【正文】 投資 億元人民幣。 應滿足生產(chǎn)儲存條件。不僅是可行性，還要考慮數(shù)量、品質(zhì)、來源的穩(wěn)定性。應考慮環(huán)境保護的要求和可能獲得的環(huán)境容量，以及環(huán)保治理設施投資等措施。在確定項目策略和產(chǎn)品方案時應考慮資源的綜合利用，提出主要產(chǎn)品和副產(chǎn)品的組合方案。應有專業(yè)化協(xié)作，以及上下游產(chǎn)業(yè)鏈、產(chǎn)品鏈的銜接。應以國內(nèi)外市場需求來確定項目策略和產(chǎn)品的品種、數(shù)量、質(zhì)量，并能較好地適應市場變化。應符合國家鼓勵發(fā)展的產(chǎn)業(yè)和產(chǎn)品方向、國家技術(shù)政策和技術(shù)標準，使產(chǎn)品具有較高的技術(shù)含量和市場競爭力。 李蕭蕭的個人主頁 需要文檔請給我留言。 公用工程聯(lián)接方便（如各種管網(wǎng)系統(tǒng)）等。 注意環(huán)境保護，以人為本，減少對生態(tài)和環(huán)境的影響。 節(jié)約項目用地，盡量不占或少占農(nóng)田。 符合國家、地區(qū)和城鄉(xiāng)規(guī)劃的要求。土地規(guī)劃及使用手續(xù)齊全完備。 安徽省來安縣工業(yè)新區(qū)作為省級工業(yè)園區(qū)，省、市、縣三級領(lǐng)導對其項目的建設，高度重視，十分支持。縣自來水廠計劃在工業(yè)區(qū)（即新城區(qū)）建設 日供水能力達 。 來安縣電話交換容量已達 萬門，移動電話和無線尋呼系統(tǒng)覆蓋全縣。來安現(xiàn)已開通至合肥、北京、上海、深圳等地班車。 26′ ,距南京 60 公李蕭蕭的個人主頁 需要文檔請給我留言。 （四）基礎(chǔ)設施條件 交通和通訊 來安地處東徑 118176。 如金禾化工、海達軸承、享通橡塑、賽華電纜、金邦醫(yī)藥、華峰醫(yī)藥，長年醫(yī)藥以及碧綠春酒業(yè)、康業(yè)油脂等企業(yè) 。 （ 2） 根據(jù)《安徽省地震裂度區(qū)劃圖》，來安縣區(qū)域抗震設防裂度為 6度，生命線工程按 7度設防。 第三系：主要分布于縣城至施官以北。 奧陶系：在本縣平陽水庫東南側(cè)出露，為奧陶系早期沉積。 李蕭蕭的個人主頁 需要文檔請給我留言。地表所見有中元古界、震旦系、奧陶系、白堊系、第三系和第四系，此外，在半塔河丫口勘查石油的鉆孔中見到寒武系灰色條帶狀結(jié)晶灰?guī)r 。按平水量計算，人均擁有地表水比全省和全國人均擁有地表水量低 368 立方米和 1608立方米。地表水和外來水為分區(qū)水資源。 水文 本縣河流屬長江、淮河兩大水系，總長 226 公里，流域總面積 1481 平方公里，其中屬長江水系的有滁河、來河、清流河、五加河、施河、皂河，總流域面積 1220 平方公里，屬淮河水系的有白塔河，流域面積 261平方公里。大風每年平均達 次，最多年 30 次（ 1965 年），最少年 5次（ 1961 年）。 李蕭蕭的個人主頁 需要文檔請給我留言。年際變化在 毫米之間。 ②降水：本縣年均降水量 ， 80%保證年份降水量達 788 毫米。 ①溫度：本縣年平均氣溫為 ℃，最高年份平 均氣溫℃ ,最低年份平均氣溫 ℃。 河漫灘：發(fā)育在滁河及其支流兩側(cè)，地勢開闊平坦，微向河面傾斜，標高 1020 米，各支流河谷漫灘發(fā)育較窄，上游標高可達 50 米，組成物為全新紀亞粘土，約占全縣面積 30%。 丘陵：分布在低 山外圍或居于低山兩側(cè)，呈帶狀，和低山組成梯狀地形，約占全縣面積的 30%。