【摘要】半導(dǎo)體物理教材:劉恩科王延來(lái)15124750239固體物理的分支半導(dǎo)體的微觀結(jié)構(gòu)和宏觀物理特性的關(guān)系物理特性電學(xué)特性微觀結(jié)構(gòu)原子排列的方式、鍵合結(jié)構(gòu)、電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)等學(xué)習(xí)要求深刻理解概念、物理機(jī)制48學(xué)時(shí),3學(xué)分,閉卷考試,平時(shí)30%,期末70%第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)n半導(dǎo)體材料分類n晶體材料:?jiǎn)尉Ш投嗑?/span>
2025-01-05 06:43
【摘要】半導(dǎo)體物理學(xué)主講人:代國(guó)章物理樓110室,13786187882Email:?課程代碼:14010022?課程性質(zhì):專業(yè)課程/選修課學(xué)分:?時(shí)間:周三(9,10)、(單周)周四(3,4)?教室:B座111?課程特點(diǎn):內(nèi)容廣、概念多,理論和系統(tǒng)性較強(qiáng)。?課程要求:著重物理概
2025-01-05 07:03
【摘要】第一篇半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)習(xí)題1-1、什么叫本征激發(fā)?溫度越高,本征激發(fā)的載流子越多,為什么?試定性說(shuō)明之。解:在一定溫度下,價(jià)帶電子獲得足夠的能量(≥Eg)被激發(fā)到導(dǎo)帶成為導(dǎo)電電子的過(guò)程就是本征激發(fā)。其結(jié)果是在半導(dǎo)體中出現(xiàn)成對(duì)的電子-空穴對(duì)。如果溫度升高,則禁帶寬度變窄,躍遷所需的能量變小,將會(huì)有更多的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶中。1-2、試定性說(shuō)明Ge、Si的禁帶寬度具有負(fù)溫
2025-03-30 23:10
【摘要】?jī)?nèi)容:?黑體輻射與能量量子化的假設(shè)?光電效應(yīng)?康普頓效應(yīng)?氫原子光譜與玻爾的氫原子理論?微觀粒子的波粒二象性?測(cè)不準(zhǔn)關(guān)系?薛定鄂方程?無(wú)限深勢(shì)阱中的粒子?激光原理?晶體點(diǎn)陣及電子波在周期勢(shì)場(chǎng)中的傳播應(yīng)用Atoms(原子核)(外層電子、價(jià)帶電子)(激發(fā)態(tài)電子)Moretha
2025-05-11 18:14
【摘要】第二章半導(dǎo)體物理及器件物理基礎(chǔ)本節(jié)內(nèi)容?半導(dǎo)體材料、基本晶體結(jié)構(gòu)與共價(jià)鍵?能級(jí)與能帶?本征載流子濃度?施主和受主導(dǎo)電性:固態(tài)材料可分為三類,即絕緣體、半導(dǎo)體及導(dǎo)體。?絕緣體:電導(dǎo)率很低,約介于10-18S/cm~10-8S/cm,如熔融石英及玻璃;?導(dǎo)體:電導(dǎo)率較高,介于104S
2025-01-19 12:27
【摘要】半導(dǎo)體的光學(xué)特性第一章OpticalPropertiesofSemiconductor?半導(dǎo)體光電子器件工作的本質(zhì)就是?光子與半導(dǎo)體中電子的相互作用,因此,了解這種作用是掌握光電子器件的關(guān)鍵。?光子與半導(dǎo)體電子的作用可以用散射理論來(lái)描述?在光子的散射作用下,電子從一個(gè)狀態(tài)進(jìn)入另一種狀態(tài)。?這里電子的狀態(tài)用電子波矢k來(lái)表
2025-01-20 10:03
【摘要】第三章晶閘管§普通晶閘管Thyristor硅可控整流器,可控硅,SCR。一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件符號(hào)正向阻斷:A—K接正電壓,J2反偏,漏電流很小。反向阻斷:A—K接負(fù)電壓,J1,J3反偏,漏電流很小。等效電路:由PN
2025-05-06 01:43
