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正文內(nèi)容

基于單片機的電子負載畢業(yè)論文(含原理圖程序)(參考版)

2025-06-30 19:36本頁面
  

【正文】 當鍵盤按下確認后,設定值送往單片機數(shù)。 D/A 轉化程序由于 TLC5615 是串行輸出的,且其輸出采用的是 SPI 總線模式,所以現(xiàn)對 SPI時序做初始化,初始化完后即可調(diào)用將數(shù)字量轉化為模擬輸出。主機的數(shù)據(jù)從主機的 MOSI 移出,從從機的 MOSI 移入;從機的數(shù)據(jù)從從機的 MISO 移出,從主機的呱 50 移入。主機和從機將需要發(fā)送的數(shù)據(jù)放入相應的移位寄存器。CS 線號線:此信號通過硬件控制選擇一個特殊的從設備,沒有被選中的從設備不東華理工大學畢業(yè)論文(論文) 第三章 電子負載軟件系統(tǒng)設計 23予 SPI 總線交互通信。MISO 信號線:數(shù)據(jù)從 SPI 總線的從設備輸出,然后從 SPI 的主設備輸入。SCK 根據(jù)傳輸?shù)拿恳晃粊硌h(huán)。SPI 中 4 線的功能如下:SCK 信號線:由 SPI 總線上的主設備產(chǎn)生。LCD 控制程序遵循 SPI 傳輸協(xié)議。 液晶顯示子程序如圖 33 所示為液晶顯示子程序流程圖,液晶顯示采用的是 Nokia 液晶屏,體積不大,當對其初始化及復位成功后就可調(diào)用相應的顯示子程序對要顯示的內(nèi)容進行顯示。對于電流的檢測將電流轉化為電壓進行檢測,然后在TLC1549AD 轉換過程中轉化回電流,最后送往液晶顯示出來。 電壓電流 A/D 采樣程序設計如圖 32 所示為電壓電流采樣流程圖,先復位時序成功后,啟動 A/D 轉換口,再送十個時鐘信號進行串行采樣,當?shù)谑畟€時鐘信號下降沿到來時,判斷 A/D 轉化是否完成,若采樣完成,將模擬輸入量轉化為數(shù)字量,送往顯示,測出電壓值、實際電流值和功率值。⑻使用 TKS 硬件仿真器對應用程序進行硬件仿真。⑹糾正程序中的書寫和語法錯誤并重新編譯連接。⑷打開/建立程序文件。⑵為工程選擇目標器件。尤其 C 編譯工具在產(chǎn)生代碼的準確性和效率方面達到了較高的水平,而且可以附加靈活的控制選項,在開發(fā)大型項目時非常理想。 Keil IDE μVision2 集成開發(fā)環(huán)境是 Keil Software 開發(fā)的基于 80C51 內(nèi)核的微型處理器軟件開發(fā)平臺,內(nèi)嵌多種符合當前工業(yè)標準的開發(fā)工具。C 語言較方便,通俗易懂。CC1C14 為濾波電容,CCCCC1C12 為分別輸入端和輸出端濾波電容。經(jīng)過 220V 交流電降壓東華理工大學畢業(yè)論文(論文) 第二章 電子負載硬件系統(tǒng)設計 21后通過整流橋的作用,之后通過 7812 輸出+12V 和通過 7912 輸出12V 的直流電壓供給運放工作,再通過 7805 輸出+5V 的直流電壓供給單片機 A/D、D/A 芯片工作。T11234DC7C97812~220V7805C12VCC618TL431R22250C147912C13C6470uFC11C1012V+12VC8圖 220 電源電路原理圖如圖 220 所示為電源電路原理圖。如圖 218 所示為 TL431 符號,圖 219 為 TL431 輸出 電壓連接圖。它的輸出電壓用兩個電阻就可以任意地設置到從 Vref()到 36V 范圍內(nèi)的任何值。雖然是固定穩(wěn)壓電路,但使用外接元件,可獲得不同的電壓和電流。短路保護。