mos管工作原理講解-文庫吧資料
2024-12-01 20:00本頁面
【正文】 線（ 增強(qiáng)型 N溝道 MOS管 ） 可變電阻區(qū) 擊穿區(qū) ID U DS 0 UGS=5V 4V 3V 3V 5V 線性放大區(qū) 18 轉(zhuǎn)移特性曲線 3．特性曲線（ 增強(qiáng)型 N溝道 MOS管 ） 0 ID UGS VT 在恒流區(qū)（線性放大區(qū)，即 VGS＞VT時(shí)有： 20 1 ??????????PGSDD VvIiID0是 vGS=2VT時(shí)的 iD值。 15 P N N G S D VDS VGS 夾斷后，即使 VDS 繼續(xù)增加， ID仍呈恒流特性 。 P N N G S D VDS VGS 14 P N N G S D VDS VGS 當(dāng) VDS不太大時(shí)，導(dǎo)電溝道在兩個(gè) N區(qū)間是均勻的。 11 2．工作原理 （以 N 溝道增強(qiáng)型為例） P N N G S D VDS VGS VGS=0時(shí) DS 間相當(dāng)于兩個(gè)反接的PN結(jié) ID=0 對(duì)應(yīng)截止區(qū) 12 P N N G S D VDS VGS VGS0時(shí) VGS足夠大時(shí)（ VGSVT）感應(yīng)出足夠多電子，這里出現(xiàn)以電子導(dǎo)電為主的 N型導(dǎo)電溝道。 6 N溝道增強(qiáng)型 MOSFET 1．結(jié)構(gòu) P N N G S D P型基底 兩個(gè) N區(qū) SiO2絕緣層 導(dǎo)電溝道 金屬鋁 G S D N溝道增強(qiáng)型 7 N 溝道耗盡型 P N N G S D 予埋了導(dǎo)電溝道 G S D 8 N P P G S D G S D P 溝道增強(qiáng)型 9 P 溝道耗盡型 N P P G S D G S D 予埋了導(dǎo)電溝道 10 2．工作原理 JFET是利用 PN結(jié)反向電壓對(duì)耗盡層厚度的控制，來改變導(dǎo)電溝道的寬窄，從而控制漏極電流的大小。 耗盡型：當(dāng) vGS＝ 0時(shí)，存在導(dǎo)電溝道， iD?0。1 2 結(jié)型場效應(yīng)管 (JFET) 金屬 氧化物 半導(dǎo)體 (MOS)場效應(yīng)管 MOSFET放大電路 各種放大器件電路性能比較 * 砷化鎵金屬 半導(dǎo)體場效應(yīng)管 3 ? 掌握?qǐng)鲂?yīng)管的直流偏置電路及分析； ? 場效應(yīng)管放大器的微變等效電路分析法。 4 N溝道 P溝道 增強(qiáng)型 耗盡型 N溝道 P溝道 N溝道 P溝道 （耗盡型） FET 場效應(yīng)管
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