【正文】 5. 陳煒鐘實、洪明、隋元主編 精選家用電子制作電路300例人民郵電出版社，1998年9月 6. 李全利 遲榮強 《單片機原理及接口技術(shù)》北京高等教育出版社 2004年1月 樓然笛《單片機課程設(shè)計 實例指導(dǎo)》北京航空航天大學(xué)出版社，2004年 8. 谷樹忠 閆勝利 主編 Protel 2004實用教程 電子工業(yè)出版社，2005年2月 附錄1源程序 ORG 00H AJMP START ORG 30H START: MOV R0,09H MOV R1,09H MOV R2,09H MOV R6,09H MOV DPTR,TAB MAIN: MOV R7,200 LOOP: LCALL DISP DJNZ R7,LOOP LCALL ADD1 AJMP MAIN DISP: MOV A,R0 ORL P2,00001110B ANL P2,11111110B MOVC A,A+DPTRMOV P1,A LCALL DELAY MOV A,R1 ORL P2,00001101B ANL P2,11111101B MOVC A,A+DPTR MOV P1,A LCALL DELAY MOV A,R2 ORL P2,00001011B ANL P2,11111011B MOVC A,A+DPTR MOV P1,A LCALL DELAY MOV A,R6 ORL P2,00000111B ANL P2,11110111B MOVC A,A+DPTR MOV P1,A LCALL DELAY RET ADD1: DEC R0 CJNE R0,0FFHRETT MOV R0,09H DEC R1 CJNE R1,0FFH,RETT MOV R1,09H DEC R2 CJNE R2,0FFH,RETT MOV R2,09H DEC R6 CJNE R6,0FFH,RETT MOV R6,09H RETT: RET DELAY: MOV R3,25 D1: MOV R4,25 DJNZ R4,$ DJNZ R3,D1 RET TAB: DB 0C0H,0F9H,0A4H,0B0H,99H DB 92H,82H,0F8H,80H,90H END 。 3. 鮑宏亞等編著，《MCS51系列單片機應(yīng)用系統(tǒng)》中國宇航出版社，2005年9月。 致 謝 在本次設(shè)計過程中得到了指導(dǎo)老師的大力支持，在此表示感謝！在畢業(yè)設(shè)計的過程中，本系的各位老師和領(lǐng)導(dǎo)也給予了諸多幫助和支持，在此作者也表示感謝！感謝各位老師多年來的教誨與幫助，也感謝各位同學(xué)在學(xué)習(xí)上的幫助！ 參 考 文 獻(xiàn) 1. 李廣弟等編著，《單片機基礎(chǔ)》，北京航空航天大學(xué)出版社，2001年7月。 結(jié)束語 通過本次設(shè)計，使我認(rèn)識并了解了基本的設(shè)計開發(fā)過程，在這過程中，我的身邊的同學(xué)們給了我很多的啟示和幫助，而且我覺的對以前不了解的單片機知識有了一個更高更深的了解。 點擊Target 1前面的+號，右鍵單擊Source Group 1——〉選擇Add Files to Group Source Group 1，選擇添加 Add。C文件建好啦。 3. 在工程中加入文件。Project菜單——〉New project ，選擇好我們要保存的文件夾后，鍵入Frist 保存。它之所以具有這種功能，實際上它有兩塊程序flash區(qū)，其中一塊flash中運行的程序可以更改另外的一塊程序flash區(qū)中的程序，正是利用這一特性才用它作成了仿真器，我們把仿真器的監(jiān)控程序事先燒入SST89C58，監(jiān)控程序通過SST89C58的串口和PC通訊，當(dāng)使用KEIL C51的IDE環(huán)境仿真時，用戶的程序通過串口被監(jiān)控程序?qū)懭雈lash程序區(qū)中，當(dāng)用戶設(shè)置斷點等操作仿真程序時，flash程序中的用戶程序也在相應(yīng)的更改，從而實現(xiàn)了仿真功能 。 MCS—51的一個機器周期含有6個狀態(tài)周期，而每個狀態(tài)周期為2個振蕩器周期，因此一個機器周期共有12個振蕩周期，如振蕩器的頻率為12MHz，一個振蕩器周期為1/12微秒，而一個機器周期為1微秒。 第３章 系統(tǒng)調(diào)試 硬件調(diào)試 MCS51的CPU時序電路 MCS51的振蕩器輸入分別由引腳19（XTAL1）和引腳18（XTAL2）來完成。如常用的各種開關(guān)、接插件、發(fā)光二極管、揚聲器、耳機等，主要用萬用電表檢測它們的通斷情況。 即可視為合格。如對音樂集成電路進(jìn)行測試，可先制作一個簡易電路，留出音樂集成電路的插腳（或用夾子），將音樂集成電路置于電路中，如果發(fā)聲正常則可使用，否則不可使用。集成電路的門類、品種很多，在業(yè)余條件下，電子愛好者似乎沒有特別的測試方法，采用萬用電表進(jìn)行測量時，只能對照已知的集成塊引腳數(shù)據(jù)，用測得的數(shù)據(jù)與已知的數(shù)據(jù)進(jìn)行對比，從而判斷出被測集成塊的好壞。 