【正文】 6:21:25 下午 6:21 下午 18:21:25一月 21MOMODA 一月 216:21 下午 一月 2118:21January 31, 2023? 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 一月 21一月 2118:21:2518:21:25January 31, 2023? 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 18:21:2518:21:2518:21Sunday, January 31, 2023? 1知人者智，自知者明。 18:21:2518:21:2518:211/31/2023 6:21:25 PM? 1越是沒有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 6:21:25 下午 6:21 下午 18:21:25一月 21? 楊柳散和風，青山澹吾慮。 一月 216:21 下午 一月 2118:21January 31, 2023? 1少年十五二十時，步行奪得胡馬騎。 31 一月 20236:21:25 下午 18:21:25一月 21? 1楚塞三湘接，荊門九派通。 18:21:2518:21:2518:21Sunday, January 31, 2023? 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 18:21:2518:21:2518:211/31/2023 6:21:25 PM? 1成功就是日復(fù)一日那一點點小小努力的積累。 6:21:25 下午 6:21 下午 18:21:25一月 21? 沒有失敗，只有暫時停止成功！。 一月 216:21 下午 一月 2118:21January 31, 2023? 1行動出成果，工作出財富。 31 一月 20236:21:25 下午 18:21:25一月 21? 1比不了得就不比，得不到的就不要。 18:21:2518:21:2518:21Sunday, January 31, 2023? 1乍見翻疑夢，相悲各問年。 18:21:2518:21:2518:211/31/2023 6:21:25 PM? 1以我獨沈久，愧君相見頻。Up?更高的效率? 靜夜四無鄰，荒居舊業(yè)貧。DownDrivingProduction/watt = Watt/m2Cost/m2 DrivingLightLayerTCO103ZnO:Ag40%Cost: ?更低的成本 9~13R□(Roughness)(Transimission)80%?可見光 信義玻璃 PIAleybold近紅外高透過率 ,不受氫離子還原作用制備方式 磁控濺射 +制絨 asi/ucsi優(yōu)點 :ucsi。、應(yīng)用范圍asi。成本低 ,制備技術(shù)相對成熟 ,耐熱性能好ZnO:Al(ZAO)氧化鋅,floatAGCAPCVD法在線式 APCVD(浮法線 )摻氟氧化錫 應(yīng)用范圍薄膜太陽能電池缺點 :在等離子體下易被還原 )制備方式 DC磁控濺射RF磁控濺射電子束蒸發(fā)磁控濺射FTO(成本高，熱性能較差 ? [透明導(dǎo)電氧化物 ]的分類conductive(GAO,ATO, …..)? TCO(Al)摻氟氧化錫ZAO氧化銦 (錫 )FTO(IEC認證 )資料來源 :應(yīng)用材料光老化試驗四、 ? 應(yīng)用穩(wěn)定性更好 由于非晶硅太陽電池的電流密度較小 ,熱斑效應(yīng)不明顯，所以，使用起來更加方便、可靠。?BestSOLAR泉州金太陽Unitsolar 一 總的看法認為 ,SW效應(yīng)起因于光照導(dǎo)致在帶隙中產(chǎn)生了新的懸掛鍵缺陷態(tài) (深能級 ),這種缺陷態(tài)會影響 aSi∶H薄膜材料的費米能級 EF的位置 ,從而使電子的分布情況發(fā)生變化 ,進而一方面引起光學(xué)性能的變化 ,另一方面對電子的復(fù)合過程產(chǎn)生影響。 aSi∶H薄膜經(jīng)較長時間的強光照射或電流通過 ,在其內(nèi)部將產(chǎn)生缺陷而使薄膜的使用性能下降 ,稱為 SteablerWronski效應(yīng)。? 多晶硅結(jié)構(gòu)在陽光下可通過控制氮化硅減反射膜的厚度，呈現(xiàn)金、綠、深藍等不同的顏色。cm，厚度為 220 ～ 300μm。結(jié)晶邊界的存在使得多晶硅太陽能電池的效率降低，懸浮鍵的增加使得光電轉(zhuǎn)換效率衰退，這兩個是多晶硅太陽能電池的主要缺點，而成本低為其主要優(yōu)點。隨著使用時間的增加，懸浮鍵的數(shù)目也會隨著增加，光電轉(zhuǎn)換效率因而逐漸衰退。