【正文】 志和地址計(jì)數(shù)器讀出 1 0 數(shù)據(jù)寄存器寫入 1 1 數(shù)據(jù)寄存器讀出 指令說明 清屏 命令格式： RS R/W DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 清除屏幕顯示，并置地址計(jì)數(shù)器 AC 為 0。 PCB 上有 14 個(gè)引腳端，其中有8條數(shù)據(jù)線，三條控制線，三條電源線。內(nèi)存中 192 種字符包括英文大小字母，數(shù)字和書寫符號(hào)等。它是近幾年國外發(fā)展很快的一項(xiàng)新興產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)品分為字符和圖形兩種。人們將 LCD 控制器、 RAM、 ROM 和 LCD 顯示器用 PCB 連接到一起，稱為LCM 液晶顯示模塊。外部管腳圖 如 42所示 圖 EPF7064SLC4410 外部引腳圖 TLC0820ACWD TLC0820ACWD 簡要描述 TLC0820ACWD 8 位 AD 轉(zhuǎn)換器，無須外部時(shí)鐘源，并行接口，差分電壓基準(zhǔn)輸入，單 5V 電源供電，輸入信號(hào)高出基準(zhǔn)電壓提示，轉(zhuǎn)換速率 390K。單片機(jī)工作時(shí)鐘 0Hz33MHZ。 外部管腳圖 第 15 頁 共 58 頁 圖 AD9954 外部管腳圖 4 AT89C5 EPF706 TLC0820ACWD 簡介 AT89C55 AT89C55WDATMEL 公司 51 系列片內(nèi)大容量 ROM 單片機(jī)，片內(nèi) RAM 容量 256BYTE, 20KBYTE 在系統(tǒng)可編程 Flash 存儲(chǔ)器，三個(gè) 16 位定時(shí)記數(shù)器， 8 個(gè)中斷源，具有節(jié)電掉電模式。 I/O 傳輸控制時(shí)序 控 制字 表 控制字表 R/WR：讀寫控制位，為“ 0”表示寫，為“ 1”表示讀。使用者可根據(jù)自己所需頻點(diǎn)存入 AD9954 內(nèi)部 RAM 中，具體實(shí)現(xiàn)是將 RAM 使能位有效和RAM 段模式控制位寫 100b，往 AD9954 送入使用者所須地址范圍，通過外部引腳 IO UPDATA 啟動(dòng)從 RAM 起始地址到終止地址循環(huán)掃描。 FTW0 驅(qū)動(dòng)相位累加器輸入。 第 14 頁 共 58 頁 Twotone FSK 只需應(yīng)用一個(gè) Profile 引腳。當(dāng) Profile 值改變，存在新 Profile 下的頻率調(diào)整控制字被裝入相位累加器和在相位連續(xù)方式下常常用作當(dāng)前存儲(chǔ)值的增量。 此 外， RAM 使能位必為真 —— 即 RAM 可用，RAM 目 標(biāo)單元控制位必為假 —— 即 RAM 輸出作頻率調(diào)整字。要完成 4tone FSK 調(diào)制，用戶只需對(duì)各 RAM 段控制字為 Direct Switch Mode 并各自有一個(gè)不同的起始地址值。 Direct Switch Mode 在 Direct Switch Mode 下可實(shí)現(xiàn) FSK 或 PSK 調(diào)制。 FTW0 中的數(shù)據(jù)只能通過手動(dòng)改變 —— 在寫完一個(gè)新數(shù)據(jù)后要發(fā)出一個(gè)I/O UPDATA 脈沖。 內(nèi)部工作模式使用說明 單一模式 在單一模式下， DDS 核只用了一個(gè)調(diào)整字。 RAM 控制器要配置串口期待 256 個(gè) 32 位字。 (2)PS0= PS1=0。串口和 RAM 控制器聯(lián)合工作決定外形寬度和串口將會(huì)接受從起始地址到終止地址中連續(xù)的 32 位字。