透明導(dǎo)電薄膜tco之原理及其應(yīng)用發(fā)展(參考版)
2024-07-31 06:02本頁面
【正文】 ? ?以濺射共沉積法成長 Cu2O： Al 之 P 型透明導(dǎo)電膜研究，邱俞翔、施佑杰、戴淵竣、包正綱。高穿透率之研究 ?超平坦透明導(dǎo)電膜 ?在塑膠基板成膜 (室溫成膜 ) ?靶材回收 參考文獻(xiàn) ?工業(yè)材料雜誌 256期 ，廖鎔榆 / 工研院材化所 ?材料最前線 /材料世界網(wǎng) ，吳金寶 /工研院材化所 ?工業(yè)材料雜誌第 255期 ，劉秀琴、張志祥 /工研院材化所 ? ?儀科中心簡訊 85 期 ，真空技術(shù)組 潘漢昌。 ITO的光學(xué)性質(zhì) D 穿透度低的話 (膜的厚薄 )， 反射率相對提高，就易造成干涉。) 魚與熊掌不可兼得 γ = ρ/D ITO薄膜的導(dǎo)電性要好 (面電阻低 ) ，膜厚要增大， 因此薄膜的穿透度會降低 1. ITO及各種透明導(dǎo)電氧化物材料的介紹 透明導(dǎo)電氧化物 (Transparent Conductive Oxide, TCO) 2. TCO的導(dǎo)電原理 3. TCO的光學(xué)性質(zhì) 4. TCO 薄膜之市場應(yīng)用及未來發(fā)展 TCO的光學(xué)性質(zhì) TCO在短波長的透光範(fàn)圍：由能隙 (energy gap)決定 在長波長的透光範(fàn)圍：由電漿頻率 (ωp， plasma frequence) 決定 紫外線區(qū) 由電漿頻率決定的波長 (此一波長隨載子濃度而移動 ) 入射光將價帶的 電子激發(fā)到導(dǎo)帶 ?為降低 In2O SnO ZnO等透明導(dǎo)體的電阻率， 通常加入 Sn、 Al、 Sb等摻雜物以提高載子密度。W) ohms 設(shè)定 γ = ρ/D (單位： ohms/ ) 則 Rs = γ (L/W) 假設(shè)在一個 L = W 之平方面積中， Rs = γ TCO薄膜的導(dǎo)電 ?比較 ITO及銀薄膜的面電阻及穿透度 ITO Ag ρ 2x104 ohmcm ohmcm γ=ρ/D 10 ohm/ 10 ohm/ D= ρ/γ 2x105 cm (2022197。 (intrinsic effect) TCO薄膜的導(dǎo)電原理 ?電阻比 (又稱體阻抗 , ρ) 反比於導(dǎo)電率 (conductivity, σ) ?ρ = 1/ σ ohmcm ?平面顯示器中探討的薄膜的導(dǎo)電性有別於半導(dǎo)體的導(dǎo)電性。 TCO 薄膜的 defect愈少， τ ↑。 1. ITO及各種透明導(dǎo)電氧化物材料的介紹 透明導(dǎo)電氧化物 (Transparent Conductive Oxide, TCO)
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