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正文內(nèi)容

晶體二極管及應(yīng)用電路(參考版)

2025-08-04 15:04本頁面
  

【正文】 。圖 144為變?nèi)莨茈娐贩枴?CT和 CD對外電路并連等效 ,總的電容 Cj : Cj =CT+CD Cj稱為 PN結(jié)的結(jié)電容。 ★ PN結(jié)反偏時擴(kuò)散區(qū)內(nèi)少子濃度分布線如圖 142。 存在非平衡少子濃度分布的兩個區(qū)域 → 擴(kuò)散區(qū)。 圖( b): 勢壘 電容的充電過程。結(jié)論:高頻時二極管失去電向?qū)щ娞匦浴?5 PN結(jié) 電容效應(yīng)及應(yīng)用 現(xiàn)象:半波整流電路中交流電壓從 50Hz改為500KHz, 在輸入電壓的負(fù)半周時,二極管上也有導(dǎo)通電流。電路符號圖 133( b), 特性曲線圖 133( a)。 溫度增加,擊穿電壓減小。 2 齊納擊穿 價電子被場致激發(fā) 大反偏電壓下結(jié)會有很強(qiáng)的電場 → 大電場力將共價鍵上的價電子拉出共價鍵 → 自由電子空穴對 → 結(jié)內(nèi)載流子激增→ 反向電流激增 → 齊納擊穿。1 雪崩擊穿 價電子被碰撞電離: 發(fā)生雪崩擊穿條件是:反偏電壓 ≥6V。13 PN結(jié)的反向擊穿及其應(yīng)用一 反向擊穿 PN結(jié)反向擊穿: PN結(jié)反向電壓增大到一定量值時,反向 電流激增,這一現(xiàn)象稱為 PN結(jié)反向擊穿。 設(shè) vi(t) 是 177。分析如下: ( 1)當(dāng) vi(t)﹥ 0→ 二極管正偏 ( 2)當(dāng) vi(t) ﹤ 0 → 二極管反偏2 限幅電路:( 1)雙向限幅電路:圖 130,設(shè) vi(t)=3sinωt ( 2) 單向限幅電路 (取 Er =0即為教材上的例題):( 3)幅度可調(diào)的 雙向限幅電路: 3 鉗位電路: 能改變信號的直流電壓成分,又叫直流恢復(fù)電路。交流通路及電容 C:( 1) C稱為隔直電容:( 2) C稱為耦合電容:四 二極管應(yīng)用電路 ( 1)低頻及脈沖電路中,做整流、限幅、鉗位、穩(wěn)壓、波形變換 … ( 2)集成運(yùn)放加二極管構(gòu)成指數(shù)、對數(shù)、乘法、除法等運(yùn)算電路 ( 3)高頻電路中做檢波、調(diào)幅、混頻等1 整流電路: 圖 127整流: 利用二極管的單向?qū)щ娞匦裕瑢⒔涣髯兂蓡蜗颍粗绷鳎┟}
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