響，因為沿晶軸各個方向原子間距不一樣，故各方向的擴散系數(shù)也不相同。置換式固溶體中置換原子通過空位機制擴散時，需要首先形成空位。擴散系數(shù)隨晶體結(jié)構(gòu)的改變會有明顯的變化。有利于擴散。 例題：影響擴散的因素及原理：（1）溫度的影響：根據(jù)擴散系數(shù)的表達式 D=D0eQ/RT由公式可見，D與T成指數(shù)關(guān)系，隨溫度的升高，擴散系數(shù)急劇增大。擴散系數(shù)：擴散系數(shù)D D=D0e（Q/RT）G D隨溫度T的升高而急劇增大：溫度升高，借助熱起伏，獲得足夠能 量而越過勢壘進行擴散的原子的幾率增大。像整根熱塑性高分子鏈遷動一樣，雜質(zhì)在非晶態(tài)區(qū)域擴散比在晶態(tài)區(qū)域快得多。在金屬、離子和共價晶體內(nèi)小的雜質(zhì)擴散是由單個原子或離子穿過點陣進行的，而在非晶態(tài)聚合物區(qū)域的相對開放的結(jié)構(gòu)中則整個分子可以穿過點陣擴散。若空位可以自由地從它取代的雜質(zhì)原子位置移開，這些空位可以顯著地增加在離子晶體中的擴散速率。在離子晶體和聚合物中的擴散： 離子晶體中的擴散：為了維持電的中性，在離子晶體中擴散必須牽涉至少兩種帶電物(離子和帶電的空位)。空位擴散機制認為由于晶體中存莊著一定數(shù)量的空位，因此原子的擴散便可通過不斷地躍遷到臨近的空位而實現(xiàn)。能量條件：間隙原子應具有足夠的能量以克眼周圍原子對其躍遷的阻力。結(jié)構(gòu)條件： 間隙原子的周圍必須存在可供其躍遷且未被其它原子占據(jù)的間隙位置。擴散原子由所在間隙位置跳躍至另一相鄰的間隙中。 下坡擴散 ：溶質(zhì)原子從高濃度向低濃度處擴散的過程。（重點掌握，同上）擴散驅(qū)動力： 化學勢梯度，上坡擴散 ：溶質(zhì)原子從低濃度向高濃度處擴散的過程稱為上坡擴散。 D 擴散系數(shù)，dρ/dx 擴散物質(zhì)的質(zhì)量濃度，擴散第二定律：（菲克第二定律）：表示擴散物質(zhì)濃度的時間變化率與進出某一體積的通量之間關(guān)系。 J= D（dρ/dx）負號表示物質(zhì)擴散方向與濃度梯度方向相反，即物質(zhì)從高的濃度方向向低的濃度方向區(qū)遷移。擴散第一定律：（菲克第一定律）：擴散中原子的通量與質(zhì)量濃度梯度成正比。擴散概念，擴散第一定律、擴散第二定律。為保持晶體的電中性，空位只能以與晶體相同的正離子：負離子的空位簇的方式產(chǎn)生。間隙固溶體：溶質(zhì)原子分布于溶劑晶格間隙而形成的固溶體稱為間隙固溶體。置換原子： 占據(jù)在原來基體原子平衡位置上的異類原子。弗蘭克爾空位：離開平衡位置的原子擠入點陣中的間隙位置，而在晶體中同時形成相等數(shù)目的空位和間隙原子。 （重點）點缺陷：在結(jié)點上或鄰近的微觀區(qū)域內(nèi)偏離晶體結(jié)構(gòu)的正常排列的一種缺陷，是最簡單的晶體缺陷。這些規(guī)整的有序鏈束表面能大自發(fā)地折疊成帶狀結(jié)構(gòu)，進一步堆砌成晶片。 折疊鏈模型：聚合物晶體中，高分子鏈以折疊的形式堆砌起來的。在晶區(qū)分子鏈相互平行排列成規(guī)整的結(jié)構(gòu)，而在非晶區(qū)分子鏈的堆砌完全無序。構(gòu)象改變不會改變分子的光學活性。由于單鍵的旋轉(zhuǎn)，使連接在碳上的原子或原子團在空間的排布位置隨之發(fā)生變化，所以構(gòu)造式相同的化合物可能有許多構(gòu)象。 高分子鏈的構(gòu)象:指有一定構(gòu)造的分子通過單鍵旋轉(zhuǎn)，形成的各原子或原子團在空間的排布。分子鏈取向與纖維軸平行。這種晶體主要形成于極高壓力下。球晶在正交偏光顯微鏡下可觀察到其特有的黑十字消光或帶同心圓的黑十字消光圖象。一般聚合物的單晶只能從極稀溶液(%)中緩慢結(jié)晶而成。高分子材料是由相對分子質(zhì)量較高的化合物構(gòu)成的材料，通常分子量大于10000，包括橡膠、塑料、纖維、涂料、膠粘劑和高分子基復合材料，高分子是生命存在的形式。高分子材料的組成和結(jié)構(gòu)的基本特征，高分子材料結(jié)晶形態(tài)、高分子鏈在晶體中的構(gòu)象、高分子材料晶態(tài)結(jié)構(gòu)模型。（4.）不同種類正離子配位多面體間連接規(guī)則——鮑林第四規(guī)則在含有兩種以上正離子的離子晶體中，一些電價較高，配位數(shù)較低的正離子配位多面體之間，有盡量互不結(jié)合的趨勢。（2.）電價規(guī)則——鮑林第二規(guī)則在一個穩(wěn)定的離子晶體中，每個負離子的電價等于或接近等于與之鄰接的各正離子靜電鍵強度的總和。共價(原子)晶體:由同種非金屬元素的原子或者異種元素的原子以共價鍵形成的晶體。離子晶體和共價晶體機構(gòu)，離子晶體結(jié)構(gòu)規(guī)則、典型的離子晶體結(jié)構(gòu)。(2.)中間相的晶體結(jié)構(gòu)不同于此相中的任一組元，不同元素之間所形成的中間相往往在晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)合鍵等方面都不同。中間相：兩組元間的相對尺寸差、電子濃度及電負性差都有一容限，當溶質(zhì)原子的加入量超過此容限時便會形成一種新相，由于它們在二元相圖上的位置總是位于中間，故通常把這些相稱為中間相。固溶體、中間相的基本概念和性能特點。密排面：原子密度最大的晶面。間隙： 八面體間隙：位于6個原子所組成的八面體中間的間隙?？梢宰约赫伊骟w標注一下（?？己喆鸷驼撌觯? 晶體結(jié)構(gòu)及類型，常見晶體結(jié)構(gòu)(bcc、fcc、hcp)及其幾何特征、配位數(shù)、堆積因子（致密度）、間隙、密排面與密排方向。晶體晶向指數(shù)與晶面指數(shù)的標定方法。體心正交體心立方面心正交面心立方晶面間距：同一組平行晶面的距離。菱方簡單菱方a=b=c，α=β=γ≠90176?！佴盟姆胶唵嗡姆絘=b≠c，α=β=γ