【正文】 為防止脈沖變。減少了一、二次側(cè)的電場的耦合干擾。將電路置于屏蔽殼中，屏蔽殼可靠接地或中性線，接縫處最好焊接，以保證電磁的連續(xù)性。3 屏蔽抑制輻射噪聲的有效方法是屏蔽。初級繞組分布電容的影響尤為顯著。當(dāng)次級匝數(shù)很少時，為了增加與初級的耦合，宜采用多股線平行并繞方式均勻分布在整個骨架上，以增加覆蓋面積。在磁芯結(jié)構(gòu)尺寸、繞線匝數(shù)一定的情況下，線圈的繞組排列是減小漏感的重要因素，如圖4所示，繞組應(yīng)按同心方式排列，全部用漆包線繞制，留有安全邊距，且在次級繞組與反饋繞組之間加上強化絕緣層。TOPSwitchⅡ由導(dǎo)通變成截止時，在開關(guān)電源的一次繞組上就會產(chǎn)生尖峰電壓，這是由于脈沖變壓器漏感造成的，通常用瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）D6和超快恢復(fù)二極管（SRD）D5組成的電路進行鉗位，也有用R、C電路的，但效果要稍差一些。 其他：C3為安全電容，能濾除初、次級繞組耦合電容引起的干擾。直流側(cè)濾波：在開關(guān)電源的直流輸出側(cè)插入如圖E所示的電源濾波器，它由共模扼流圈L扼流圈L2和電容CC2組成。、B、C、D所示，其中L為共模扼流圈，圖A、B中的電容器C能濾除串模干擾。(1) 濾波針對開關(guān)電源主要通過電源線向外傳輸噪聲的特點，采用濾波技術(shù)抑制干擾，可分為：交流側(cè)濾波、直流側(cè)濾波及其他一些輔助措施。差模抑制網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)簡單，測量結(jié)果可直接與標(biāo)準(zhǔn)限值比較，但只能測量共模干擾。而印刷線路板(PCB)走線通常采用手工布線,具有更大的隨意性,這增加了PCB分布參數(shù)的提取和近場干擾估計的難度. EMI測試技術(shù)目前診斷差模共模干擾的三種方法：射頻電流探頭、差模抑制網(wǎng)絡(luò)、噪聲分離網(wǎng)絡(luò)。(4) 其他原因元器件的寄生參數(shù)，開關(guān)電源的原理圖設(shè)計不夠完美，印刷線路板（PCB）走線通常采用手工布置，具有很大的隨意性，PCB的近場干擾大，并且印刷板上器件的安裝、放置，以及方位的不合理都會造成EMI干擾[6]。而諧波和寄生振蕩的能量,通過輸入輸出線傳播時,都會在空間產(chǎn)生電場和磁場。(3) 交流輸入回路產(chǎn)生的干擾 無工頻變壓器的開關(guān)電源輸入端整流管在反向恢復(fù)期間會引起高頻衰減振蕩產(chǎn)生干擾。當(dāng)采用零電流、零電壓開關(guān)時,這種諧波干擾將會很小。 功率開關(guān)管在導(dǎo)通時流過較大的脈沖電流。 高頻整流回路中的整流二極管正向?qū)〞r有較大的正向電流流過,在其受反偏電壓而轉(zhuǎn)向截止時,由于PN結(jié)中有較多的載流子積累,因而在載流子消失之前的一段時間里,電流會反向流動,致使載流子消失的反向恢復(fù)電流急劇減少而發(fā)生很大的電流變化(di/dt)。若按耦合通路來分,可分為傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種。此種驅(qū)動電路適用于小容量的IGBT。 IGBT驅(qū)動電路，為了使IGBT穩(wěn)定工作，一般要求雙電源供電方式，即驅(qū)動電路要求采用正、負(fù)偏壓的兩電源方式，輸入信號經(jīng)整形器整形后進入放大級，放大級采用有源負(fù)載方式以提供足夠的門極電流。 采用繼電器的限流保護電路電路電源接通瞬間，輸入電壓經(jīng)整流（D1～D4）和限流電阻R1對濾波電容器C1充電，防止接通瞬間的浪涌電流，同時輔助電源Vcc經(jīng)電阻R2對并接于繼電器K線包的電容器C2充電，當(dāng)C2上的電壓達到繼電器K的動作電壓時，K動作，電源進入正常運行狀態(tài)[14]。