帶散熱片時,輸出電流可達 1A。利用 TL431 輸出 電壓作為輸入基準源供TLC5615 進行 DA 轉換。運放和其它元器件也可以工作在 024V 電壓下,A/D、D/A 轉換芯片可以工作在 5V 電壓下。 電源電路的設計單片機電源設計包含 3 個方面的內(nèi)容:一是電源功耗,二是電源電壓,三是電源管理。由 IRFP460MOS 管的飽和漏源電流 Id=22A 取整個電子負載設計的電流范圍為 020A,根據(jù)錳銅采樣電阻的阻值 歐姆,可算出功率的最大值為 100W,故整個設計的功率范圍為 0100W。這是整個系統(tǒng)設計的核心,也是電子負載的核心部分。如圖 215 所示為 N 溝道增強型 MOS 管的轉移特性曲線,如圖 216 所示為 N 溝道增強型 MOS 管的輸出特性曲線。(3)MOS 管子的耐壓比雙極型管于低、常很少超過 1000V、雙極型管子可以做到1600V 以下。(2)由于 MOS 管是電壓控制器件,它不像雙極型晶體管那樣,在基區(qū)有可能積存大量少數(shù)載流子,從而影響高速開關。和雙極型晶體管相比,MOS 管柵極是絕緣的、在高頻工作時雖然有柵極電流存在。MOS 型晶體管的特點是特別適合于開關狀態(tài)工作,因為它正向導通時的電阻極小,而且開關速度快,所以是一種理想的開關元件。場效應管是一種單極型晶體管,它只有一個 PN 結,在零偏壓的狀態(tài)下,它是導通的,如果在其柵極(G)和源極(S)之間加上一個反向偏壓(稱柵極偏壓),在反向電場作用下,PN 變厚(稱耗盡區(qū)),溝道變窄,漏極電流變小。方案二:采用 IRFP460 芯片,TIP122 芯片效率比方案低,總功耗相對較高。東華理工大學畢業(yè)論文(論文) 第二章 電子負載硬件系統(tǒng)設計 18 功率耗散 MOS 管的選型方案一:采用 MTY25N60E MOS 管,它常用于電力領域的應用。所以MOSFET 適合模擬一些變化速度較快,但電流不大的實際負載。用MOSFET 作可變電阻具有工作速度快,可靠性控制靈敏等優(yōu)點,而且既無機械觸點,也無運動部件,噪聲低、壽命長。其次,晶體管還存在溫度系數(shù)為負的問題,所以在使用過程中還需要考慮溫度補償?shù)膯栴}。即通過將恒壓、恒流、恒阻誤差信號經(jīng)過放大,再送入邏輯或控制電路,用選中的誤差信號來調(diào)整晶體管的內(nèi)阻,以達到模擬變化負載的目的。通過基極電流可以控制集電極電流,從而可以達到控制晶體管作為一個可變負載的目的。對于 PI 調(diào)節(jié)器,如圖214 所示的 PI 調(diào)節(jié)器,取 R1R12=40K,R13=60K ,C= Kp=R13/R11= (26) TI= RC= (26) 所以本設計的 PI 調(diào)節(jié)器的 Kp 取 ,TI 取 。通常在 Kp 不變的情況下,TI 越大,即積分作用越弱,閉環(huán)系統(tǒng)的超調(diào)量越小,系統(tǒng)的響應速度變慢。2.積分環(huán)節(jié)主要用于消除靜差,提高系統(tǒng)的無差度。1.比例環(huán)節(jié)即時成比例的反映控制系統(tǒng)的偏差信號 e(t),偏差一旦產(chǎn)生,控制器立即產(chǎn)生控制作用,以減少偏差。反復調(diào)節(jié),消除穩(wěn)態(tài)誤差,實現(xiàn)無靜差的調(diào)節(jié)。作為控制器,比例積分調(diào)節(jié)器兼顧了快速響應和消除靜差兩方面的要求。因此,比例積分控制綜合了比例控制和積分控制兩種規(guī)律的優(yōu)點,又克服了各自的缺點,揚長避短,互相補充。此后,隨著電容 C 被充電,開始體現(xiàn)積分作用,Uex 不斷線性增長,直到達到輸出限幅值或運算放大器飽和。