【摘要】第六章可關(guān)斷晶閘管(GTO)特點(diǎn):是SCR的一種派生器件;具有SCR的全部?jī)?yōu)點(diǎn),耐壓高、電流大、耐浪涌能力強(qiáng),造價(jià)便宜;為全控型器件,工作頻率高,控制功率小,線路簡(jiǎn)單,使用方便?!霨TO結(jié)構(gòu)及工作原理GateTurn-offThyristor——GTO一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件;特點(diǎn):①
2025-05-07 06:14
【摘要】NewGenerationofHigh–PowerSemiconductorClosingSwitchesforPulsedPowerApplicationsI.IntroductionSolidstatesemiconductorswitchesareveryinvitingtouseatpulsedpowersystemsbeca
2025-07-05 04:43
【摘要】第四章電力晶體管§GTR結(jié)構(gòu)雙極型大功率、高反壓晶體管——GTR(巨型晶體管)GiantTransistor三層半導(dǎo)體材料,兩個(gè)PN結(jié)(NPN型、PNP型)。一、工藝特點(diǎn)三重?cái)U(kuò)散;叉指型基極和發(fā)射極;特點(diǎn):發(fā)射區(qū)高濃度摻雜基區(qū)很?。◣譽(yù)m—幾十um)N-摻雜
【摘要】半導(dǎo)體車載冰箱電子制冷原理介紹(圖)????半導(dǎo)體電子制冷又稱熱電制冷,或者溫差電制冷,它是利用“帕爾帖效應(yīng)”的一種制冷方法,與壓縮式制冷和吸收式制冷并稱為世界三大制冷方式。1843年,法國(guó)物理學(xué)家帕爾帖在銅絲的兩頭各接一根鉍絲,再將兩根鉍絲分別接到直流電源的正負(fù)極上,通電后,他驚奇的發(fā)現(xiàn)一個(gè)接頭變熱,另一個(gè)接頭變冷;這個(gè)現(xiàn)象后來(lái)就被稱為“帕爾帖
2025-06-28 12:02
【摘要】海南風(fēng)光第14講,P型硅,N型硅PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管穩(wěn)壓二極管半導(dǎo)體三極管第10章半導(dǎo)體器件本征半導(dǎo)體現(xiàn)代電子學(xué)中,用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺,它們的最外層電子(價(jià)電子)都是四個(gè)。Si硅原子Ge鍺原子§半導(dǎo)體的基本知識(shí)通過(guò)一定的
2025-03-14 23:13
【摘要】名詞解釋本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。名詞解釋N型半導(dǎo)體也稱為電子型半導(dǎo)體,其自由電子濃度進(jìn)大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。在純凈的硅晶體中摻入五價(jià)元素(如磷、砷、銻等),使乊取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中,自由電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子,主要靠自由電子導(dǎo)電。自由
【摘要】?半導(dǎo)體獨(dú)特的物理性質(zhì)與半導(dǎo)體中電子狀態(tài)和運(yùn)動(dòng)特點(diǎn)密切相關(guān)。所以,為了研究和利用半導(dǎo)體的這些物理性質(zhì),本章簡(jiǎn)要介紹半導(dǎo)體單晶材料中電子狀態(tài)和運(yùn)動(dòng)規(guī)律。?半導(dǎo)體單晶材料由大量原子周期性重復(fù)排列而成,而每個(gè)原子又包含原子核和許多電子。如果能寫出半導(dǎo)體中所有相互作用著的原子核和電子系統(tǒng)的薛定諤方程,并求出其解,就能了解半導(dǎo)體的許多物理性質(zhì)
2025-08-10 18:02
【摘要】半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量手冊(cè)質(zhì)量手冊(cè)目錄章節(jié)標(biāo)題頁(yè)碼質(zhì)量手冊(cè)封面/批準(zhǔn)頁(yè)1質(zhì)量手冊(cè)目錄2/3公司簡(jiǎn)介4應(yīng)用范圍5引用標(biāo)準(zhǔn)5術(shù)語(yǔ)和定義5質(zhì)量管理體系要求6/7總
2025-07-02 12:19