【正文】 。 在設(shè)計(jì)過(guò)程中由于時(shí)間倉(cāng) 促有很多地方難免存在不足之處，硬件設(shè)計(jì)已經(jīng)完成，在軟件設(shè)計(jì)中有些功能還尚未開(kāi)發(fā)出來(lái)。用戶可靈活選擇本設(shè)計(jì)的用途，有很強(qiáng)的實(shí)用價(jià)值。此外，還能廣泛地應(yīng)用于其他一些工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域，如建筑，倉(cāng)儲(chǔ)等行業(yè)。溫度控制的上限和下限的設(shè)置，通過(guò)矩陣鍵盤(pán)的輸入 修改上限值和下限值。單位轉(zhuǎn)換， 把顯示溫度的單位從攝氏溫標(biāo)與華氏溫標(biāo)進(jìn)行互換。 本設(shè)計(jì)使用的溫度控制器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、測(cè)溫準(zhǔn)確，具有一定的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。 S 鍵：進(jìn)入設(shè)置模式，在設(shè)置模式中可以對(duì)溫度控制的上限值和下限值進(jìn)行設(shè)置，設(shè)置成功推出設(shè)置模式。 K 鍵：?jiǎn)挝坏霓D(zhuǎn)換鍵。 按鍵分布表： on 7 8 9 k 4 5 6 s 1 2 3 0 On 鍵：控制溫度控制的開(kāi)關(guān)，在液晶的右上角有 ON（ OFF）顯示，表示擔(dān)前溫度控制有沒(méi)有打開(kāi)， ON 表示有啟動(dòng)，繼電器會(huì)對(duì)溫度做出反應(yīng)， OFF 表示沒(méi)有啟動(dòng)，繼電器不對(duì)溫度做出反應(yīng)。這樣設(shè)計(jì)可以自由的控制溫度控制的啟動(dòng)和關(guān)閉。 五、溫度控制子程序 子程序開(kāi)始時(shí)先判斷變量 on，如果 on 為 0 時(shí)，直接結(jié)束子程序。在確定某根列線位置為低電平后，再逐行檢測(cè)各行線的電平狀態(tài)。 （ 2）判斷閉合鍵所在的位置 在確認(rèn)有鍵按下后，即可進(jìn)入確定具體閉合鍵的過(guò)程。只要有一行的電平為低，則表示鍵盤(pán)中有鍵被按下，而且閉合的鍵位于低電平線與 4 根列線相交叉的 4 個(gè)按鍵之中。 2. 當(dāng)我們要寫(xiě)入數(shù)據(jù)字，在 1602 上實(shí)現(xiàn)顯示時(shí)：需要把 RS 置為高電平， RW置為低電平，然后將數(shù)據(jù)送到數(shù)據(jù)口 D0~D7，最后 E 引腳一個(gè)高脈沖將數(shù)據(jù)寫(xiě)入 。 413 為操作時(shí)續(xù)表。操作協(xié)議為：初始化 DS18B20（發(fā)復(fù)位脈沖） → 發(fā) ROM 功能命令 → 發(fā)存儲(chǔ)器操作命令 → 處理數(shù)據(jù)。 告警索命令 0ECH 執(zhí)行后，只有溫度超過(guò)設(shè)定值上限或者下限的片子才做出響應(yīng) 溫度變換 44H 啟動(dòng) DS18B20 進(jìn)行溫度轉(zhuǎn)換，轉(zhuǎn)換時(shí)間最長(zhǎng)為 500MS，結(jié)果存入內(nèi)部 9 字節(jié) RAM 中 讀暫存器 0BEH 讀內(nèi)部 RAM 中 9 字節(jié)的內(nèi)容 寫(xiě)暫存器 4EH 發(fā)出向內(nèi)部 RAM 的第 3， 4 字節(jié)寫(xiě)上、下限溫度數(shù)據(jù)命令，緊跟讀命令之后，是傳送兩字節(jié)的數(shù)據(jù) 復(fù)制暫存器 48H 將 E2PRAM 中第 3， 4 字節(jié)內(nèi)容復(fù)制到 E2PRAM 中 重調(diào)E2PRAM 0BBH 將 E2PRAM 中內(nèi)容恢復(fù)到 RAM 中 的第 3， 4 字節(jié) 讀 供 電 方 式 0B4H 讀 DS18B20 的供電模式，寄生供電時(shí) DS18B20 發(fā)送 “0”，外接電源供電 DS18B20 發(fā)送 “1” 另外，由于 DS18B20 單線通信功能是分時(shí)完成的，他有嚴(yán)格的時(shí)隙概念，因此讀寫(xiě)時(shí)序很重要。斜率累加器用于補(bǔ)償和修正測(cè)溫過(guò)程中的非線性，其輸出用于修正減法計(jì)數(shù)器的預(yù)置值， 只要計(jì)數(shù)門(mén)仍未關(guān)閉就重復(fù)上述過(guò)程，直至溫度寄存器值 達(dá)到被測(cè)溫度值 。計(jì)數(shù)門(mén)的開(kāi)啟時(shí)間由高溫度系數(shù)振蕩器來(lái)決定，每次測(cè)量前，首先將 55 ℃ 所對(duì)應(yīng)的基數(shù)分別置入減 法計(jì)數(shù)器 1 和溫度寄存器中，減法計(jì)數(shù)器 1 和溫度寄存器被預(yù)置在 55 ℃ 所對(duì)應(yīng)的一個(gè)基數(shù)值。 程序可以先跳過(guò) ROM，啟動(dòng)所有 DSl8B20 進(jìn)行溫度變換，之后通過(guò)匹配 ROM，再逐一地讀回每個(gè) DSl8B20 的溫度數(shù)據(jù)。 