東華理工大學畢業(yè)論文(論文) 第二章 電子負載硬件系統(tǒng)設計 16R11R12R14R13OP37UfC5VREF60K40K40K12V12V K p i U i nU i nU e xU e x mtU e x0圖 213 PI 調(diào)節(jié)器 214 PI 調(diào)節(jié)器的輸出特性如圖 213 所示為 PI 調(diào)節(jié)器,PI 調(diào)節(jié)器的輸出電壓 Uex 由比例和積分兩個部分組成,在零初始狀態(tài)和階躍輸入信號作用下,其輸出電壓的時間特性如圖 214 所示,由圖可以看出比例積分作用的物理意義。這樣組成的反饋系統(tǒng)誤差很大、精度低,只能控制 MOS 管的通或斷,就只有全導通或全關閉兩種極值情況,很難準確的消除誤差實現(xiàn)其恒流模式的控制。 PI 調(diào)節(jié)器對于電子負載的設計需要較高的精確度,同時控制 MOS 管的導通量的變換也需要一個不停的變化調(diào)節(jié)過程,而不是傳統(tǒng)的采用運放比較器組成的反饋電路來實現(xiàn)。當 R17 上的電壓降 Uf 即實際值大于設定值 VERF 時,通過PI 調(diào)節(jié)器的調(diào)節(jié),減小 MOS 管的導通角,減小 MOS 管的導通量,使 MOS 管的內(nèi)阻增大,流過電阻 R17 的電流減小,則電壓降 Uf 慢慢減小并等于設定值,從而實現(xiàn)電子負載的恒流工作模式;當 R17 上的電壓降 Uf 即實際值小于設定值 VERF 時。東華理工大學畢業(yè)論文(論文) 第二章 電子負載硬件系統(tǒng)設計 15R1910KQ2IRFP46046132 785U4TLC154946132 785U5TLC1549R18100KR+RUbUa1GNDGNDVCC VCCVCCR11R12R14R13OP37OP37UfC5UaR151KR161KVREF60K40K40K12VOP37R201KR211K12VVCCUb112V12V12V12V圖 212 電流取樣 PI 控制器等組成的負反饋控制電路如圖 212 所示為電流取樣 PI 控制器等組成的負反饋控制電路。MOS 管在這里既作為電流的控制器件同時也作為被測電源的負載。由于可能破壞輸出數(shù)據(jù),所以在接近轉換完成時要小心防止 CS 拉至低電平。為了開始傳輸,最少需要 10 個時鐘脈沖,如果 I/OCLOCK 傳送大于 10 個時鐘,那么在第 10 個時鐘的下降沿,內(nèi)部邏輯把 DATA OUT 拉至低電平以確保其余位清零。CS的下降沿,上一次轉換的 MSB 出現(xiàn)在 DATA OUT 端。首先移出上一次轉換結果數(shù)字量對應的最高位,下一個 I/O CLOCK 的下降沿驅動。東華理工大學畢業(yè)論文(論文) 第二章 電子負載硬件系統(tǒng)設計 14(3)數(shù)字量得傳輸當片選 CS 由低電平變?yōu)楦邥r,I/O CLOCK 禁止且 A/D 轉換結果的三態(tài)串行輸出 DATA OUT 處于高阻狀態(tài);當串行接口將 CS 拉至有效時,即 CS 由高變?yōu)榈蜁r,CS復位內(nèi)部時鐘,控制并使能 DATA OUT 和 I/O CLOCK,允許 I/O CLOCK 工作并使DATA OUT 脫離高阻狀態(tài)。如圖 211 所示為 TLC1549 的時序圖。 輸入的模擬量采樣46132 785U5TLC1549Ua1GNDVCC VCC圖 210 tlc1549 引腳
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