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電流源和電壓源電路-文庫吧資料

2025-05-23 12:38本頁面
  

【正文】 b)所示)。 整流電路 模塊 該模塊主要利用二極管的單向?qū)щ娦越M 成整流電路,將交流電壓變換為單方向 脈動電壓。 串聯(lián)型直流穩(wěn)壓電源的一般方案: 交流電壓經(jīng)整流濾波后 ,得到平滑的直流電壓 ,作為穩(wěn)壓電路的輸入電源從 UI輸入。 實際電壓源 ,其端電壓隨電流的變化而變化 .因為它有內(nèi)阻。 理想電壓源有兩個特點 : t的函數(shù) Us(t),與外電路無關(guān) .。 由于內(nèi)阻等多方面的原因,理想電壓源在真實世界是不存在的,但這樣一個模型對于電路分析是十分有價值的。電壓源具有兩個基本的性質(zhì):第一,它的端電壓定值 U是一定的時間函數(shù) U(t)與流過的電流無關(guān)。 受控電源的符號表示: 0i??0u例如 受控源作為晶體管的電路模型: 理想受控源模型: 幾點說明 : 含有受控源電路的分析方法: ( 1)支路電流法 ( 2)節(jié)點電壓法 ( 3)網(wǎng)孔電流法 ( 4)疊加定理 ( 5)戴維南定理 ( 6)諾頓定理 三極管的特性是非線性的,但在低頻小信號的條件下,工作在放大區(qū)三極管,它的特性曲線的非線性已不明顯,這時三極管可用一線性電路來代替,稱之為三級管的微變等效 則整個放大電路就變成一個線性電路,利用分析線性電路的方法對放大電路進行動態(tài)分析,求出它的主要性能指標 這種方法就是微變等效電路法。 受控源的電壓或電流受電路中另一支路電壓或電流的控制 。由于晶體管和場效應(yīng)管是有源元件,而上述電路中又以它們作為負載,故稱之為有源負載。當電源電壓增大到一定程度時,電路的設(shè)計就不合理了。 以電流源為有源負載的放大電路 在共射(共源)放大電路中,為了提高電壓放大倍數(shù)的數(shù)值,行之有效的方法是增大集電極電阻 Rc(或漏極電阻 Rd)。 因此,有效的減小了由基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)而引入的誤差。使 IO 的恒流特性得以改進。 分析: 當外電路變化時,則會引起 IO 的變化,設(shè) IO 增大,已知: 21 CCO iiI ??相應(yīng)增大。 證明、當各管 β值相同時, IO 與 IR 之間的關(guān)系。 這樣不僅減小了 iC1 轉(zhuǎn)移到 iC2 時,因基區(qū)調(diào)制效應(yīng)引入的誤差,還使 IO ( 其值取決于 iC2)幾乎于外加電壓的變化無關(guān),因此,該電路既提高 IO 的精度,又改進了電流源的恒流特性,即增大了 RO 。 級聯(lián)型電流源電路: 將兩個基本鏡像電流源電路相級聯(lián),而構(gòu)成的電路。 ( 1)、減小由 β值和 VA ( 或 λ) 而引入的誤差。 當 S1 閉合, S2 斷開時, T2 管中儲存的電流為 : iiI ?iiI ?T1 I T4 T3 T2 I S2 S1 ii io VDD 當 S1 斷開 , S2閉合時, T2 管中的電流通過 T3 管傳送到 T4 管輸出,顯然這個輸出電流 io 就是前一個時鐘周期儲存在 T2 管中的輸入電流 ii 。 ( 3)、開關(guān)電流電路 利用電流存儲效應(yīng),還可以組成另一大類電路,稱為開關(guān)電流電路。 電路還可以改進為如圖所示的電路: S1 S3 S2 T II IO=II Cgs 結(jié)構(gòu) 由一只 MOS管 T 和三只開關(guān) S1 、S2 、 S3 組成。 根據(jù)電路可知: 21 GSGS VV ?因為 2)(1111 )(2 thGSGSonD VVlWCi ?? ?2)(2222 )(2 thGSGSonD VVlWCi ?? ?所以 T1 T2 VSS IR IO ID1 ID2 1122 )/()/(DD ilWlWi ?已知 OD Ii ?2當 時: 21 )/()/( lWlW ?RD Ii ?112 DD ii ?即 RO II ?( 2)、動態(tài)電流鏡 如圖所示 T1 T2 IR IO ID1 ID2 S Cgs 在 MOS管鏡像電流源電路中接入開關(guān) S , 設(shè)、 S 閉合時, T2 管的輸出電流為 IO , 產(chǎn)生 IO 所需的柵源電壓 為 VGS2 , 這個電壓儲存 在柵源極之間的電容 Cgs上,則當 S斷開時,由于 MOS管的柵極電流幾乎為零,而 Cgm 又無放電回路,因此,其上的電壓幾乎不變,結(jié)果是 T2 管的輸出電流繼續(xù)維持在 IO 上??梢酝频?,它的電路功能與圖 3— 39( a)電路 n=2時是一致的。電路中,采用 了晶體管 To作為緩沖級,此時基準電流 IR與各級輸出電流的關(guān)系為 可見,輸出電流 Io與基準電流 IR的偏差值比圖 3—39( a)電路減小了 倍。在圖 3— 39( a)中,若管子特性一致,則各路輸出電流相等,即 基準電流 IR與各級輸出電流的關(guān)系為 由于所有各管的基極電流均由基準電流 IR提供 ,因此輸出電流 Io與基準電流 IR的偏差為( n+1) IB, n值越大,偏差越大。假定由于溫度或負載的變化使 IO=IC3 加大,則 IE3也隨之增加,它的鏡像電流 IC1跟著增加 ,使UC1=UB3下降, IB3減小,使 IO基本保持 不變。 T1 T2 VCC iC2= IO iC1 IR R R2 iE2 通過對比例電路分析可知 OCTCO IiRViRRI 12121 ln??若令: R1 =0 則 OCTO IiRVI 12ln?ORTIIRV ln2?由圖可知: 威爾遜電流源 為了提高電流源的傳輸精度,可采用如圖所示的威爾遜電流源。 微電流源電路 微電流源電路: 能夠提供微安量級電流的電流源電路。 則有 112221 RiRivv EEBEBE ???因為 221121 lnlnSCTSCTBEBE IiVIiVvv ???21lnCCT iiV?1122 RiRi EE ??故 112221ln RiRiiiVEECCT ??T1 T2 VCC iC2= IO iC1 IR R R2 R1 iE1 iE2 (根據(jù) PN結(jié)的伏安特性) 當 β值足夠大時, OCE Iii ?? 2211 CE ii ?所以 1121ln RiRIIiVCOOCT ??OCTCO IiRViRRI 12121 ln??若 iC1 對 IO 的比值不太大時,例如、 101 ?OCIi 1 ?OCIi則 mVmVIiVOCT 1 ???T1 T2 VCC iC2= IO iC1 IR R R2 R1 iE1 iE2 并且滿足 時OCTC IiVRi 111 ln??121CO iRRI ?當 β值足夠大時, RC Ii ?1所以 RO IRRI21?則有 RRVVI onBECCR???1)(T1 T2 VCC iC2= IO iC1 IR R R2 R1 iE1 iE2 RO IRRI21? 由此式可知:只要改變兩個電阻的比值,就可得到 IO 對 IR 的不同比例關(guān)系,為了保證 IO 的精度,除了增大 β值外,還應(yīng)該限制 IR 對 IO 的比值,應(yīng)該滿足: OCTC IiVRi 111 ln??ORTR IIVRI
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