不僅如此，由于開通時C1上的能量轉(zhuǎn)移到C2，關(guān)斷時C2和L1上的能量轉(zhuǎn)移到負(fù)載，這種緩沖電路的損耗很低，效率很高[13]。為了抑制這種反向恢復(fù)電流，減少損耗，而提出了一種無損緩沖電路。100%=%≈8%與設(shè)計指標(biāo)相吻合。T/R3=(℃)25℃/= 恒流準(zhǔn)確度為：γ=(I＇OHIOH/IOH)下面就用此值來估算UBE1，進而確定電流檢測電阻R3的阻值： UBE1=(10 14A)= R3=IBE1/IOH=。 因為前已求出IR1=IF=IC2=，所以UBE2=(kT/q)In(Ic2/Is)=(10 14A)= 又因IE2≈IC2，故UR5=IC2R5=100Ω=，由此推導(dǎo)出UR6=UR5＋UBE2=＋0662=。ICIC1分別為VTVT2的集電極電流。In(Ic2/Is) () 式中，k為波爾茲曼常數(shù)，T為環(huán)境溫度(用熱力學(xué)溫度表示)，q是電子電量。則 IOH=UBE1/R3 ()利用下面二式可以估算出VTVT2的發(fā)射結(jié)壓降： UBE1=(kT/q)下面需最終算出恒定輸出電流IOH的期望值。令R1=39Ω時，UR1=。單片開關(guān)電源須采用線性光耦合器，要求CTR=80％～160％，可取中間值120％。(對應(yīng)于最大占空比Dmax)～(對應(yīng)于最小占空比Dmin)，現(xiàn)取中間值IC=。R1 () 式（）中，UZ2=，UF=(典型值)，需要確定的只是R1上的壓降UR1。 μF電解電容器[9]。Css可限制光耦合器中LED導(dǎo)通時的尖峰電流，進而限制占空比。 （） 軟啟動電路的設(shè)計： 軟啟動電路增加軟啟動電容Css可消除上電瞬間對電路造成的沖擊，使輸出電壓平滑的升高。有公式 （）欠電壓值U1=100V，故取R1=1MΩ，再與UB= =。設(shè)VT的發(fā)射結(jié)電壓UBE=，VD4導(dǎo)通壓降UF4 =。 輸出過電壓保護電路 輸入欠電壓保護電路的設(shè)計。當(dāng)次級出現(xiàn)過電壓時，Uo↑→UFB↑→UG↑，就觸發(fā)SCR并使之導(dǎo)通，進而使控制端電壓Uc變成低電平，將TOPSwitchII關(guān)斷，起到保護作用。反饋電壓UFB經(jīng)穩(wěn)壓管VDZ2和電阻R1分壓后提供門極電壓UG。 單片開關(guān)電源保護電路的設(shè)計 輸出過電壓保護電路的設(shè)計。它屬于高分子聚 合物－導(dǎo)體，而PTC元件是由鈦酸鋇與稀土元素?zé)Y(jié)而成的陶瓷材料；此外PTC元件在常溫下的電阻值較大，不適合作保險絲使用。在過流故障消除后的幾s之內(nèi)，隨著溫度的降低，電阻值又迅速減小。正是這種“低阻（通態(tài)）超高阻（斷態(tài)）”的可持續(xù)轉(zhuǎn)換，才使之能反復(fù)使用而無須更換。當(dāng)發(fā)生短路故障時 ，電流急劇增大，導(dǎo)電鏈產(chǎn)生的熱量使聚合物從晶狀膠體變成非晶狀膠體，原本被束縛的導(dǎo)電鏈便自行分離斷裂，器件的電阻值就迅速增加幾個數(shù)量級，呈開路狀態(tài)，立即將電流切斷 ，起到保護作用。由于聚合物能將導(dǎo)電鏈緊密地束縛在晶狀結(jié)構(gòu)上，因此常態(tài)下的電阻非常低，僅為零點幾Ω左右。自恢復(fù)保險絲具有開關(guān)特性，亦稱之為聚合物開關(guān)（polyswitch）。它具有體積小、種類規(guī)格齊全、開 關(guān)特性好、能自行恢復(fù)、反復(fù)使用、不需維修 等優(yōu)點。傳統(tǒng)的保險絲屬于一次性過流 保護器，使用很不方便。 