strf6656應(yīng)用電路原理-文庫吧資料
2025-05-18 19:29本頁面
【正文】 3集電極電壓鉗位在 ，導(dǎo)致反饋電路的電流加大，引起流過光耦的電流增大，從而實現(xiàn)待機控制。 8．待機控制 本電源待機控制電路分為兩路：一路由 V709 控制 12V 電壓和穩(wěn)壓反饋電路 L 5 0 668uHV D 5 5 1RU 4 A2 2 0 P / 2 K VV D 5 5 3RU 3 MC5 5 34 7 0 P / 1 K VV D 5 5 4RU 4 YC5 5 4 4 7 0 P / 1 K VR5 5 11 2 K / 2 WR5 6 13 . 3 K 1 / 2 WR5 5 2 47KR5 5 7 47KR5 5 34 . 7 KR5 5 4150KV D 5 6 1Z W 5 . 6 VV 5 5 32 S C1 8 1 5RP 5 5 1C5 8 210nR5 8 21KC5 3 1C5 6 12 2 0 u F / 1 6 0 VC5 6 04 7 u F / 1 6 0 V C5 6 34 7 0 u F / 3 5 VC5 6 41 0 0 0 u F / 2 5 VR5 6 91 . 0 / 1 WV 5 5 4 2 S D 4 0 0C5 6 747UB2 KV 5 5 52 S C1 8 1 511 1291013814+ 130V+ 12VC5 6 8470uFC5 6 910nR5 6 710KV 5 5 12 S B9 5 8R5 6 410KR5 6 81 . 0 / 1 WR5 6 53 . 9 KV 5 8 42 S C1 8 1 5V 7 0 92 S C1 8 1 5V D 5 8 1Z W 9 . 1 VV 5 8 22 S C1 8 1 5R5 8 34 . 7 KR5 8 410KC5 8 10 . 4 7 u FV D 5 8 2 1 S S 1 3 3+ 26V7N701圖１０ 一路由 V584控制 26V電路。 7．過流保護 STRF6656的過流保護是通過檢測每個振蕩周期的開關(guān)管漏極電流 Id峰值來實現(xiàn)的。當（ 4）腳電壓超過 22． 5V時，過壓保護電路起控，鎖存器工作，使（ 4）腳上的電壓在 10V16V之間來回擺動， IC間歇性的工作，保護 IC，直到電壓低于 ，電路完全不起振。 6．鎖存電路、過壓保過熱保護電路 熱保護、鎖存電路 基板溫度超過 1400C時，過熱保護電路起控，觸發(fā)鎖存器工作，使（ 4）腳上的電壓在 10V16V之間來回擺動， IC間歇性的工作，保護 IC，直到電壓低 圖９ 于 ，電路完全不起振。由此可見這個C513電容非常關(guān)鍵。準諧振方式就是使 MOSFET在 VDS諧振周期的半周期導(dǎo)通，這樣就可以保證 MOSFET的開關(guān)應(yīng)力和開關(guān)損耗比較低。（見圖 9） 在 MOSFET截止期間，如果準諧振信號處于 ，則比較器 1起作用，使電源進入 PRC工作方式，如果準諧振信號超過 （最大值為），則比較器 2起作用，使 MOSFET截止時間（ toff）降為 。在這種控制方式中，輕載時 Vr電壓會升高，可能在 MOSFET導(dǎo)通時對比較器 1產(chǎn)生誤觸發(fā)，所以在（ 1）腳外圍增加了一個有源低通濾波電路，它由電容 C516和 IC內(nèi)部的恒流源組成， C516還有高頻吸收旁路的作用。見圖 8。由圖 7可知，當變壓器 T501次級輸出電壓 (+B)變化時，經(jīng)過取樣、比較后，流過光耦 VD515（ 1）（ 2）腳的電流增大，光電耦合器中光敏三極管的內(nèi) 阻減小，輸出電流增大。放電時間常數(shù) C*R決定（約為 50us）決定了 MOSFET的截止時間，而（ 1）腳電壓上升的快慢決定了 MOSFET的導(dǎo)通時間。 MOSFET截止后，電容 C通過內(nèi)部電阻 R放電 ,電容 C兩端
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