[書信模板]nandapplicationtheory-文庫吧資料
2024-12-13 22:37本頁面
【正文】 0h） CLE高， CE低，在 WE上升沿，發(fā)出 00h指令到命令寄存器， ALE高， 5個時鐘周期后，發(fā)出 30h結(jié)束指令，數(shù)據(jù)開始被讀取到數(shù)據(jù)寄存器， R/B在讀取時低，讀取結(jié)束后， R/B高，在脈沖信號 RE下順序讀取數(shù)據(jù)。 ? Write Protect: WP WP用于保護 NAND數(shù)據(jù)，防止意外修改或擦除。 操作完成后，該信號為高電平， NAND處于 Ready Status. 該信號是漏極開路，需要采用上拉電阻。 Quanta Techfull (Changshu) Computer Co.,Ltd ?Read Enable:RE 在 RE下降沿，允許輸出數(shù)據(jù)緩沖器，并且列地址自動 +1 ?Ready/Busy:RY/BY RY/BY 信號用于標(biāo)示 NAND狀態(tài)。 Quanta Techfull (Changshu) Computer Co.,Ltd ?Chip Enable:CE 當(dāng) NAND處于 Ready state，并且 CE為高電平， NAND進入待機模式；當(dāng) NAND處于 Busy state，即在進行讀寫或擦除操作時， CE信號不管什么狀態(tài)， NAND都不會進入待機模式。 Quanta Techfull (Changshu) Computer Co.,Ltd Command Definitions ?Command Latch Enable:CLE 當(dāng) CLE為高電平，在 WE信號的上升沿時，將地址被鎖存到 NAND命令寄存器。t care 的。 Quanta Techfull (Changshu) Computer Co.,Ltd ?第 1 步是傳遞 column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可傳遞到 I/O[7:0]上，而 halfpage pointer 即 bit8 是由操作指令決定的，即指令決定在哪個 halfpage 上進行讀寫。復(fù)用接口的一項好處，就在于能夠利用同樣的硬件設(shè)計和電路板，支持較大的 NAND器件。 Block的地址是由 A14 以上的 bit 來表示， 64Mbyte的 NAND，共 4096block，因此，需要 12 個 bit 來表示，即 A[25:14]。 512byte需要 9bit來表示，對于 528byte系列的 NAND，這 512byte被分成 1st half和 2nd half，各自的訪問由地址指針命令來選擇， A[7:0]就是所謂的 column address。 32Gbytes=33184blocks 1block=128Pages=(1M+47K)bytes 1Page=8568bytes=(8192+376)bytes （ 8192bytes為 Main Area， 376bytes為 Spare Area） Register=8568bytes Quanta Techfull (Changshu) Computer Co.,Ltd ?Memory Mapping Quanta Techfull (Changshu) Computer Co.,Ltd ? Main Area： 主要用于存儲用戶數(shù)據(jù)； ? Spare Area： （一般芯片原廠都會在出廠時都會將壞塊第一個 page的 spare area的第 6個 byte標(biāo)記為不等于 0xff的值）； ECC（ Error Correction Code）數(shù)據(jù)； ； Quanta Techfull (Changshu) Computer Co.,Ltd ? Array Organization Quanta Techfull (Changshu) Computer Co.,Ltd ?NAND Flash Functional Block Diagram Quanta Techfull (Changshu) Computer Co.,Ltd Flash的尋址方式 ? Block是 NAND Flash中最大的操作單元，擦除就是按照 block為單位完成的，而編程 /讀取是按照 page為單位完成的。 ?在一次讀寫中 SLC只有 0或 1兩種狀態(tài)，這種技術(shù)能提供快速的程序編程與讀取，只有 0和 1兩種狀態(tài)，非常穩(wěn)定。 Quanta Techfull (Changshu) Computer Co.,Ltd ?在一次讀寫中 MLC有四種狀態(tài)（以每 Cell存取 2bit為例），這就意味著 MLC存儲時要更精確地控制每個存儲單元的充電電壓，讀寫時就需要更長的充電時間來保證數(shù)據(jù)的可靠性。現(xiàn)在常見的 MLC架構(gòu)閃存每 Cell可存放 2bit，容量是同等 SLC架構(gòu)芯片的2倍，再加上可利用比較老舊的生產(chǎn)設(shè)備來 提高產(chǎn)品的容量， 而無須額外投資生產(chǎn)設(shè)備，可以 享有成本與良率的優(yōu)勢。由于控制柵極在讀取數(shù)據(jù)的過程中施加的電壓較小或根本不施加 電壓，不足以改變浮置柵極中原有的電荷量，所以讀取操作不會改變 FLASH中原有的數(shù)據(jù)。而對于浮柵中沒有電荷的晶體管來說只有當(dāng)控制極上施加有適當(dāng)?shù)钠秒妷海诠杌鶎由细袘?yīng)出電荷，源極和漏極才能導(dǎo)通，也就是說在沒有給控制極施加偏置電壓時，晶體管是截止的。 ? 在寫入新數(shù)據(jù)之前，必須先將原來的數(shù)據(jù)擦除，這點跟硬盤不同，也就是將浮柵的電荷放掉，兩種 FLASH都是通過 FN隧道效應(yīng)放電。 ? 浮置柵極是由氮化物夾在兩層二氧化硅材料之間構(gòu)成的，中間的氮化物就是可以存儲電荷的電荷勢阱。 在 NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次，而 NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。 Nor Flash的升級較為麻煩，因為不同容量的 Nor Flash的地址線需求不一樣，所以在更換不同容量的 Nor Flash芯片時不方便。 Quanta Techfull (Changshu) Computer Co.,Ltd Nand Flash接口和操作均相對復(fù)雜，位交換操作也很多 ,相鄰單元之間較易發(fā)生位翻轉(zhuǎn)而導(dǎo)致壞塊出現(xiàn)，而且是隨機分布的，在使用過程中還難免產(chǎn)生新的壞塊，所以在使用的時候要配合 EDC/ECC(錯誤探測 /錯誤更正 )和 BBM(壞塊管理 )等軟件措施來保障數(shù)據(jù)的可靠性。 各個產(chǎn)品或廠商對信號的定義不同，增加
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