等離子體顯示器概述(參考版)
2025-01-01 22:45本頁(yè)面
【正文】 （ 2）形成性時(shí)間延遲 tf— 從陰極前出現(xiàn)一個(gè)可進(jìn)行電子雪崩的電子起，經(jīng)過(guò)多種碰撞過(guò)程達(dá)到使氣體擊穿所需的時(shí)間?？偟臍怏w放電延遲由兩部分組成： （ 1）統(tǒng)計(jì)性時(shí)間延遲 ts—從電極加上電壓的瞬時(shí)到空間出現(xiàn)一個(gè)可引起電子雪崩的電子所需的時(shí)間。 提高 PDP的亮度和發(fā)光效率的措施之一： 改進(jìn)放電單元結(jié)構(gòu)，采用正柱放電。如日光燈就是利用正柱區(qū)發(fā)光，光效高達(dá) 80lm/W。 在正常輝光放電時(shí)的光區(qū)和電參量分布?xì)怏w放電物理基礎(chǔ) 輝光放電的各發(fā)光區(qū)中，發(fā)光強(qiáng)度以負(fù)輝區(qū)最強(qiáng)，正柱區(qū)居中，陰極光層和陽(yáng)極輝光最弱。正柱區(qū)中有一定的軸向電場(chǎng)強(qiáng)度，電子從電場(chǎng)中獲得一定的能量，產(chǎn)生一定數(shù)量的碰撞電離和激發(fā)。電場(chǎng)沿管軸均勻分布。由于電子在負(fù)輝區(qū)中損失了很多能量，進(jìn)入這個(gè)區(qū)域以后，便沒(méi)有足夠的能量來(lái)產(chǎn)生激發(fā)，所以是暗區(qū)。負(fù)輝區(qū)中電子和正離子濃度比正柱區(qū)中約大 20倍。慢速電子是多數(shù)，它們?cè)谪?fù)輝區(qū)產(chǎn)生許多激發(fā)碰撞，因而產(chǎn)生明亮的輝光。在這個(gè)區(qū)域內(nèi)，電子能量已超過(guò)電離電位，引起了大量的碰撞電離，繁流放電集中在這里發(fā)生。但電子數(shù)量不大，激發(fā)很微弱。由于沒(méi)有受激原子，因而是暗區(qū)。 (4) 陰極電子發(fā)射主要是 ?過(guò)程。電流為毫安級(jí)。在陰極位降區(qū)中產(chǎn)生電子繁流過(guò)程，滿(mǎn)足放電自持條件，故它是維持輝光放電必不可少的部分。氣體放電物理基礎(chǔ)同軸圓筒電極系統(tǒng)，中心電極不同極性，著火電壓與氣壓的關(guān)系輝光放電的發(fā)光 基本特征： (1) 放電時(shí)，在放電空間呈現(xiàn)明暗相間、有一定分布規(guī)律的光區(qū)。 例如： ? 人工加熱陰極產(chǎn)生熱電子發(fā)射，取代 ?發(fā)射過(guò)程的作用； ? 用紫外光照射陰極，使陰極產(chǎn)生光電發(fā)射； ? 放射性物質(zhì)靠近放電管，放射性射線引起氣體電離； ? 通過(guò)預(yù)放電提供初始的帶電粒子等可以大大降低著火電壓。另外，著火電壓下降的大小還與兩種氣體的性質(zhì)和它們量的混合比有非常密切的關(guān)系。這種效應(yīng)在氬 —汞混合氣體中也存在。氮 —?dú)浠旌蠚怏w的最小著火電壓與Pd的關(guān)系氣體放電物理基礎(chǔ) 在氖氣中混入少量氬氣能使氣體的擊穿電壓降低，其降低量由氬氣的混合量決定。 氣體放電物理基礎(chǔ) 在放電管內(nèi)有兩種氣體的混合物時(shí)， Ub不能簡(jiǎn)單地用混合方法以混合氣體的濃度去計(jì)算。 —?dú)怏w的電離電位對(duì)擊穿電位的影響是另一個(gè)重要的因素，在其他條件不變的情況下，通常電離電位越大的氣體，它的擊穿電位就越大。因此， PDP中充入氣體的壓強(qiáng)和電極間隙對(duì) PDP的著火電壓有很大影響。它是指每個(gè)正離子打上陰極表面時(shí)，產(chǎn)生的二次電子發(fā)射數(shù)。它是指一個(gè)正離子沿電場(chǎng)方向運(yùn)行單位路程所產(chǎn)生的碰撞電離次數(shù)。它是指每個(gè)電子在沿電場(chǎng)反方向運(yùn)行單位距離的過(guò)程中，與氣體原子發(fā)
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