【正文】 同時(shí)向一直鼓勵(lì)、支持 ， 及幫助過我的其他老師、我的室友和其他的同學(xué)表示深深的謝意 ! 河 北工程大學(xué)畢業(yè)論文 參考文獻(xiàn) [1] 張毅剛 .單片機(jī)原理及應(yīng)用 .哈爾濱 :高等教育出版社 .2020 [2] 昊金戌 ,沈慶陽 ,郭庭吉 .8051 單片機(jī)實(shí)踐與應(yīng)用 .清華大學(xué)出版社 .2020 [3] 張洪潤 .易濤 .單片機(jī)應(yīng)用技術(shù)教程 .清華大學(xué)出版社 .2020 [4] 藍(lán)和慧 ,寧武 ,閆曉金 .單片機(jī)應(yīng)用技能 .遼寧 :電子工業(yè)出版社 .2020 [5] 王慶 .Protel 99 SE amp。在論文的完成過程中 ，從論文的立題到論文的進(jìn)展進(jìn)行了全 面 的、認(rèn)真的指導(dǎo) ， 對(duì)論文進(jìn)行了詳盡的審閱 ， 提出了許多建設(shè)性的意見。在我畢業(yè)設(shè)計(jì)期間 ， 郎 老師給予了我無私的關(guān)心 和幫助。 ⑷ 接地是提高電子設(shè)備電磁兼容的重要手段之一 ， 正確的接地既能抑制干擾的影響 ， 又能抑制設(shè)備向外發(fā)生干擾 。焊盤外徑一般取 D(d+)mm， d 為引線孔直徑。 ⑶ 印刷電路板的焊盤抗干擾措施 印刷電路板上焊盤中 心的引線孔比元件引腳直徑略大即可 ， 太大反而易形成虛焊。 ⑵ 防靜電 圖 220 河 北工程大學(xué)畢業(yè)論文 我做了以下考慮 ： 不使用的輸入端根據(jù)要求接地 ； 作為線路板輸入接口的電路 ， 在其輸入端加瞬變電壓抑制二極管 ， 并對(duì)地接電阻器 ； 由電阻器電容器組成震蕩器的電路 ， 為防比電容器存儲(chǔ)的電荷產(chǎn)生的電壓使有關(guān)輸入端的電壓短時(shí)高于電源電壓 ， 在該輸入端串聯(lián)限流電阻 ； 防寄生禍合。 本系統(tǒng)中的抗干擾的預(yù)防措施 在設(shè)計(jì)中 ， 考慮到實(shí)際中可能產(chǎn)生的干擾 ， 采取了以下措施 ： ⑴ 降額使用 在設(shè)計(jì)時(shí) ， 有意識(shí)的降低施加在元器件上的工作應(yīng)力 ， 提高元器件的可靠性 ，從而延長其使用壽命。由于單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的實(shí)際工作過程中 ， 可能會(huì)受到各種內(nèi)部和外部的干擾而發(fā)生異常狀態(tài) ， 因此抗干擾設(shè)計(jì)是系統(tǒng)研制中不可忽視的一個(gè)重要內(nèi)容。 OE 為輸出允許端；當(dāng) OE=“ 0”時(shí)，三態(tài)門打開；當(dāng) OE=“ 1”時(shí)，三態(tài)門關(guān) 閉，輸出呈高阻狀態(tài)。 1Q~8Q 為 8 個(gè)輸出端。輸出允許端 OE 接地，表示輸出三態(tài)門一直打開。在 MCS51 單片機(jī)系統(tǒng)中，常采用 74LS373 作為地址鎖存器使用，其連接方法如上圖所示。 四、 74ls373 引腳 (管腳 )排列 如圖 319 所示 : 五、 74ls373 電氣特性 ： 圖 319 河 北工程大學(xué)畢業(yè)論文 六、 74ls373 推薦工作條件 ： 七、 74ls373 在單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用電路圖 : 當(dāng) 74LS373 用作地址鎖存器時(shí)，應(yīng)使 OE 為低電平，此時(shí)鎖存使能端 C 為高電平時(shí)，輸出 Q0~Q7 狀態(tài)與輸入端 D1~D7 狀態(tài)相同；當(dāng) C 發(fā)生負(fù)的跳變時(shí)，輸入端 D0~D7 數(shù)據(jù)鎖入 Q0~Q7。圖中 OE—— 使能端，接地。 當(dāng)三態(tài)門使能信號(hào) OE 為低電平時(shí)，三態(tài)門河 北工程大學(xué)畢業(yè)論文 導(dǎo)通，允許 Q0~Q7 輸出， OE 為高電平時(shí)，輸出懸空。 27256 引腳功能 ： Vpp1 27 A14 A112 26 A13 A7 3 25 A8 A64 24 A9 A55 23 A11 A46 22 OE A37 21 A10 A28 20 CE/PGM A19 19 D7 A0 10 18 D6 D011 17 D5 D1 12 16 D4 D2 13 15 D3 附圖： 27256 EPROM 芯片 引腳圖 如圖 317 所示： 河北工程大學(xué)畢業(yè)論文 74LS373 鎖存器原理 74ls373 是常用的地址鎖存器芯片，它實(shí)質(zhì)是一個(gè)是帶三態(tài)緩沖輸出的 8D觸發(fā)器，在單片機(jī)系統(tǒng)中為了擴(kuò)展外部存儲(chǔ)器，通常需要一塊 74ls373 芯片 .本文將介紹 74ls373 的工作原理 ,引腳圖 (管腳圖 ),內(nèi)結(jié)構(gòu)圖、主要參數(shù)及在單片機(jī)系統(tǒng)中的典型應(yīng)用電路 . 一、 74ls373 工作原理簡述 : (1).1 腳是輸 出使能 (OE),是低電平有效 ,當(dāng) 1 腳是高電平時(shí) ,不管輸入 1 1 1 18 如何 ,也不管 11 腳 (鎖存控制端 ,G)如何 ,輸出 2(Q0)、 5(Q1)、6(Q2)、 9(Q3)、 12(Q4)、 15(Q5)、 16(Q6)、 19(Q7)全部呈現(xiàn)高阻狀態(tài) (或者叫浮空狀態(tài) )。27256 與 27128 的區(qū)別在于 CE 端與 PGM 端合用一個(gè)輸入線， 27 端作為地址線圖 316 河 北工程大學(xué)畢業(yè)論文 A14 來用。編程電壓 Vpp 為 。 MCS51單片機(jī)系統(tǒng)擴(kuò)展時(shí)，一般使用 P0口作為地址低 8位（與數(shù)據(jù)口分時(shí)復(fù)用），而 P2 口作為地址高 8位，它共有 16 根地址總線，尋址空間為 64KB。外程序存儲(chǔ)器采用兩片 27256 芯片將程序存儲(chǔ)器擴(kuò)展為 64KB，外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器采用兩片 62256 芯片將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展為64KB。 