以上所述的管子測量方法雖是粗略的，但一般都切實可行，如欲進(jìn)行更嚴(yán)格的測量篩選，則宜使用專門的測試儀器。用萬用電表的R1kΩ檔，其表棒分別接在場效應(yīng)管的S極和D極上，然后用手碰觸管子和G極，若表針不動，說明管子不好；若表針有較大幅度的擺動，說明管子可用。也可能利用人手的電阻，用手捏位管子的cb兩極，但不要使它們短路，以手的皮膚電阻代替R。如果加上電阻R之后表針變化的角度不大或根本不變，則說明管子的放大作用很差或已經(jīng)損壞。如果被測管是NPN型，可按此方法測試，如果被測管是PNP則按虛線方式連接。如果測得的阻值接近于零，說明管子內(nèi)部已擊穿短路，不能使用。如果所測得的數(shù)值過小，說明管子的穿透電流大，管子的性能不好。 在檢查三極管的穿透電流大小時，可采用圖4所示的測量法，圖中被測的是NPN型三極管，如果是NPN型三極管，其測試棒應(yīng)與管腳對調(diào)。已知一個三極管的型號和管腳排列，可采用如下簡易測試法來判斷它的性能。 7. 晶體三極管。如果測得它的正、反向電阻都是無窮大，說明該二極管內(nèi)部已開路；如果它的正、反向電阻均為0，說明二極管內(nèi)部已短路；如果它的正、反向電阻相差無幾，說明二極管的性能變差失效。反之，紅表棒接二極管的負(fù)極，黑表棒接它的正極，測得的是正向電阻。對于常用的小功率二極管，反向電阻應(yīng)比正向電阻大數(shù)百倍以上。 用萬用電表測量二極管時，可選用歐姆檔R1kΩ。晶體二極管是一種非線性器件，它的正、反兩個方向的電阻值相差懸殊，這就是二極管的單向?qū)щ娦?。利用萬用電表對其進(jìn)行檢測時，即只能判斷出它的直流電阻值，如果已經(jīng)標(biāo)明了數(shù)值的電感器，只要其直流電阻值大致符合。由于通過電感的電流值不能突變，所以，電感對直流電流短路，對突變的電流呈高阻態(tài)。 5. 電感器。由于三極管VT的電流放大作用，較小容量的電容器也能引起表針較大幅度的擺動，然后返回到∞位置，如不能返回到∞處的，則可估測出漏電電阻。在萬用電表與被測小電容器之間加裝一只NPN型硅三極管，要求其β值大于100，集電極發(fā)射極之間的耐壓應(yīng)大于25V，ICEO越小越好。反接時一般漏電電阻要比正接時小，利用這一點，還可判斷出無極性標(biāo)志的電解電容器的極性。表針返回后越接近∞處，說明所檢測的電容器漏電越小，即所檢測的電容器的質(zhì)量越高。當(dāng)萬用電表的兩根表棒與電容器的兩引腳相接時，表針先向順時間方向偏轉(zhuǎn)一個角度，此時稱為電容器的充電，當(dāng)充電到一定程度時，電容器又開始放電，此時萬用電表的指針便返回到∞位置。用萬用電表的歐姆檔檢查電容器是利用了電容器能夠充放電原理進(jìn)行的，這時應(yīng)選用歐姆檔的最高量程（R1kΩ或R10kΩ）來測量。 4. 電容器在電路中擔(dān)任隔直、濾波、旁路、耦合、中和、退耦、調(diào)諧、振蕩等。在檢查電容器時，如果電解電容器的貯存期超過了三年，可以認(rèn)為該元件已經(jīng)失效。電容器也是電子裝置中用得最多的電子元器件之一。同時亦可通過外觀檢查綜合判斷其優(yōu)劣。20%。5%、177。 2. 檢測該元件時，主要看它的標(biāo)稱阻值與實際測量阻值的偏差程度。它是所有電子裝置中應(yīng)用最為廣泛的一種元件，也是最便宜的電子元件之一。下面例舉幾種基本元器件的檢測。當(dāng)然，對于不同的電子元器件應(yīng)有不同的測量儀器，但對于業(yè)余電子愛好者來說，一般不具備專用電子測量儀器的條件，但起碼應(yīng)有一塊萬用電表，利用萬用電表可以對一些常用的電子元器件進(jìn)行粗略檢測。對于一些急用的電子元器件，也可采用簡易電老化方式，可采用一臺輸出電壓可調(diào)的脈動直流電源，使加在電子元器件兩端的電壓略高于元件額定值的工作電壓，調(diào)整流過元器件的電流強度，－2倍額定功率，通電幾分鐘甚至更長時間，利用元器件自身的特性而發(fā)熱升溫，完成簡易老化過程。對于業(yè)余愛好者來說，在單件電子制作過程中，是不太可能采取這些方法進(jìn)行老化檢測的，在大多數(shù)情況下，采用了自然老化的方式。因此，人們只能人為地創(chuàng)造早期工作條件，從而在制成產(chǎn)品前就將劣質(zhì)品剔除，讓用于產(chǎn)品制作的元器件一開始就進(jìn)入正常使用階段，減少失效，采用的老化篩選項目一般有：高低溫循環(huán)老化；高低溫循環(huán)老化；高低溫沖擊老化和高溫功率老化等。 電子元器件失效的原因，是由于在設(shè)計和生產(chǎn)時所選用的原材料或工藝措施不當(dāng)而引起的。過了正常使用階段，電子元器件便進(jìn)入了耗損老化期階段，那將意味著壽終正寢。篩選的理論是：如果試驗及應(yīng)力等級選擇適當(dāng)，劣質(zhì)品會失效，而優(yōu)良品則會通過。 電氣性能的篩選 要保證試制的電子裝置能夠長期穩(wěn)定地通電工作，并且經(jīng)得起應(yīng)用環(huán)境和其它可能因素的考驗，對電子元器件的篩