結(jié)晶顆粒愈大則效率與單晶硅太陽能電池愈接近，結(jié)晶顆粒愈小則效率愈差。? 多晶硅太陽能電池與單晶硅太陽能電池雖然結(jié)晶構(gòu)造不一樣但發(fā)電原理一樣。? 主要原因為： ； ，方形基片更合算，通過澆鑄法和直接凝固法所獲得的多晶硅可直接獲得方形材料； 。因為這三個原因使得多結(jié)晶硅太陽能電池在制造成本及時間上都比單晶硅太陽能電池少，但因為這樣使得多晶硅太陽能電池的結(jié)晶構(gòu)造較差。而多晶硅太陽能電池則是以降低成本為優(yōu)先考慮，其次才是效率。由這些電池設(shè)計和工藝制造出的電池的轉(zhuǎn)換效率均高于 20% ，其中保持世界記錄（ % ）的單晶硅和多晶硅電池（ % ）的轉(zhuǎn)換效率均是由 PERL電池實現(xiàn)的。其中包括 PESC電池（發(fā)射結(jié)鈍化太陽電池）和表面刻槽絨面 PESC減少載流子在此區(qū)域的復(fù)合。?影響少數(shù)載流子壽命的因素有3）電極區(qū)復(fù)合鈍化的方法是在電池表面形成高－低結(jié) (highlowjunction)。這種介質(zhì)膜完善了晶體表面的懸掛鍵，從而達到表面 2）表面復(fù)合吸雜 (gettering)工藝能有效的提高材料的質(zhì)量 ,鈍化 減少晶體硅體內(nèi)的復(fù)合，首先要選用適當?shù)膿?雜濃度的襯底材料。82如何提高單晶硅光電池的效率1）體內(nèi)復(fù)合。?少數(shù)載流子壽命定義為從其產(chǎn)生到其與空穴復(fù)合之間所生 存的時間。 根據(jù)該特性曲線可以確定光電池的 開路電壓、短路電流 。 Pm為最大功率點。光電流 IP與輸出光功率 Pi 之間的關(guān)系 ： R 為響應(yīng)率， R 值隨入射光波長的不同而變化，對不同材料制作的光電池 R值分別在短波長和長波長處存在一截止波長。開路電壓 VOC、短路電流 ISC、填充因子 FF、能量轉(zhuǎn)換效率 η。 電池片測試 為保證產(chǎn)品質(zhì)量的一致性，通常要對每個電池測試，并按電流和功率大小進行分類，可根據(jù)電池效率，每 或 。電池正面的電極呈梳子狀形式或絲網(wǎng)樹枝狀結(jié)構(gòu)，其形式和厚度是兩方面因素平衡的結(jié)果：一方面要有高的透過率；另一方面要保證柵網(wǎng)電極有一個盡可能低的接觸電阻。這種方法制出的結(jié)均勻性好，方塊電阻的不均勻性小于 10％，少子壽命可大于 10um.３、減反射膜制備單晶硅的減反射膜主要為 SiOx或 TiO2磷擴散形成ｎ型層。p型硅片每面腐蝕深度可為 510um。、硅片腐蝕以去除硅片表面機械切痕與損傷，是太陽電池制造的第一道常規(guī)工序，目前主要是通過化學(xué)腐蝕，可有效的消除由于切片造成的表面損傷，同時還可制作絨面表面構(gòu)造。? 原材料及輔助用料 — 用料品質(zhì)達標。? 環(huán)境 — 凈化級別達標，避免產(chǎn)品污染。生產(chǎn)高效率電池片應(yīng)具備的條件? 工藝 — 有優(yōu)良的工藝并且與設(shè)備匹配。? 低損耗（硅片破損率低）。封裝的耐久性將決定組件的最終工作壽命，理論上，此壽命可達 20年或更長。 封裝還保護金屬電極及互聯(lián)條免受大氣中腐蝕性元素的腐蝕 。網(wǎng)帶式燒結(jié)爐? 工序八，檢驗和分級 : 用自動分選機將電池按轉(zhuǎn)化率分級 檢驗并包裝六 .太陽能電池封裝成太陽能電池組件 太陽能電池之所以需要封裝不僅僅是為了提供機械上的防護，而且也是為了提供電絕緣及一定程度的化學(xué)防護。? 絨面后硅片厚度。燒結(jié)工藝條件? 燒結(jié)工藝較為靈活，設(shè)定時應(yīng)考慮以下因素：? 燒結(jié)爐的特點，如燒結(jié)溫區(qū)數(shù)目，高溫區(qū)長度，帶速設(shè)定等等。 ? 烘干金屬漿料，并將其中的添加料揮發(fā)（前 3個區(qū)）；在背面形成鋁硅合金和銀鋁合金，以制作良好的背接觸（中間 3個區(qū)）；鋁硅合金過程實際上是一個對硅進行 P摻雜的過程，需加熱到鋁硅共熔點（ 577℃ ）以上。印刷達標的電池片工序七 .? 柵極要求印刷圖案完整、清晰、均勻、對稱，無 漏漿及較大斷線。? 背場厚度 20—35 微米，具體根據(jù)片源而定。絲網(wǎng)印刷工藝步驟及要求? 工藝步驟：背極（銀漿） → 烘干 → 背場（鋁漿） → 烘干 → 柵極（銀漿 ) → 烘干。? 正面電極用 Ag金屬漿料，通常印成柵線狀，在實現(xiàn)良好接觸的同時使光線有較高的透過率；背面通常用 Al金屬漿料印滿整個背面，一