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正文內(nèi)容

tft組件的結(jié)構(gòu)與原理(參考版)

2025-01-17 00:31本頁面
  

【正文】 14儲(chǔ)存電容AA’A A’VgVSV目的:降低 TFT關(guān)閉時(shí),因 Cgs所引 起的 畫素電壓變化 (Voltage Offset)。13(b)電路圖VGVPCGDCGSCST CLCVCOMVID 1.△ V的大小關(guān)係如下 : CGD:閘極與汲極間電容 CLC:液晶電容 CST:保持電路 △ V與影像信號(hào)的極 性無關(guān),永遠(yuǎn)比畫素電位 VP 下 降此一電壓值。 T1時(shí)域 (水平選擇期間 )TFT ON,畫素電極電位 VP會(huì)被 充電至信號(hào)電位 VID 。 TFT元件可看成開關(guān) ,當(dāng) VGSVth則 ON,當(dāng) VGSVth則 OFF。 9TFT元件的運(yùn)作原理 (2)VgsVth:訊號(hào)保持D SGGD SCLCGGD SVGS〈 VthVSDD S (G)給予適當(dāng)電壓。 Inverted Staggered 之結(jié)構(gòu)?D SG8TFT元件的運(yùn)作原
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