【正文】 所有這些信號，除存在脈沖外，都是由總線控制器發(fā)出。輸入/輸出信號時序DS18B20需要嚴格的協(xié)議以確保數(shù)據(jù)的完整性。 當一個系統(tǒng)初次啟動時，總線控制器可能并不知道單線總線上有多少器件或它們的64位ROM編碼。178。 Skip ROM［CCH］178。這條命令在總線上有單個或多個器件時都可以使用。只有和64位ROM序列完全匹配的DS18B20才能響應(yīng)隨后的存儲操作命令。 Match ROM［55H］178。如果總線上不止一個從機，當所有從機試圖同時傳送信號時就會發(fā)生數(shù)據(jù)沖突。 這個命令允許總線控制器讀到DS18B20的8位系列編碼、唯一的序列號和8位CRC碼。命令如下：178。l ROM操作命令：一旦總線控制器探測到一個存在脈沖，它就可以發(fā)出5個ROM命令中的任一個。表 C4 譯碼模式寄存器REGISTER DATA（HEX CODE）D7D6D5D4D3D2D1D0NO DECODE FOR DIGITS 700000000000CODE B DECODE FOR DIGIT 00000000101NO DECODE FOR DIGITS 71CODE B DECODE FOR DIGITS 30000011110FNO DECODE FOR DIGITS 74CODE B DECODE FOR DIGITS 7011111111FF附錄D DS18B20編程相關(guān)資料 DS18B20引腳圖通過單線總線端口訪問DS18B20協(xié)議協(xié)議如下：l 初始化：通過單線總線的所有執(zhí)行（處理）都從一個初始化序列開始。邏輯高電平用來選擇譯碼低電平取消譯碼。表 C3 掉電模式寄存器ADDR CODE（HEX）REGISTER DATAD7D6D5D4D3D2D1D0SHUTDOWEN MODEC0NORMAL OPERATIONC1譯碼模式寄存器用來設(shè)置對每個數(shù)據(jù)進行B型BCD譯碼或者不譯碼。在掉電模式下，顯示驅(qū)動是可以編程的，而且在顯示檢測的時候不用考慮他是否在掉電模式工作。為了滿足掉電模式最低的工作電流，邏輯輸入應(yīng)該在GND或V+（CMOS 的邏輯電位）。在數(shù)據(jù)和控制寄存器里的數(shù)據(jù)是不變的。表 C2 數(shù)據(jù)寄存器和控制寄存器REGISTERADDRESSHEXCODED15D12D11D10D9D8NOOP00000DIGIT000011DIGIT100102DIGIT200113DIGIT301004DIGIT401015DIGIT501106DIGIT601117DIGIT710008DECODE MODE10017INTENSITY1010ASCAN LIMIT1011BSHUTDOWN1100CDISPLAY TEST1111F掉電模式MAX7219掉電后，掃描震蕩器關(guān)閉，所有段電流源和地連接，所要數(shù)字驅(qū)動與V+相連，所以顯示熄滅。它們可以直接尋址所以只要在V+大于2V的情況下每個數(shù)據(jù)都可以獨立的修改或保存。表 C1 串行數(shù)據(jù)格式D15D14D13D12D11D10D9D8D7D6D5D4D3D2D1D0地址MSB數(shù)據(jù)LSB數(shù)據(jù)寄存器和控制寄存器表C2列出了14個可尋址的數(shù)據(jù)寄存器和控制寄存器。D12D15為無效位。D8D11為寄存器地址位。無論LOAD端處于何種狀態(tài)，在時鐘的上升沿，數(shù)據(jù)均移入到內(nèi)部16 位移位寄存器。如果采用外部振蕩器，這個時間可以縮短到3ms。當由上電進入發(fā)射模式時，TXEN必須保持1ms以后才可以往DIN發(fā)送數(shù)據(jù)。從待機模式到發(fā)射模式，所需穩(wěn)定的最大時間是tST，請看表B1。請看表B1。當從TX→RX模式時，數(shù)據(jù)輸出腳（DOUT）要至少3ms以后有數(shù)據(jù)輸出。 P2_0=!P2_0。 TI=0。i++) { SBUF=receive[i]。 } } for(i=0。 RI=0。 receive[1]=SBUF。 while(RI!=1)。 RI=0。 judgement=SBUF。 if(judgement==0xff) { while(RI!=1)。 RI=0。}/*串行中斷*/void serical(void) interrupt 4{ unchar judgement,i。 delay(1000)。 POWER=1。}void main(void){ zhongduan()。 EA = 1。 T2CON = 0x30。 RCAP2H = 0xff。 TH2 = 0xff。t)。/*6us延時函數(shù)*/void delay(unint t){ for (。 TI=0。i++) { SBUF=send_dat[i]。 for(i=0。 danger()。 send(0x0b,0x05)。 } tag=0。 send(0x03,led[0])。 send(0x02,led_DP[6])。 send(0x01,led[3])。 } if(tag==0) { max7219_status()。 while(P3_4!=0) { max7219_status()。 zhongduan()。 delay(5000)。 TXEN=1。 TXEN=0。}/*nRF401發(fā)送模式初始化*/void nRF401(void){ CS=1。}/*外部中斷INTT1 = 右移一位*/void intt1(void) interrupt 2{ k。 if(k=9) k=9。(save[2]status[2])) { LED_D=0。 } if((count==(status[0]*10+status[1]))amp。 }}/*設(shè)定溫度與實測溫度比較*/void danger(void){ if(count(status[0]*10+status[1])) { LED_D=0。 send(0x03,led[k])。 status[1]=k。 } if(P3_6==0) { send(0x0b,0x01)。 send(0x01,led[k])。 send(0x06,led[save[2]])。 send(0x04,led[save[0]])。 i=(tj)*10。 save[0]=j/10。 j=t。 value=read_temp()。 int value。 return temp。 temp=8。 send_dat[4]=temp_data[0]。 temp_data[1]=read_byte()。 write_byte(0xbe)。 delay(2)。 write_byte(0x44)。 delay(350)。return(value)。 delay(11)。 _nop_()。 _nop_()。 DQ=1。 _nop_()。 _nop_()。 value=1。 _nop_()。i0。 unchar value=0。 delay(1)。 dat=1。0x01。 _nop_()。 _nop_()。 DQ=0。 _nop_()。i0。 }/*向DS18B20寫命令函數(shù)*/void write_byte(unchar dat){ unchar i。 flag=~DQ。 else LED=1。 flag=DQ。 DQ=1。 DQ=0。 _nop_()。}/*DS18B20復位函數(shù)*/ds18b20_reset(void){ unchar flag=1。 send(0x0a,0x0f)。 } LOAD = 1。 CLK = 0。 DAC = 1。j) { DIN = DACamp。 for(j=8。 while(i16) { if(i8) DAC = address。 unchar i = 0。CS_AD = 1。0x80。 CY = DO。 CLK_AD = 0。i++){ CLK_AD = 1。for(i=0。 CLK_AD = 0。 CLK_AD = 1。 DI = 0。 CLK_AD = 0。 CLK_AD = 1。 DI = 1。 CLK_AD = 0。 CLK_AD = 1。 DI = 1