光刻技術(shù)及發(fā)展前景講解-文庫吧資料
2025-05-19 01:35本頁面
【正文】 oval Ready For Soft Bake 前烘 Soft Bake 蒸發(fā)光刻膠中的溶劑 溶劑能使涂覆的光刻膠更薄 但吸收熱量且影響光刻膠的黏附性 過多的烘烤使光刻膠聚合，感光靈敏度變差 烘烤不夠影響?zhàn)じ叫院推毓? Baking Systems 對準(zhǔn) Alignment 對準(zhǔn)方法： a、預(yù)對準(zhǔn)，通過硅片上的 notch或者 flat進(jìn)行激光自動(dòng)對準(zhǔn) b、通過對準(zhǔn)標(biāo)志，位于切割槽上。Photolithography 為什么要“重點(diǎn)”研究光刻？ 半導(dǎo)體工藝的不斷進(jìn)步由光刻工藝決定 為什么要“重點(diǎn)”研究光刻？ 業(yè)界之前所預(yù)測的光刻技術(shù)發(fā)展路線圖 光刻概述 Photolithography ? 臨時(shí)性地涂覆光刻膠到硅片上 ? 轉(zhuǎn)移設(shè)計(jì)圖形到光刻膠上 ? IC制造中最重要的工藝 ? 占用 40 to 50% 芯片制造時(shí)間 ? 決定著芯片的 最小特征尺寸 光刻技術(shù)的 原理 光刻的基本原理 : 是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐蝕性的特點(diǎn)，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。 光刻工序 清洗硅片 Wafer Clean 去除污染物 去除顆粒 減少針孔和其它缺陷 提高光刻膠黏附性 基本步驟 – 化學(xué)清洗 – 漂洗 – 烘干 清洗硅片 Wafer Clean 化學(xué)清洗 漂洗 烘干 預(yù)烘和底膠涂覆 Prebake and Primer Vapor 預(yù)烘： 脫水烘焙 去除圓片表面的潮氣 增強(qiáng)光刻膠與表面的黏附性 通常大約 100 176。另外層間對準(zhǔn)，即套刻精度 ,保證圖形與硅片上已經(jīng)存在的圖形之間的對準(zhǔn)。 b、 接近式曝光（ Proximity Printin
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