全縣海拔高度小于 220 米，相對高程大于 100 米，境內(nèi)地貌類型分為丘陵、階地和河漫灘三種。南部為崗坳相間的波狀平原，緩丘零星分布。 （二） 自然條件 地形、地貌 來安縣境內(nèi)地勢西北高，東南低?？h域總面積 1481 平方公里。 縣域東鄰來安縣和江蘇省南京市六合區(qū)，西接明光市、滁州市，南連江蘇省南京市浦口區(qū)，北界江蘇省盱眙縣，滁天公路、 104 國道以及正在建設的蚌寧高速公路穿境而過。104國道、滁天公路和建設中的蚌寧高速公路穿境而過?？偯娣e 1481 平方公里，耕地面積 平方公里。 20′ — 118176。 10′ — 32176。 李蕭蕭的個人主頁 需要文檔請給我留言。累計完成投資達 4000 萬元。 完成廠區(qū)總體規(guī)劃設計，其中包括電力給排水系統(tǒng)、 水循環(huán)系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、消防系統(tǒng)、園林、道路、倉儲、辦公等。項目已籌集了相當資金，現(xiàn)正在申請國家開發(fā)銀行貸款支持。本項目依托北京光電子研究所的最新研究成果引進整套成熟技術(shù)，同時高薪聘用原北京光電研究所的高級工程師、技術(shù)員，已經(jīng)形成了具有人才梯次的高技術(shù)核心團隊，為項目 的實施及順利投產(chǎn)提供了堅實的技術(shù)保障。 本項目所涵蓋的單晶硅棒太陽能電池板項目，不僅符合國家星火計劃重點扶持發(fā)展的信息產(chǎn)業(yè)政策精神，也符合安徽省“十一五”規(guī)劃的重點建設項目的政策導向。高檔的單晶硅、多晶硅主要依靠進口，因此，產(chǎn)品的需求和供給的需缺形勢仍然十分嚴俊，預示著產(chǎn)品具有巨大的潛在的需求市場。 （ 3）目前國內(nèi)生產(chǎn)單晶硅的廠家雖然已有較多家，主要分布在四川、河南、北京、上海等地，但這些廠家生產(chǎn)的產(chǎn)品多為低檔產(chǎn)品。單晶硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展依靠國外的事實不能長期下去，為了改變這樣的境地，國內(nèi)企業(yè)應走“產(chǎn)、學、研”之路，加強與高等院校、科研院所的合作，因為國內(nèi)很多李蕭蕭的個人主頁 需要文檔請給我留言。 中國半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，拉動了對拋光硅片需求的快速增長，國內(nèi)生產(chǎn)遠遠無法滿足市場的需求 ，拋光硅片需要大量的進口。中國的有研硅股和峨嵋半導體材料廠有 200mm 直拉硅單晶的生產(chǎn)能力，浙大海納在寧波投資建立 200mm直拉硅單晶生產(chǎn)廠。在硅單晶拉制和硅片加工方面，硅單晶主流產(chǎn)品是 100150m，也建立了直徑100150mm 的硅片生產(chǎn)線。為了滿足這種巨大的需求，國內(nèi)外廠家紛紛在中國建立和準備建立晶片和 IC 生產(chǎn)線。 此 近年來，中國單晶硅需求量明顯穩(wěn)步增長，增長的原因是一方面來自國際上對低檔和廉價硅材料需求的增加。市場對 6英寸和 8英寸硅片的需求增長非常強勁，成為拋光硅李蕭蕭的個人主頁 需要文檔請給我留言。 2020 年中國 IC 制造業(yè)實現(xiàn)了超高速增長，在下游市場的拉動下， 2020 年單晶硅棒的市場需求量為 ，增長率高達 %。 （ 2） 單晶硅是半導體器件生產(chǎn)的關(guān)鍵性基材。