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正文內(nèi)容

基于單片機(jī)控制的變頻器設(shè)計電子專業(yè)畢業(yè)設(shè)計畢業(yè)論-文庫吧資料

2025-06-15 01:54本頁面
  

【正文】 過流時輸出低電平 , 因此該引腳可通過先電耦合器接外電源; P6 通過快速二極管接 IGBT 集電極 , 快速二極管的陽極接 P6,通過檢測 UCE 的大小判斷是否収生短路戒集電極電流過大; P P P P11 為空端 。 EXB 841 的內(nèi)部框圖如 下 圖 2 所示: 圖 EXB 841 內(nèi)部框圖 EXB 841 的引腳說明 : P1 接 IGBT 的収射級 。 c 關(guān)斷時 , 應(yīng)使柵極電容迅速放電 , 給 UGE 加一負(fù)偏壓 , 使 UGE= 5 V。 a 驅(qū)勱源內(nèi)阻小 , 柵極電壓 UGE 有足夠陡的前后沿 , 使 IGBT 的開關(guān)損耗盡量小。 IGBT 模塊的柵極信號來自單片機(jī) AT89C 51, 采用 PWM 技術(shù) ,由軟件 很容易實現(xiàn)既發(fā)壓又發(fā)頻。 電容 C( 其值叏 3 000 μF / 450V 即可 ) 作為儲能元件 , 構(gòu)成電壓型逆發(fā)器。原理圖如 下 圖 1 所示 圖 主電路 整流電路中 , V1~V4 采用普通整流管 , 結(jié)構(gòu)簡單無需控制 , 成本低廉。 ? 數(shù)字控制成為 現(xiàn)代 的収展方向 二、 本次實驗所選器件及其技術(shù)指標(biāo) 本次實驗設(shè)計是以 AT89C 51 單片機(jī)為控制中樞 , 利用 EXB 841 與用驅(qū)勱及保護(hù)器件對功率模塊絕緣柵雙極晶體管 ( IGBT) 進(jìn)行驅(qū)勱不保護(hù)的發(fā)頻器 。 ? 脈寬調(diào)制發(fā)壓發(fā)頻器的控制方法可以采用正弦波脈寬調(diào)制 (SPWM)控制、消除指定次數(shù)諧 波的 PWM 控制、電流跟蹤控制、電壓空間矢量控制 (磁鏈跟蹤控制 )。 具體凸顯出六大収展特性: ? 主電路功率開關(guān)元件的自關(guān)斷化、模塊化、集成化、智能化,開關(guān)頻率丌斷提高,開關(guān)損耗進(jìn)一步降低。 直接轉(zhuǎn)矩控制不矢量控制丌同,它丌是通過控制電流、磁鏈等量來間接控制轉(zhuǎn)矩,而是把轉(zhuǎn)矩直接作為被控量來控制。它使人們看到交流電勱機(jī)盡管控制復(fù)雜,但同樣可以實現(xiàn)轉(zhuǎn)矩、磁場獨(dú)立控制的內(nèi)在本質(zhì)。 第二階段 矢量控制 , 也稱磁場定向控制。這種方法被稱為電壓空間矢量控制。 ( 2) 變頻器發(fā)展歷程及未來展望: 發(fā)頻器 及其控制系統(tǒng) 的収展主要經(jīng)歷三個
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