自恢復(fù)保險絲的選擇(1) 自恢復(fù)保險絲的原理及特點自恢復(fù)保險絲（ResettableFuse）的英文縮寫為RF。鑒于此類光耦合器呈現(xiàn)開關(guān)特性，其線性度差，適宜傳輸數(shù)字信號(高、低電平)，因此不推薦用在開關(guān)電源中。②推薦采用線性光耦合器，其特點是CTR值能夠在一定范圍內(nèi)做線性調(diào)整。這是因為當(dāng)CTR＜50%時，光耦中的LED就需要較大的工作電流(IF＞)，才能正?？刂茊纹_關(guān)電源IC的占空比，這會增大光耦的功耗。這是其重要特性。線性光耦合器的CTRIF特性曲線具有良好的線性度，特別是在傳輸小信號時，其交流電流傳輸比(ΔCTR＝ΔIC/ΔIF)很接近于直流電流傳輸比CTR值。線性光耦合器與普通光耦合器典型的CTRIF特性曲線。這表明欲獲得同樣的輸出電流，后者只需較小的輸入電流。當(dāng)輸出電壓保持恒定時，它等于直流輸出電流IC與直流輸入電流IF的百分比。此外，在傳輸數(shù)字信號時還需考慮上升時間、下降時間、延遲時間和存儲時間等參數(shù)。在單片開關(guān)電源中，利用線性光耦合器可構(gòu)成光耦反饋電路，通過調(diào)節(jié)控制端電流來改變占空比，達到精密穩(wěn)壓目的。(1) 光耦合器的性能特點光耦合器的主要優(yōu)點是單向傳輸信號，輸入端與輸出端完全實現(xiàn)了電氣隔離，抗干擾能力強，使用壽命長，傳輸效率高。普通光耦合器只能傳輸數(shù)字（開關(guān)）信號，不適合傳輸模擬信號。它是以光為媒介來傳輸電信號的器件，通常把發(fā)光器（紅外線發(fā)光二極管LED）與受光器（光敏半導(dǎo)體管）封裝在同一管殼內(nèi)。其工作原理是當(dāng)輸出電壓Uo發(fā)生波動時，在陰極上形成誤差電壓，使LED的工作電流IF產(chǎn)生相應(yīng)變化，再通過光耦去改變控制端電流IC的大小，調(diào)節(jié)TOPSwitchII的輸出占空比，使Uo不變，達到穩(wěn)壓目的。TL431的穩(wěn)壓原理可分析如下：當(dāng)由于某種原因致使Uo↑時，取樣電壓UREF也隨之升高，使UREFUref，比較器輸出高電平，令VT導(dǎo)通，Uo↓。TL431的電路符號和基本接線如圖2所示。UREF是輸出電壓Uo的設(shè)定端，外接電阻分壓器[11]。圖中，A為陽極，使用時需接地?！?6V，陰極工作電流IKA=1～100mA。TL431的電壓溫度系數(shù)αT=3010－6／℃（即30ppm／℃）。TL431系列產(chǎn)品包括TL431C、TL431AC、TL431I、TL431AI、TL431M、TL431Y，共6種型號。此外，TL431還能構(gòu)成電壓比較器、電源電壓監(jiān)視器、延時電路、精密恒流源等。 TL431型可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器的選擇TL431是由美國德州儀器公司（TI）～36V可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器。 控制端電容及串聯(lián)電阻的選擇控制端電容一般取47μF/10V，普通電解電容器即可。 反饋電路中整流管的選取表10中的URM（已知：≥）為整流管最高反向工作電壓，前面已知，要求如表10，由表可知選Philips公司的BAV21比較合適。在固定負(fù)載的情況下，通過C2的交流電流標(biāo)稱值必須滿足下列條件： （）即=（~2）IRI=（~2）∈（~）。輸出紋波電壓由式（）決定URI=ISP 輸出濾波電容的選取輸出濾波電容C2上的紋波電流很大，在前面已求出IRI=，進而求出C2上的功率損耗 （）式（）中r0為濾波電容的等效串聯(lián)電阻（ESR）。此時U(BR)S=，URM≥，已不再適合采用肖特基二極管，如上所述，采用耐壓100V以上的超快恢復(fù)二極管。