由于技術(shù)水平低，產(chǎn)品質(zhì)量差、生產(chǎn)成本高等原因，絕大部分廠家都想繼停產(chǎn)，目前只有兩家還在生產(chǎn)，加起來年產(chǎn)量也只有幾十噸，在全世界 2萬噸左右產(chǎn)量中還占不到1%，根本無法參與國際竟爭。國內(nèi)多晶硅不足 100 噸的產(chǎn)量根本無法滿足單晶硅增長的需要，大量的多晶硅缺口只有靠進口解決。近幾年，北京、上海、深圳等地已引 進幾條芯片生產(chǎn)線，國內(nèi)電腦芯片對單晶硅片的需求大增。 集成電路（電腦芯片）基礎(chǔ)材料。從經(jīng)濟和生產(chǎn)實際需要看，只要工藝可行，硅片直徑越大，越能滿足市場需要。到 2020 年，單晶硅年需量將超過 50 噸。隨著國家經(jīng)濟實力的發(fā)展，如舊電網(wǎng)的改造，新電網(wǎng)的建設，電力機車的提速等基礎(chǔ)設施投資將會加大力度，與之相應的電力電子元件及裝置需求將有一個大幅度增長，多晶硅、單晶硅市場前景廣闊。 晶硅、單晶硅主要用于制作電力電子行業(yè)所需的大功率元件、紅外探測器件、太陽能電池、半導體元件等領(lǐng)域。 （ 1）市場需求分析 作為光電子及信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料和太陽能板及光伏電池的核心材料 ，單晶硅產(chǎn)品被廣泛的應運于計算機芯片（ IC）、能源、航天、電子、微電子等各個領(lǐng)域，具有非常廣闊的產(chǎn)業(yè)前景。結(jié)合晶體材料及其產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展，可以說在21 世紀（太元世代）電子、光子材料將會再創(chuàng)輝煌，人工晶體的前景仍是一片燦爛。眾光電子材料和光子材料的發(fā)展來看，用先進外延技術(shù)在單晶薄膜是化合物半導體光電子材料的特點，單晶仍然是光電子材料和光子材料的基礎(chǔ)，而在信息技術(shù)中光子作為信息載體具有響應速度快、信息容量大等特點，目前光子材料正在人工晶體等材料的基礎(chǔ)上發(fā)展，光伏電池技術(shù)的結(jié)合今后依然是全球信息科技的基本構(gòu)架。而電 子、光電子和光材料是信息功能材料的主體。他首先引用了原國際晶體生長主席、美國工程院院士 1974年對新世紀人工晶體的預言：“單晶肯定將繼續(xù)從電子學的研究和技術(shù)中起著中心作用。 二、市場需求分析和 預測 市場需求初步預測和生產(chǎn)能力分析 山東大學蔣民華院士作了題為“電子材料光子材料和人工李蕭蕭的個人主頁 需要文檔請給我留言。 （三）產(chǎn)品運營條件及經(jīng)濟優(yōu)點 ： （ 1）高電耗，其生產(chǎn)過程中電價占整個成本的 30%左右； 高投入，建一家年產(chǎn) 1000 噸的多晶硅工廠，大約需要 億美元； （ 2）高技術(shù)，國內(nèi)外技術(shù)差別較大，目前國內(nèi)生產(chǎn)技術(shù)還比較落后，如果依靠國外先進技術(shù)建本項目，能夠降低成本，提高產(chǎn)品的產(chǎn)量和質(zhì)量。中國消耗的大部分集成電路及其硅片仍然依賴進口。 日本、美國和德國是主要的硅材料生產(chǎn)國。預計到 2020 年， 12 英寸硅片可以進入商業(yè)化生產(chǎn)階段。例如， 1997年全球共消耗 億片，其中 4 英寸以下硅片占 %， 5英寸占 %， 6英寸占 %， 8英寸占 %，人們預計到2020年，硅片消耗量可能比 1997年上升 60%，但是小直徑的硅片尤其是 6英寸以下硅征會逐步減少，預計 4英寸以下硅征可能占 19%， 5英寸占 %， 6英寸占 %， 8英寸的占 %，12 英寸的占 %。 