【摘要】天津冶金職業(yè)技術(shù)學(xué)院2020——2020學(xué)年第(二)學(xué)期期末考試《電力電子技術(shù)》試卷B班級:電氣,電子專業(yè)姓名--------------------------------------------------------------------------------------
2024-10-26 13:09
【摘要】專業(yè)班級:姓名:學(xué)號:…………………………密………………………………封………………………………線…………………………河南理工大學(xué)萬方科技學(xué)院2008-2009學(xué)年第一學(xué)期專業(yè)班級:姓名:
2025-06-06 07:18
【摘要】《電力電子技術(shù)》試卷第1頁(共2頁)河南理工大學(xué)萬方科技學(xué)院2022-2022學(xué)年第一學(xué)期《電力電子技術(shù)》試卷(A卷)考試方式:閉卷本試卷考試分?jǐn)?shù)占學(xué)生總評成績的70%一、填空題(本題30分,每空2分)1、全控型電力電子器件中,開關(guān)速
2025-01-13 22:09
【摘要】天津冶金職業(yè)技術(shù)學(xué)院2020——2020學(xué)年第(二)學(xué)期期末考試《電力電子技術(shù)》試卷A班級:電氣,電子專業(yè)姓名--------------------------------------------------------------------------------------
2024-10-31 21:44
【摘要】電力電子技術(shù)B卷答案及評分標(biāo)準(zhǔn)一、填空(每空1分,36分)1、請在正確的空格內(nèi)標(biāo)出下面元件的簡稱:電力晶體管GTR;可關(guān)斷晶閘管GTO;功率場效應(yīng)晶體管MOSFET;絕緣柵雙極型晶體管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合管。2、晶閘管對觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動功率、觸發(fā)
2025-01-14 20:13
【摘要】1《電力電子技術(shù)》期末標(biāo)準(zhǔn)試卷(A)(2022—2022學(xué)年第上學(xué)期)題號一二三四五總分得分一、填空題(每小空1分,共13分)1.正弦脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)運用于電壓型逆變電路中,當(dāng)改變__
2025-01-13 23:16
【摘要】1一、填空題(共20小題,每題1分,共20分)1、在PWM整流電路的控制方法中,如果引入了交流電流反饋稱為________。2、對用晶閘管組成的整流電路常用的控制方式是________。3、電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中,晶閘管所承受的最大正向電壓UFm等于__
2025-01-12 17:18
【摘要】裝訂線專業(yè)班級:
2024-07-27 01:09
2025-01-13 22:08
【摘要】電力電子技術(shù)試題(第五章)一、填空題1、整流是把電變換為電的過程;逆變是把電變換為電的過程。1、交流、直流;直流、交流。2、逆變電路分為逆變電路和逆變電路兩種。2、有源、無源。3、逆變角β與控制角α之間的關(guān)系為。3、α=π-β4、逆變
【摘要】電力電子技術(shù)試題(第二章)一、填空題1、觸發(fā)電路送出的觸發(fā)脈沖信號必須與晶閘管陽極電壓,保證在管子陽極電壓每個正半周內(nèi)以相同的被觸發(fā),才能得到穩(wěn)定的直流電壓。1、同步、時刻。2、晶體管觸發(fā)電路的同步電壓一般有同步電壓和電壓。2、正弦波、鋸齒波。3、正弦波觸發(fā)電路的同步移相一般都是采用
2025-06-06 07:23
【摘要】第1章電力電子器件習(xí)題答案?關(guān)斷的條件是什么?答:晶閘管導(dǎo)通的條件:①應(yīng)在晶閘管的陽極與陰極之間加上正向電壓。②②應(yīng)在晶閘管的門極與陰極之間也加上正向電壓和電流。晶閘管關(guān)斷的條件:要關(guān)斷晶閘管,必須使其陽極電流減小到一定數(shù)值以下,或在陽極和陰極加反向電壓。?答:因為晶閘管在導(dǎo)通瞬間,電流集中在門極附近,隨著時間的推移,導(dǎo)通區(qū)才逐漸擴大,直到全部結(jié)面
2025-06-24 13:42
【摘要】....電力電子技術(shù)答案2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可
2025-06-29 20:09
【摘要】電力電子技術(shù)試題1、請在空格內(nèi)標(biāo)出下面元件的簡稱:電力晶體管GTR;可關(guān)斷晶閘管GTO;功率場效應(yīng)晶體管MOSFET;絕緣柵雙極型晶體管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合管。2、晶閘管對觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動功率
2024-11-15 18:17
【摘要】電力電子技術(shù)試題(第四章)一、填空題1、GTO的全稱是,圖形符號為;GTR的全稱是,圖形符號為;P-MOSFET的全稱是,圖形符號為;IGBT的全稱是,圖形符號為。33、門極可關(guān)斷晶閘管、大功率晶體管、功率場效應(yīng)管、絕緣門極
2025-06-06 07:20