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嵌入式系的存儲(chǔ)系統(tǒng)-文庫(kù)吧資料

2025-05-20 07:25本頁(yè)面
  

【正文】 ? 只讀存儲(chǔ)器組織 只讀存儲(chǔ)器RO MEPR OMEE PRO MFLA SH 存儲(chǔ)器組織及接口方式 ? FLASH分為 NORFlash和 NANDFlash其各自的特點(diǎn)如下: ? NOR的讀取速度大于 NAND,NAND的擦除和寫入速度大于 NOR ? NAND擦除單元比 NOR小,因此擦除電路少 ? NAND采用 512字節(jié)的塊 ? 接口差異較大, NAND的尺寸幾乎是 NOR的一半,因此價(jià)格更低 ? NAND的理論擦寫次數(shù)是 100萬(wàn), NOR的是 10萬(wàn) ? NAND的壞塊是隨機(jī)分布的,并且使用復(fù)雜 ? NOR占據(jù) 1~16M的市場(chǎng)而 NAND占據(jù) 8~128M的市場(chǎng) 存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì) ? SRAM的接口設(shè)計(jì) A 0A 1A 2A 3A 4A 5A 6A 7A 8A 9A 10A 11A 12A 13A 14A 15A 0A 1A 2A 3A 4A 5A 6A 7A 8A 9A 10A 11A 12A 13A 14A 15D 0D 1D 2D 3
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