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高二化學物質(zhì)的結構與性質(zhì)專項訓練單元達標質(zhì)量專項訓練-文庫吧資料

2025-04-05 04:16本頁面
  

【正文】 480g,那么每個晶胞的質(zhì)量m=,因為晶胞參數(shù)=apm=a1010cm,所以每個晶胞的體積V=(a1010cm)3,由==g6.d N 電子氣 A 6 “頭碰頭” 高于 均為離子晶體,O2半徑比S2半徑小,MnO晶格能大,熔點高 MnO2 6 【解析】解析:d N 電子氣 A 6 “頭碰頭” 高于 均為離子晶體,O2半徑比S2半徑小,MnO晶格能大,熔點高 MnO2 6 【解析】【分析】(1)Mn是25號元素,原子核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d54s2;錳可導電,導熱,具有金屬光澤,有延展性,是因為有自由電子,這些性質(zhì)都可以用“電子氣理論”解釋;(2)A.Mn3+在水溶液中容易歧化為MnO2和Mn2+,說明Mn3+不穩(wěn)定;B.Mn2+中價電子層不含成對電子,但是內(nèi)層中含有成對電子;C.第四周期中價電子層中未成對電子數(shù)最多的元素價電子排布式為:3d54s1;D.Mn2+與Fe3+具有相同的價電子構型,微粒的化學性質(zhì)不僅與價電子構型有關,也和微粒的電荷數(shù)、微粒半徑、原子序數(shù)有關;(3)MnF62?的空間構型是正八面體,則中心原子的價層電子對數(shù)為6;F與Mn之間的共價鍵都是共價單鍵;(4)物質(zhì)都屬于離子晶體,離子晶體的陰離子帶有相同電荷,離子半徑越小,離子鍵越強,晶格能越大,熔點越高;(5)用均攤法計算確定化學式,并結合微粒的空間排列確定Mn的配位數(shù);由晶胞結構可知:在該晶胞中距離相等且最近的2個Mn在晶胞體對角線的一半。計算過程中要注意長度單位的轉換。最后根據(jù)晶胞的結構特點,求出有關晶胞的各種數(shù)據(jù)。1mol該晶胞中含4molBP,質(zhì)量為4M g,磷化硼晶體的密度為= g/cm3=g/cm3。 用Mg/md表示磷化硼的摩爾質(zhì)量,NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值。(5)把該晶胞分成8個小立方體,其中一個小立方體的頂點和體心之間的距離為硼原子與磷原子最近的距離,硼原子與磷原子最近的距離為a cm。其中PCl3各原子均滿足8電子穩(wěn)定結構,分子中價層電子對數(shù)n==4,P原子的雜化軌道類型為sp3雜化,其分子的空間構型為三角錐形。硅、磷、硫的第一電離能由大到小的順序為P>S>Si。(2)一般地,非金屬性越強的元素,其第一電離能越高。判斷碳原子的雜化類型可根據(jù)其成鍵情況來判斷,碳原子若成四個單鍵,其雜化類型必為sp3,若成一個雙鍵,兩個單鍵,其雜化類型必為sp2,若成一個單鍵,一個三鍵,其雜化類型必為sp.在每個C60分子中,由于碳原子都采取sp2雜化,故參與形成σ鍵的電子只有3個,所以形成σ鍵的電子共有603=180個,而每個σ鍵需要2個電子,所以σ鍵的數(shù)目為90個,故1molC60中σ鍵的數(shù)目為90NA;①同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢,但注意第VA族元素大于相鄰元素的第一電離能;②與硫離子最近的鋅離子的數(shù)目為硫離子的配位數(shù),根據(jù)均攤法計算晶胞中Zn、S原子數(shù)目,用阿伏伽德羅常數(shù)表示出晶胞質(zhì)量,再結合m=ρV計算與S距離最近且等距離的S之間的距離;③計算Se原子價層電子對、孤電子對,確定其空間構型;【詳解】(1)E為Cu元素,原子核外電子數(shù)為29,基態(tài)原子的電子排布式為[Ar]3d104s1,故答案為:[Ar]3d104s1;(2)H2S分子中S原子的價層電子對數(shù)=,S原子采取sp3雜化,故答案為:sp3;(3)NH3極易溶于水,其原因主要是NH3與水分子間形成氫鍵,由于一水合氨電離產(chǎn)生銨根離子和氫氧根,故NH3?H2O中N原子與水中的H原子之間存在氫鍵,應為b結構,故答案為:與水分子間形成氫鍵;(4)每個碳原子形成3個σ鍵個數(shù)且不含孤電子對,所以采用sp2雜化,每個碳原子含有的σ鍵個數(shù)為32,所以1molC60分子中σ鍵的數(shù)目==90NA,故答案為:sp2;90NA;(5)①As和Se屬于同一周期,且As屬于第VA族,Se屬于第VIA族,As原子4p能級容納3個電子,為半滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,第一電離能高于Se,故答案為:;②根據(jù)圖片知,每個S離子連接4個Zn離子,所其配位數(shù)是4;晶胞中Zn原子數(shù)為4,S原子數(shù)為,晶胞質(zhì)量,則,與S距離最近且等距離的S之間的距離為,故答案為:4;;③二氧化硒分子中Se原子孤電子對數(shù),價層電子對=2+1=3,所以其空間結構為V形,故答案為:V形?!