在通過 PS1:0引腳選擇配置好自己想要的 RAM 段控制字后。在單一模式下，對(duì) RAM 不能進(jìn)行讀操作。 所有的 RAM讀 /寫，除特殊情況下，由外部輸入引腳 Profile1:0選擇相應(yīng) RAM 段控制字。AD9954 上電進(jìn)入單一模式， RAM 使能位處于非活動(dòng)狀態(tài)。當(dāng) RAM 輸出接相位累加器時(shí)，相位 偏置字（ POW、 0X05）驅(qū)動(dòng)相位偏置加法器；同理當(dāng) RAM 輸出驅(qū)動(dòng)相位偏置加法器時(shí)，頻率調(diào)整控制字（ FTW、 0X04）驅(qū)動(dòng)相位累加器。 第 13 頁 共 58 頁 當(dāng) RAM使能后，即 CFR131=1， RAM 輸出是送往相位累加器還是送往相位偏置加法器處決于 RAM 輸出目標(biāo)單元控制位的狀態(tài)（ CFR130）。 RAM 可以通過多種方式控制，工作方式的選擇由 RAM 段控制字 7： 5決定?？梢詫?duì) SRAM 進(jìn)行讀寫操作，但兩者不能同時(shí)進(jìn)行。從定義的起始點(diǎn)到終止點(diǎn)， RAM 控制器使輸出停留在終止地址，或者使 RSCW4置位，這時(shí) RAM 控制器使輸出返回到起始地址并停留直到下一個(gè)輸出外形被選擇。詳細(xì)情況見表 9。 RAM 段模式控制字 RSCW7:5， 3 位序列值決定 RAM 段的工作模式。 RAM 段終止地址 RSCW9: RSCW23:16，這非連續(xù) 10 位序列定義了所給 RAM 段終止地址值。每個(gè) RAM段控制字由 RAM 段地址更新速率、終止地址值、起始地址值、一個(gè) RAM 段模式控制位和一個(gè) NODWELL 位組成。掃速控制字決定加法器進(jìn)行加減速率，用同步時(shí)鐘周期數(shù)表示。每個(gè)線性掃頻控制字都包含一個(gè) 32 位 DELTA 頻率調(diào)整字（ FDFTW、 RDFTW）和一個(gè) 8位掃速控制字（ FSRRW、 RSRRW）。 負(fù)數(shù)和正數(shù)線性掃頻控制字（ NLSCW、 RLSCW） 寄存器 0X07 和 0X08 是多功能寄存器。 第 12 頁 共 58 頁 相位偏移量精確值計(jì)算由以下公式給出： 當(dāng) RAM 使能位被置位，即 CFR131=1，和 RAM 目標(biāo)控制位被清零，即 CFR130=0時(shí)由 RAM 提供相位偏置字， POW 寄存器不起任何作用。 相位偏置寄存器（ POW） POW 為 14 位寄存器用于存儲(chǔ)相位偏置值。 頻率調(diào)整控制字 0（ FTW0） FTW0 是 32位寄存器用于控制 DDS 核中相位累加器累加速率。本寄存器是對(duì)幅度范圍因數(shù)加減計(jì)數(shù)器的速率編程。如果 OSK 使能控制位無效 CFR125=0， ASF 寄存器不起作用。在自動(dòng) OSK 模式下 ASF15： 14告知 OSK 模塊每次增加或減少的幅度步進(jìn)；ASF13:0設(shè)置通過 OSK 內(nèi)部乘法器能實(shí)現(xiàn)的最大值。默認(rèn)值（ 00）電流為 75UA，（ 0 11 對(duì)應(yīng)電流 100UA、125UA、 150UA）。為“ 0” (默認(rèn)值 )VCO 工作范圍為 100MHZ~250MHZ；為“ 1”VCO 工作范 圍為 250MHZ~400MHZ。這 5 位控制乘法器的乘值，有效范圍 4~20（ 0X04~0X14）。 CFR28未用。 CFR29振蕩器輸出允許位。為“ 0” (默認(rèn)值 ) 硬件手動(dòng)同步無效；為“ 1” 硬件手動(dòng)同步有效，這位為高時(shí) SYNCIN上升沿先于 SYNCCLK 上升沿一個(gè) REFCLK 時(shí)鐘。