半導(dǎo)體的光電效應(yīng)(參考版)
2025-07-21 14:01本頁(yè)面
【正文】 在光敏二級(jí)管時(shí)要加電壓，作用？ N N P V Is Id I 光明電阻 ?光譜響應(yīng)率 ?時(shí)間常數(shù) ?線性 ?前歷效應(yīng) ?溫度特性 常用的光明電阻： 了解各種光明電阻的特性，用途，使用范圍等 光敏電阻的偏置電路 基本偏置電路圖： 光明電阻 RL Rp ????ggPdpdSESGGGGGR或＝為暗電導(dǎo)，11?????????????????gPPPLgbPPLbPPLbSRRRRSVRRRVRIRRVI2222)()(?常用的偏置方法 恒流偏置： ??????2)(LPbgPLRRVSIRR 時(shí)恒壓偏置： ??????LbgPLRVSVRR 時(shí)?????? 22)( PLgbPRRSVRI恒功率偏置：即匹配負(fù)載法： PL RR ?21 PPLPRRRR?困難，一般采用變化，要保持匹配有隨著入射光功率變化而由于光明電阻的應(yīng)用列舉 照相機(jī)電子快門(mén) 。 光明電阻 光明電阻的工作原理： 注意本征光電導(dǎo)與雜質(zhì)光電導(dǎo)的聯(lián)系與區(qū)別： 對(duì)于雜質(zhì)光電導(dǎo)一般采用 N型 光電導(dǎo)材料 光明電阻的主要特性參數(shù)： ?光電導(dǎo)增益 由光照形成的光生載流子在電場(chǎng)作用下所形成的外部光電流與光電子形成的內(nèi)部電流之間的比值： 參見(jiàn)書(shū)本： hvNe?? ? （表示單位時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生的電子空穴對(duì)數(shù)） 內(nèi)部電流： qN 外部光電流為： AL A LVNI ppnnp )( ???? ??故增益為： pnppnnp MMLVqNIM ????? )(2 ????光明電阻 光電導(dǎo)與光伏探測(cè)器的區(qū)別： 光電導(dǎo) ：光照產(chǎn)生非平衡載流子以致改變材料的電導(dǎo)率，不會(huì)產(chǎn)生光電流，要產(chǎn)生電流必須外加電場(chǎng)。其最典型的器件是 光明電阻 。 光度量與輻射度量的關(guān)系 ??? dxvkx emv )()(780380?? 輻射度 光度學(xué) 人眼 光度學(xué) (Photometry) 輻射度量與光度量的一一對(duì)應(yīng)關(guān)系： （參見(jiàn)書(shū)本的的第 4頁(yè)） 注意的是 ： 探測(cè)器的的性能參數(shù)可能用不同的單位來(lái)量， 但其本質(zhì)是一致的。列于下表： 明暗視覺(jué)的分界 :3cd/m2 明視覺(jué)的最大值為 555nm 明視覺(jué)的最大值為 507nm 光度學(xué) (Photometry) 光度學(xué) 研究對(duì)可見(jiàn)光的能量的計(jì)算，它使用的參量稱(chēng)為光度量。 畫(huà)出響應(yīng)函數(shù)與距離平方倒數(shù)的關(guān)系曲線
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