军c睛】大π鍵中成鍵電子數(shù)=價電子總數(shù)鍵數(shù)2未參與的孤對電子個數(shù);具有相同價電子數(shù)和相同原子數(shù)的分子或離子具有相同的結構特征,這一原理稱為等電子原理,滿足等電子原理的分子、離子或原子團稱為等電子體?!军c睛】本題考查物質(zhì)結構知識,涉及到價電子排布,配位鍵的形成,氫鍵的性質(zhì),雜化軌道理論,晶胞的簡單計算,難點(7)認真觀察結構圖,找出粒子數(shù)之間的關系。故答案為:;Ⅲ.(6)根據(jù)晶胞結構分析,底心Na+周圍等距且最近的BH4-個數(shù)即為Na+的配位數(shù),則Na+的配位數(shù)為8,故答案為:8;(7)晶胞中頂點粒子占,面心粒子占,棱上粒子占,若硼氫化鈉晶胞上下底心處的 Na+被 Li+取代,則BH4-個數(shù)為4,Na+數(shù)目為3,Li+數(shù)目為1,所以得到的晶體的化學式為:Na3Li(BH4)4 ,故答案為:Na3Li(BH4)4 ;(8)的C=O雙鍵中氧原子含有2對孤對電子,由于孤對電子與成鍵電子對排斥力大于成鍵電子對之間排斥力,故CH3COOH分子中鍵角2<鍵角1。故答案為:加熱破壞了硼酸分子之間的氫鍵,增大了硼酸與水形成氫鍵的幾率;(4)硼酸是一元弱酸,其分子式亦可寫為B(OH)3,在水中電離時,硼酸結合水電離出來OH的而呈酸性,硼酸的電離方程式H3BO3+H2O[B(OH)4]+H+。由圖可知,B原子形成3個BOσ鍵,沒有孤電子對,B原子雜化軌道數(shù)目為3,B原子采取sp2雜化方式。(寫出計算表達式)【參考答案】***試卷處理標記,請不要刪除一、物質(zhì)的結構與性質(zhì)的綜合性考察1.Li、F sp2 加熱破壞了硼酸分子之間的氫鍵,增大了硼酸與水形成氫鍵的幾率 H3BO3+H2O[B(OH)4]+H+ 8 Na3Li(BH4)4解析:Li、F sp2 加熱破壞了硼酸分子之間的氫鍵,增大了硼酸與水形成氫鍵的幾率 H3BO3+H2O[B(OH)4]+H+ 8 Na3Li(BH4)4 < MgB2 【解析】【分析】【詳解】Ⅰ.(1)B的基態(tài)原子電子排布式為 1s22s22p1,與B的基態(tài)原子電子排布式中成單電子數(shù)相同的第二周期元素還有Li和F,兩種元素最外層只有1個單電子。Fe3O4中有一半的Fe3+填充在正四面體空隙中,另一半Fe3+和Fe2+填充在正八面體空隙中,則Fe3O4晶體中,正四面體空隙數(shù)與O2數(shù)之比為_____,有_____%的正八面體空隙沒有填充陽離子。(5)C元素最高價含氧酸與硫酸酸性強度相近,原因是______。A.二氧化硅的相對分子質(zhì)量比二氧化碳大,所以沸點SiO2>CO2B.電負性順序:C<N<O<FC.N2與CO為等電子體,結構相似,化學性質(zhì)相似D.穩(wěn)定性:H2O>H2S,原因是水分子間存在氫鍵(3)某化合物與F(Ⅰ)(Ⅰ表示化合價為+1)結合形成如圖所示的離子,該離子中碳原子的雜化方式是______。請回答下列問題:(1)請寫出D基態(tài)的價層電子排布圖:_____。12.現(xiàn)有A、B、C、D、E、F 原子序數(shù)依次增大的六種元素,它們位于元素周期表的前四周期。已知Kr晶體的晶胞結構如圖所示,設NA為阿伏伽德羅常數(shù)的值,晶胞邊長為540pm,則該晶體的密度__g/cm3(只列式不計算,Kr摩爾質(zhì)量為85g(4),NO能被FeSO4溶液吸收生成配合物[Fe(NO)(H2O)5]SO4,該配合物中心離子的配位數(shù)為__。(2)N和O中第一電離能較小的元素是__;SO42的空間構型是__。11.冬季我國北方大部分地區(qū)出現(xiàn)霧霾天氣,引起霧霾的微細粒子包含(NH4)2SONH4NO有機顆粒物、揚塵、重金屬銅等。②如圖為NiO晶胞,則晶體中Ni2+的配位數(shù)為___;若晶胞中Ni2+距離最近的O2之間的距離為apm,則NiO晶體的密度=___g(5)高氯酸三碳酰肼合鎳可由NiO、高氯酸及碳酰肼化合而成。(4)高氯酸三碳酰肼合鎳化學式中的CHZ為碳酰肼,其結構為,它是一種新型的環(huán)保鍋爐水除氧劑。(3)①ClO4的VSEPR模型是___。(1)寫出基態(tài)Ni原子的外圍電子排布圖___。
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