為“ 0” (默認(rèn)值 )快速同步關(guān)；為“ 1”快速同步開，當(dāng)試圖采用自動(dòng)同步時(shí)鐘高于 50MHZ 時(shí) CFR211必須置“ 1”。 CFR215:12不用。為“ 0” (默認(rèn)值 )同步時(shí)鐘輸入引腳 SYNCCLK 使能；為“ 1”時(shí)為了使數(shù)字電路噪聲最少 SYNCCLK 接“ 0” 平。為“ 0” (默認(rèn)值 )NO DWELL 功能不起作用；為“ 1” NO DWELL 功能起作用，但必須線性掃頻控制位先有效 CFR121=1， CFR121=0時(shí) CFR12不必考慮。為“ 0” (默認(rèn)值 )快速恢復(fù)掉電模式，在這種模式下當(dāng)PWRDWNCTL 輸入高電平時(shí)數(shù)字邏輯單元和 DAC 邏輯單元處于掉電狀態(tài)，但是 DAC 偏置電路、比較器、 PLL、振蕩器、時(shí)鐘輸入電路不處于掉電狀態(tài)；為“ 1”全掉電模式，在這中模式下當(dāng) PWRDWNCTL 輸入高電平時(shí)所有功能模塊全部處于掉電狀態(tài)，這時(shí)要從掉電狀態(tài)恢復(fù)需要較長的一段時(shí)間。為“ 0” (默認(rèn)值 )時(shí)鐘輸入電路被使能；為“ 1”時(shí)鐘輸入電路不能工作并處于最低功耗狀態(tài)。為“ 0” (默認(rèn)值 )DAC 被使能；為“ 1” DAC 不能工作并處于最低功耗狀 態(tài)。為“ 0” (默認(rèn)值 )比較器被使能；為“ 1”比較器不能工作并處于最低功耗狀態(tài)。為“ 0” (默認(rèn)值 )所有的數(shù)字功能塊和時(shí)鐘都使能；為“ 1”所有的數(shù)字功能模塊除 I/O 引腳外多暫停工作。為“ 0” (默認(rèn)值 )高位數(shù)據(jù)在前；為“ 1”低位數(shù)據(jù)在前。為“ 0” (默認(rèn)值 )時(shí) SDIO 為雙向口（ IIC 模式）；為“ 1” SDIO 只能輸入不能輸出（ SPI 模式）。為“ 0” (默認(rèn)值 ) 累加器正常工作；為“ 1”時(shí)相位累加器被清零并保持直到這位被清除。 CFR111清頻率累加器；為“ 0” (默認(rèn)值 )頻率累加器正常工作；為“ 1“時(shí)頻率累加器被清零，并保持直到這位被清除。 CFR112Sine/Cosine 選擇位。 CFR113相位累加器自動(dòng)清零控制位。為“ 0” (默認(rèn)值 )頻率累加器值保持不變直到delta 頻率控制字改變 。為“ 0” (默認(rèn)值 )只允許溢出裝載；為“ 1”允許溢出和 I/OUPDATA 裝載。 CFR120:16未用。為“ 0” (默認(rèn)值 )軟件手動(dòng)同步無效； CFR121線性掃頻使能控制位。為“ 0” (默認(rèn)值 )自動(dòng)同步無效；為“ 1”時(shí)啟動(dòng)多片AD9954 自動(dòng)同步。只有當(dāng) CFR125=“ 1”有效 ， CFR124為“ 0” (默認(rèn)值 )為手動(dòng)模式；為“ 1”自動(dòng)模式，當(dāng) OSK=“ 1”以幅度的增進(jìn)比率從零幅度增加到滿幅度；當(dāng) OSK=“ 0”與其相反。為“ 0” (默認(rèn)值 ) shaped OnOff Keying 被忽略；為“ 1”使能。為“ 0” (默認(rèn)值 )只有當(dāng)幅度比率計(jì)數(shù)器溢出后裝載；為“ 1”時(shí)允許溢出裝載或者 I/O UPDATA 輸入裝載。 CFR131=0 時(shí)本位被忽略。 CFR131=0(默認(rèn)值 ) CFR130RAM 目標(biāo)地址控制位。寄存器的適當(dāng)配置取決于線性掃頻控制位是否有效。 串行 I/O 口 第 6 頁 共 58 頁