太陽能逆變器中igbt和mosfet技術(shù)解析(參考版)
2025-07-17 20:01本頁面
【正文】 因此，我們需要采用更高智能的技術(shù)和產(chǎn)品來開發(fā)太陽能。所導(dǎo)致的結(jié)果是，太陽能光伏系統(tǒng)只要出現(xiàn)10%的遮蔽，便會使太陽能發(fā)電量下降一半。基于選取電池板最佳操作點的原則，逆變器必須決定是應(yīng)該優(yōu)化受影響電池串的電壓，還是應(yīng)該優(yōu)化其他沒受影響電池組所產(chǎn)生的能量。啟動二極管后，它們可將電流重新路由，即改道繞過失效電池串上。此外，當(dāng)有局部陰影或碎礫等遮蔽光伏系統(tǒng)時，這種情況也會發(fā)生。在光伏系統(tǒng)中，太陽能電池板是由多個串聯(lián)組并聯(lián)后形成的。這種優(yōu)化方法嚴重制約了太陽能發(fā)電系統(tǒng)的效率。由于這不是一個數(shù)學(xué)密集型算法，因此可使用低成本MCU來完成任務(wù)。每個太陽能電池板陣列的最大工作功率在很大程度上取決于陣列的溫度和光照。效率可分成兩個部分：太陽能的效率和逆變器的效率。另一方面，即便MOSFET的成本是個主要考量，但為實行一個更優(yōu)方案，也應(yīng)重新審視采用MOSFET的潛力，諸如Microsemi的MOS7/MOS8 MOSFET所具備的領(lǐng)先特性就非常適合太陽能逆變器的設(shè)計。 基于上述原因，更多的制造商因此傾向于在中高水平的能量逆變器中采用IGBT。另一方面，MOSFET有能力滿足高頻、小電流應(yīng)用，特別是那些開關(guān)頻率在100kHz以上的能量逆變器模塊的需要。但MOSFET的開關(guān)速度更快，所以開關(guān)損耗比IGBT低。除成本方面的考慮外，器件性能可由功率損耗表度，而功率損耗可分為：導(dǎo)通和開關(guān)兩類。圖2反映的這種關(guān)系，是通過控制IGBT的少數(shù)載體復(fù)合率的使用周期以影響關(guān)閉時間來實現(xiàn)的?！ ∫詧D2為例，若IGBT擁有相同的體積和技術(shù)，一個超速IGBT比一個標準速度的IGBT擁有更高的Vce（on）。這意味著IGBT關(guān)閉的速度是由少數(shù)載體復(fù)合的速度快慢來決定。作為一種BJT，IGBT的電流處理能力比MOSFET更高。 IGBT基本上是具備金屬門氧化物門結(jié)構(gòu)的雙極型晶體管 （BJT） 。 多年來的研究表明，IGBT可以比其它功率器件提供更多的優(yōu)勢，其中包括更強的電流處理能力、用電壓（而不是電流）方便地實現(xiàn)柵極控制，以及在封裝內(nèi)集成超快速恢復(fù)二極管實現(xiàn)更快的關(guān)斷時間?！ ∪GBT抑或MOSFET 在太陽能轉(zhuǎn)換過程中，有各種先進的功率器件
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1