EPROM 和 RAM 的綜合 擴(kuò)展 MCS51 單片機(jī)內(nèi)集成了各種存儲(chǔ)器和 I/O 功能部件，但有時(shí)根據(jù)應(yīng)用系統(tǒng)的功能需求，片內(nèi)的資源不能滿足需求，還需要外存儲(chǔ)器 和 I/O 功能部件 (也稱為 I/O 接口部件 )，這就是通常所說的 MCS51 單片機(jī)的系統(tǒng)擴(kuò)展問題。 先將水平的位元組坐標(biāo)（ X）寫入繪圖 RAM 地址； 再將垂直的坐標(biāo)（ Y）寫入繪圖 RAM 地址； 將 D15—— D8 寫入到 RAM 中； 將 D7—— D0 寫入到 RAM 中； 打開繪圖顯示功能。 顯示 CGRAM 字型：將兩字節(jié)編碼寫入 DDRAM 中，總共有 0000H， 0002H，0004H， 0006H 四種編碼 顯示中文字形：將兩字節(jié)編碼寫入 DDRAMK ，范圍為 A1A0HF7FFH(GB碼 )或 A140HD75FH(BIG5 碼 )的編碼。 顯示狀態(tài) 開 /關(guān) CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L L H D C B 功能： D=1；整體顯示 ON C=1；游標(biāo) ON B=1；游標(biāo)位置 ON 游標(biāo)或顯示移位控制 CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L H S/C R/L X X 功能：設(shè)定游標(biāo)的移動(dòng)與顯示的移位控制位：這個(gè)指令并不改變 DDRAM的內(nèi)容 功能設(shè)定 CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 河北工程大學(xué)畢業(yè)論文 L L L L H DL X 0 RE X X 功能： DL=1（必須設(shè)為 1） RE=1；擴(kuò)充指令集動(dòng)作 RE=0：基本指令集動(dòng)作 設(shè)定 CGRAM 位址 CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L H AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 功能：設(shè)定 CGRAM 位址到位址計(jì)數(shù)器（ AC） 設(shè)定 DDRAM 位址 CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L H AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 功能：設(shè)定 DDRAM 位址到位址計(jì)數(shù)器（ AC） 讀取忙碌狀態(tài)（ BF）和位址 CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L H BF AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 功能：讀取忙碌狀態(tài)（ BF）可以確認(rèn)內(nèi)部動(dòng)作是否完成，同時(shí)可以讀出位址計(jì)數(shù)器（ AC）的值 寫資料到 RAM CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 H L D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 功能：寫入資料到內(nèi)部的 RAM（ DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM） 1讀出 RAM 的值 河 北工程大學(xué)畢業(yè)論文 CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 H H D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 功能：從內(nèi)部 RAM 讀取資料（ DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM） 1 待命模式（ 12H） CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L L L L L H 功能：進(jìn)入待命模式，執(zhí)行其他命 令都可終止待命模式 1卷動(dòng)位址或 IRAM 位址選擇（ 13H） CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L L L L H SR 功能： SR=1；允許輸入卷動(dòng)位址 SR=0；允許輸入 IRAM 位址 1反白選擇（ 14H） CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L L L H R1 R0 功能：選擇 4 行中的任一行作反白顯示，并可決定反白的與否 1睡眠模式（ 015H） CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L L H SL X X 功能： SL=1；脫離睡眠模式 SL=0；進(jìn)入睡眠模式 1擴(kuò)充功能設(shè)定（ 016H） 河北工程大學(xué)畢業(yè)論文 CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L H H X 1 RE G L 功能： RE=1；擴(kuò)充指令集動(dòng)作 RE=0；基本指令集動(dòng)作 G=1；繪圖顯示 ON G=0；繪圖顯示 OFF 1設(shè)定 IRAM 位址或卷動(dòng)位址（ 017H） CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L H AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 功能： SR=1； AC5~AC0 為垂直卷動(dòng)位址 SR=0； AC3~AC0 寫 ICONRAM位址 1設(shè)定繪圖 RAM 位址（ 018H） CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L H AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 功能：設(shè)定 GDRAM 位址到位址計(jì)數(shù)器（ AC） 六 、顯示坐標(biāo)關(guān)系 圖形顯示坐標(biāo) 水平方向 X—以字節(jié)單位 垂直方向 Y—以位為單位 河 北工程大學(xué)畢業(yè)論文