圖 47 主程序流程圖 二、讀出溫度子程序 每一片 DSl8B20 在其 ROM 中都存有其唯一的 48 位序列號(hào)，在出廠前已寫(xiě)入片內(nèi) ROM 中。 程序 一、主程序 主要功能是程序開(kāi)始運(yùn)行時(shí)先進(jìn)行初始化，然后進(jìn)行模式的選擇，接著讀取DS18B20 的數(shù)據(jù)，把當(dāng)前溫度顯示在液晶上，接用 bijiao()進(jìn)行繼電器和蜂鳴器的控ON/OFF 7 8 9 K 4 5 6 S 1 2 3 無(wú) 無(wú) 0 無(wú) 制，最后回到模式選擇一直重復(fù)。因此充分利用其內(nèi)部豐富的硬件資源和軟件資源，采用與 C51 系列單片機(jī)相對(duì)應(yīng)的 51 匯編語(yǔ)言和結(jié)構(gòu)化程序設(shè)計(jì)方法進(jìn)行軟件編程。同時(shí)還必須得到相應(yīng)設(shè)計(jì)合理的軟件的支持，尤其是微機(jī)應(yīng)用高速發(fā)展的今天，許多由硬件完成的工作，都可通過(guò)軟件編程而代替。給 低電平，三極管導(dǎo)通，電磁鐵觸頭放下來(lái)開(kāi)始工作 。 VCC 和 GND 接電源和公共地。 圖 41 顯示電路圖 單片機(jī)電路 單片機(jī)電路用的是單片機(jī)最小系統(tǒng)， 單片機(jī)的 接 DS18B20 的 2 號(hào)引腳，P1 口接矩陣鍵盤(pán)， 控制加熱器繼電器， , 和 P0 接 LCD 顯示。 第 15 腳：背光正極。 第 6 腳： E(或 EN)端為使能 (enable)端。 第 4 腳： RS 為寄存器選擇，高電平 1 時(shí)選擇數(shù)據(jù)寄存器、低電平 0 時(shí)選擇指令寄存器。 第 2 腳： VDD 接 5V 電源正極。操作協(xié)議為：初始化 DS18B20（發(fā)復(fù)位脈沖） → 發(fā) ROM 功能命令 → 發(fā)存儲(chǔ)器操作命令 → 處理數(shù)據(jù)。圖 31中的斜率累加器用于補(bǔ)償和修正測(cè)溫過(guò)程中的非線性，其輸出用于修正減法計(jì)數(shù)器的預(yù)置值，只要計(jì)數(shù)門(mén)仍未關(guān)閉就重復(fù)上述過(guò)程直至溫度寄存器值達(dá)到被測(cè)溫度值 . 表 34 ROM 操作命 令 指令 約定代碼 功 能 讀 ROM 33H 讀 DS18B20 ROM 中的編碼 符合 ROM 55H 發(fā)出此命令之后，接著發(fā)出 64 位 ROM 編碼，訪問(wèn)單線總線上與該編碼相對(duì)應(yīng)的 DS18B20 使之作出響應(yīng)，為下一步對(duì)該 DS18B20 的讀寫(xiě)作準(zhǔn)備 搜索 ROM 0F0H 用于確定掛接在同一總線上 DS18B20的個(gè)數(shù)和識(shí)別 64位 ROM地址，為操作各器件作好準(zhǔn)備 跳過(guò) ROM 0CCH 忽略 64 位 ROM 地址，直接向 DS18B20 發(fā)溫度變換命令，適 用于單片工作 告警搜索 命 令 0ECH 執(zhí)行后，只有溫度超過(guò)設(shè)定值上限或者下限的片子才做出響應(yīng) 溫度變換 44H 啟動(dòng) DS18B20 進(jìn)行溫度轉(zhuǎn)換，轉(zhuǎn)換時(shí)間最長(zhǎng)為 500MS，結(jié)果存入內(nèi)部 9 字節(jié) RAM 中 讀暫存器 0BEH 讀內(nèi)部 RAM 中 9 字節(jié)的內(nèi)容 寫(xiě)暫存器 4EH 發(fā)出向內(nèi)部 RAM 的第 3， 4 字節(jié)寫(xiě)上、下限溫度數(shù)據(jù)命令，緊跟讀命令之后，是傳送兩字節(jié)的數(shù)據(jù) 復(fù)制暫存器 48H 將 E2PRAM 中第 3， 4 字節(jié)內(nèi)容復(fù)制到 E2PRAM 中 重調(diào)E2PRAM 0BBH 將 E2PRAM 中內(nèi)容恢復(fù)到 RAM 中的第 3， 4 字節(jié) 讀 供 電 方 式 0B4H 讀 DS18B20 的供電模式，寄生供電時(shí) DS18B20 發(fā)送 “0”，外接電源供電 DS18B20 發(fā)送 “1” 另外，由于 DS18B20 單線通信功能是分時(shí)完成的， 它 有嚴(yán)格的時(shí)隙概念，因此 讀寫(xiě)時(shí)序很重要。計(jì)數(shù)門(mén)的開(kāi)啟時(shí)間由高溫度系數(shù)振蕩器來(lái)決定，每次測(cè)量前，首先將 55 ℃所對(duì)應(yīng)的基數(shù)分別置入減法計(jì)數(shù)器 1 和溫度寄存器中，減法計(jì)數(shù)器 1 和溫度寄存器被 預(yù)置在 55 ℃所對(duì)應(yīng)的一個(gè)基數(shù)值。 程序可以先跳過(guò) ROM，啟動(dòng)所有 DSl8B20 進(jìn)行溫度變換，之后通過(guò)匹配 ROM，再逐 一地讀回每個(gè) DSl8B20 的溫度數(shù)據(jù)。 的測(cè)溫原理 每一片 DSl8B20 在其