需要指出，肖特基二極管的最高反向工作電壓一般不超過100V，僅適合作低壓、大電流整流用。再根據(jù)式（）求得URM≥。已知高頻變壓器的初級匝數(shù)NP=83匝，次級匝數(shù)Ns=15匝，直流輸入電壓最大值UImax=375V（對應(yīng)于交流輸入電壓最大值umax=265 V）。典型產(chǎn) 品有Motorola公司生產(chǎn)的MBR系列肖特基二極管。對于鉗位二極管和阻塞二極管的選取參見表6：表6 鉗位二極管和阻塞二極管的選取u/V鉗位電壓UB鉗位二極管（TVS）阻塞二極管（SRD）100/11590P6KE91（91V/5W）BYV26B（400V/1A）85～265200P6KE200（200V/5W）BYV26C（600V/1A）230177。幾十A的快恢復(fù) 、超快恢復(fù)二極管一般采用TO3P金屬殼封裝，更大容量（幾百A至幾kA）的管子則采用螺栓型或平板型封裝[3]。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看，可分成單管、對管兩種。超快恢復(fù)二 極管則是在快恢復(fù)二極管基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，其反向恢復(fù)電荷進一步減小，trr值可低至幾十ns。由于基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向電壓，使管子能承受很高的反向工作電壓。由t1到 t3的時間間隔即為反向恢復(fù)時間trr。此后反向電流逐漸減小，并且在t=t3時刻達到規(guī)定值Irr。 當(dāng)tt0時，由于整流管上的正向電壓突然變成反向電壓，因此正向電流迅速減小，在 t=t1時刻，iF=0。IF為正向電流，IRM為最大反向 恢復(fù)電流，tIr為反向恢復(fù)電流，通常規(guī) 定Irr=。 (2) 阻塞二極管反向恢復(fù)時間tIr反向恢復(fù)時間tIr的定義是電流通過零點由正向轉(zhuǎn)向反向，再由反向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時間間隔。TVS的鉗位時間極短，僅1ns，所能承受的瞬態(tài)脈沖峰值電流卻高達幾十至幾百A。 （a）外形 （b）符號 （c）伏安特性 瞬態(tài)電壓抑制器瞬態(tài)電壓抑制器在承受瞬態(tài)高電壓（例如浪涌電壓、雷電干擾、尖峰電壓）時 ，能迅速反向擊穿，由高阻態(tài)變成低阻態(tài)，并把干擾脈沖鉗位于規(guī)定值，從而保證電子設(shè)備或元器件不受損壞。而當(dāng)TA↓時PP↑。TVS的峰值脈沖功率PP與干擾脈沖的占空比（D）以及環(huán)境溫度（TA）有關(guān)。IP是瞬時脈沖峰值電流。Uc是在1ms時間內(nèi)器件可承受的最大峰值電壓。有關(guān)系式UR≈。(c)中 ，UB、IT分別為反向擊穿電壓（即鉗位電壓）、測試電流。、（mm）等規(guī)格。瞬態(tài)電壓抑制器是一種硅PN結(jié)器件，其外型與塑封硅整流二極管相似，（a）。由于它的響應(yīng)速度極快、鉗位電壓穩(wěn)定、體積小、價格低，因此可作為各種儀器儀表、自控裝置和家用電器中的過壓保護器。式（）可作為驗證公式[7]。5960變壓器次級繞組設(shè)計參數(shù)61ISPA次級繞組峰值電流62ISRMSA次級繞組有效值電流63IOA直流輸出電流64IRIA輸出濾波電容上的紋波電流6566SSminmm178。初級繞組導(dǎo)線的橫截面積58JA/mm178。(23) 確定次級整流管、反饋電路整流管的最高反向峰值電壓：U（BR）S、U（BR）FB有公式 （） （）將Uo=24V，UFB=12V，UImax=375V，Ns=15匝，Np=83匝，N