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正文內(nèi)容

光電子復(fù)習(xí)參考第4章-文庫吧資料

2025-05-19 01:33本頁面
  

【正文】 漂 移運動,弛豫時間較小,響應(yīng)速度快,頻率響應(yīng)時間 特性好。 光伏探測器是 結(jié)型 ,只有結(jié)區(qū)附近光產(chǎn)生光伏效應(yīng) . ② 光電導(dǎo)探測器 沒有 極性 ,工作必須外加 偏壓 。 ?i pn結(jié)光伏探測器的等效電路圖,并寫出光照下 pn結(jié)的電流方程,畫出其伏安特性曲線,并說明該曲線的特點,請說明利用光伏效應(yīng)制作的探測器有哪些,分別工作在伏安特性曲線圖中的那個區(qū)域? 167。 假定: * 光生電子 空穴對在 pn結(jié)的 結(jié)區(qū) 耗盡區(qū)內(nèi)產(chǎn)生。 iE 如果用理想電流表接通 pn結(jié),則有電流通過,稱為短路光電流: ( pn結(jié)的零偏電阻) 如圖所示為 pn結(jié)的 伏安特性曲線與光電二 極管的伏安特性曲線。此時,用電壓表就能量出 p 區(qū)正, n 區(qū)負的開路電壓。 一旦電子進入 pn 結(jié),就立刻被內(nèi)電場 掃向 n 區(qū)。 因光生空穴對 p 區(qū)空穴濃度影響小,光生電子對 p 區(qū)電子濃度的影響大,則從 p 區(qū)表面向 p 區(qū)內(nèi)自然形成電子擴散趨勢。 rVV ?0 * 無光照的 PN 結(jié)伏安特性曲線: 在無光照時, pn 結(jié)的伏安特性為: 式中: 暗電流, 反向飽和電流, u 結(jié)端偏置電壓, e 電子電荷量, 波爾茲曼常數(shù), T 絕對溫度。 )( 0 VVe ?* 在反偏狀態(tài)下: 當 pn結(jié)反向偏置時,施加的電壓方向與自建電場的方向 相同,勢壘高度增 加 ( ),空 間電荷區(qū)增寬。 pe nn ?ep nn ?* 在正偏狀態(tài)下: 由于耗盡區(qū)的電阻遠比體電阻大,外加電壓 V幾乎全部降 落在耗盡層上,勢壘高度降低到 ,空間電荷變窄。 此時沒有靜電流流過 pn結(jié)。 在內(nèi)建電場作用下 ,載流子出現(xiàn)漂移運動,電子由 p到 n區(qū),空穴由 n到 p區(qū) 。 本節(jié)主要討論 pn 結(jié)的光伏效應(yīng)的原理。 實現(xiàn)光伏效應(yīng)需要有 內(nèi)部電勢壘 ,當照射光激發(fā)出電子空穴對時,電勢壘的內(nèi)建電場將把電子 — 空穴對分開,從而在勢壘兩側(cè)形成電荷堆積,形成光生伏特效應(yīng)。 )(2 ppnnLVeN iM ???? ????nnn LVLVM ?? ???2ntnnt ??探測器:光導(dǎo)管或光敏電阻 (結(jié)合 pn結(jié)圖示說明)?請畫圖說明短路光電流是如何產(chǎn)生的?并推導(dǎo)出其數(shù)學(xué)表達式。 對 n型半導(dǎo)體: ——電子在外電場作用下,渡越半導(dǎo)體長度 L 所 花費的時間,稱為渡越時間。 所以,本征光電導(dǎo)為: 其中: eN光輻射每秒鐘激發(fā)的電荷量 由于光電導(dǎo)的增益 ΔG ,使外回路產(chǎn)生電流增益 Δi : 式中 V是外電壓 。 )/()/(22svcmVLEsvcmVLEpppnnn????????????)( LVE?n? p? 因為載流子的漂移運動效果用半導(dǎo)體的電導(dǎo)率描述,所以:定義半導(dǎo)體的電導(dǎo)率: 半導(dǎo)體的截面積是 A,則其電導(dǎo) G(熱平衡暗電導(dǎo))為: 所以半導(dǎo)體的暗電阻為: 若入射光波長滿足如下條件: 本征半導(dǎo)體 摻雜半導(dǎo)體 pn epen ??? ??))(( 1??? cm)( 1??? LAG ? )1( GR?)(??? ALALR d ?? )1(???)()( mevEgc ??? ?? )()( mevE ic ??? ?? 則光子在半導(dǎo)體中激發(fā)出新的載流子 (電子和空穴 ). 即在原來熱平衡載流子濃度值上,增加了 Δn 、 Δp, 稱其為非平衡載流子,亦稱為 光生載流子 。 在熱平衡條件下,單位時間內(nèi): 熱生載流子產(chǎn)生數(shù)目 ===因復(fù)合而消失的數(shù)目 因此,在熱平衡下,導(dǎo)帶和價帶維持著一定數(shù)目的電子和空 穴濃度,它們的平均壽命分別表示為: 和 。 * 金屬導(dǎo)電 : 由于金屬原子形成晶體時,產(chǎn)生大量的自由電子, 自由電子的濃度 n==常數(shù),不受外界因素影響。 如用波長表示,則為: chE ?? ? ??c?cEhc ????? 因為: , 產(chǎn)生光電發(fā)射的入射光截止波長 (普朗克常數(shù)) 所以: 可見: 小的發(fā)射體,需要 大的光輻射產(chǎn)生光電發(fā)射; 大的發(fā)射體,需要 小的光輻射產(chǎn)生光電發(fā)射。 ?E?h④ 光電子發(fā)射效應(yīng)
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