熱光伏技術(shù)(tpv)簡介(參考版)
2024-08-16 09:51本頁面
【正文】 目前熱光伏系統(tǒng)還存在的問題 我們的反思： ，思路還比較狹隘，僅僅局限于對已有 材料的優(yōu)化 ，而對新材料的開發(fā)還較少； 產(chǎn)上， 即使是該技術(shù)在國內(nèi)的應(yīng)用還未普及； ，熱光伏技術(shù)在國內(nèi)還未受到充分關(guān)注。 系統(tǒng)的效率還很低，熱能的利用率不高。 大多數(shù)熱光伏電池理論模型都以理想條件為基礎(chǔ)，實際影響因素考慮的還不多。 目前所測得的 p/n型 MIM 的轉(zhuǎn)換效率最高達(dá)到 % 。 量子阱光伏電池 Ⅲ 一 V族化合物的單片連接模塊是近年來熱光伏電池研究的熱點問題 ， 最早 Fatemi提出，即不再使用一個單一的熱光伏電池， 而是將許多小電池串聯(lián)使用。該 裝置應(yīng)用于熱光伏系統(tǒng)可獲得人們預(yù)期 的效果：首先 ， QWC有較大的電壓輸出 且可 工作在 較高 的溫度下 ； 其次， QWC獨特的設(shè)計 降低了它的禁帶 寬度 ，實現(xiàn) 了光伏電池和光譜較好的光學(xué)匹配 ； 此外，在 相同甚至更高的禁帶寬度下 ， QWC的 暗電流要 低于體電池 ， 因此在一定波段范圍內(nèi) ， QWC的 轉(zhuǎn)換效率要高于體電池。同時 ,內(nèi)建電場一定程度上改進(jìn)了電池表面的自由載體復(fù)合速率 ,無需 AIGaAsSb或 GaSb窗口層來鈍化表面，簡化了系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。 二 元 Ⅲ一 V族化合物 當(dāng)輻射體溫度較低 ( 1000～ 1800℃ ) 時，要求半導(dǎo)體的禁帶寬度在 0 .5～ 0 .6 eV范圍內(nèi)，而前面所述的材料包括 GaSb都無法實現(xiàn)，因此基于 GaSb的相關(guān)三元四元 ⅢⅤ族化合物被發(fā)現(xiàn)并用來作為半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器的材料，主要包括 InGaSb、InGaAsSb、 AlGaAsSb 、 InGaAsP等 。 GaSb電池可通過液相外延 、分子束外延 、有機(jī)金屬化合物氣相外延以及 Zn擴(kuò)散等方法獲得。
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