單晶硅的制造技術(shù)，在保證半導體質(zhì)量標準的前提下，向來根據(jù)硅片的直徑大小評價其技術(shù)水平。存儲器電路通常使用 CZ 拋光片，因成本較低。 由于成本和性能的原因，直拉法（ CZ）單晶硅材料應用最廣。目前晶體直徑可控制在Φ 36 英寸。 目前晶體直徑可控制在Φ 38英寸。直拉法生長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法（ CZ）、區(qū)熔法（ FZ）和外延法。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。多晶硅太陽電池的制作工藝與單晶硅太陽電池差不多，其光電轉(zhuǎn)換效率約 12％左右，稍低于單晶硅太陽電池，但其材料制造簡便，節(jié)約電耗，總的生產(chǎn)成本較低，因此得到大量發(fā)展。 多晶硅太陽電池：目前太陽電池使用的多晶硅材料，多半是含有大量單晶顆粒的集合體，或用廢次單晶硅材料和冶金級硅材料熔化澆鑄而成，然后注入石墨鑄模中，待慢慢凝固冷卻后，即得多晶硅錠。為了降低生產(chǎn)成本，現(xiàn)在地面應用的太陽電池等采用太陽能級的單晶硅棒，材料性能指標有所放寬。 單晶硅太陽電池：單晶硅太陽電池是當前開發(fā)最快的一種 太陽電池，它的結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝已定型，產(chǎn)品已廣泛用于空間和地面。單晶硅棒是生產(chǎn)單晶硅片的原材料，隨著國內(nèi)和國際市場對單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。熔融的單質(zhì)硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。多晶硅太陽電池的制作工藝與單晶硅太陽電池差不多，其光電轉(zhuǎn)換效率約 12％左右，稍低于單晶硅太陽電池，但其材料制造簡便，節(jié)約電耗，總的生產(chǎn)成本較低，因此得到大量發(fā)展。 多晶硅太陽電池：目前太陽電池使用的多晶硅材料，多半是含有大量單晶顆粒的集合體，或用廢次單晶硅材料和冶金級硅材料熔化澆鑄而成，然后注入石墨鑄模中，待慢慢凝固冷卻后，即得多晶硅錠。為了降低生產(chǎn)成本，現(xiàn)在地面應用的太陽電池等采用太陽能級的單晶硅棒，材料性能指標有所放寬。這種太陽電池以高純的單晶硅棒為原料，純度要李蕭蕭的個人主頁 需要文檔請給我留言。 單晶硅太陽電池。 多晶硅、單 晶硅已滲透到國民經(jīng)濟和國防科技中各個領(lǐng)域，當今全球超過 2020 億美元的電子通訊半導體市場中 95%以上的半導體器件及 99%以上的集成電路用硅。本世紀 50 年代以來，隨著半導體工業(yè)的需要而迅速發(fā)展。美國的大型航天器太空實驗室上就安裝有 4塊太陽能電池帆板，它們是由 147840塊 8平方厘米大小的單晶硅太了腎電池排列組成的，發(fā)電功率大約為 12KW。如果 1平方米鋪滿硅太陽能電池，就可以得到 100W 電力。由于當前信息工程的發(fā)展，硅主要用于微電子技術(shù)。 量約為 3106 千克。硅材料是當前最重要的斗導體材料。 單晶硅是比較活潑的一種非金屬元素，它能和 96 種穩(wěn)定元素中的 64 種元素形成化合物。直到上世紀 60 年代開始，硅材料就取代了原有鍺 材料。超純單晶硅是最早使用的半導體材料，其純度可高達 %，在這樣純的單晶硅中，每一萬億個原子中有一個雜質(zhì)原子。 本世紀 50 年代，半導體應用的發(fā)展，帶動了單晶硅的生產(chǎn)。