單片機(jī)課程設(shè)計(jì)—led電子鐘的制作(參考版)
2025-06-29 09:42本頁面
【正文】 完 成 期 限： 20111227 指導(dǎo)教師簽名： 課程負(fù)責(zé)人簽名： 2011年 12 月 27日。不再是用學(xué)到的知識(shí)解題，而是在實(shí)際運(yùn)用時(shí)遇到什么學(xué)什么，重在把知識(shí)應(yīng)用于實(shí)際。課程設(shè)計(jì)使我們發(fā)現(xiàn)考試真的并不是最重要，最重要的是能運(yùn)用所學(xué)的知識(shí)。 最后，也是最重要的一點(diǎn)，我們學(xué)會(huì)了一種快速有效的學(xué)習(xí)方法。一向慣于“獨(dú)立思考”的我們學(xué)會(huì)了積極的同團(tuán)隊(duì)成員交流，取長(zhǎng)補(bǔ)短，共同進(jìn)步。(6)我們由衷感謝老師提供給我們這樣一個(gè)鍛煉自己的機(jī)會(huì)，讓我們第一次感受到學(xué)來的知識(shí)不只是用來完成試卷的。這一點(diǎn)我們慶幸自己做的很好，從一開始我們就通過集體商量確定各個(gè)成員的分工，接下來每位成員都只用按照自己的任務(wù)按部就班的執(zhí)行下去，效率非常的高。這樣當(dāng)其他成員不能有效的完成任務(wù)時(shí)，團(tuán)隊(duì)還可以有效的運(yùn)行。我們主要有以下心得體會(huì)：(1) 要有奉獻(xiàn)精神，不要怕自己多做了，不要怕自己承擔(dān)的任務(wù)有多重，而其他成員做的很少。在我們?cè)?jīng)遇到不懂的問題時(shí)，利用網(wǎng)上的資源，搜索查找得到需要的信息。另外在這次實(shí)驗(yàn)中我們遇到了不少的問題針對(duì)不同的問題我們采取不同的解決方法，最終一一解決設(shè)計(jì)中遇到的問題。在當(dāng)前金融危機(jī)大的社會(huì)背景下，能夠增加自身砝碼的不僅僅是一紙文憑證書，更為重要的是畢業(yè)生是否能夠適應(yīng)社會(huì)大潮流的需要，契合企業(yè)的要求即又較硬的動(dòng)手操作及設(shè)計(jì)能力。課程設(shè)計(jì)感想： 眾所周知，學(xué)貴以致用，通過幾天的數(shù)字鐘設(shè)計(jì)過程，我們將從書本上學(xué)到的知識(shí)應(yīng)用于實(shí)踐，學(xué)會(huì)了初步的電子設(shè)計(jì),雖然過程中遇到了一些困難，但是在解決這些問題的過程無疑也是對(duì)自己自身專業(yè)素質(zhì)的一種提高。如果不同子系統(tǒng)需要不同頻率的時(shí)鐘信號(hào)，可以用與同一個(gè)晶振相連的不同鎖相環(huán)來提供。有些通訊系統(tǒng)的基頻和射頻使用不同的晶振，而通過電子調(diào)整頻率的方法保持同步。晶振的作用是為系統(tǒng)提供基本的時(shí)鐘信號(hào)。在通常工作條件下，普通的晶振頻率絕對(duì)精度可達(dá)百萬分之五十。晶振的提供的時(shí)鐘頻率越高，單片機(jī)的運(yùn)行速度也就越快。 \u36755X出能直接接到 CMOS，NMOS 和 TTL 接口上 \u25805X作電壓范圍：~ \u20302X輸入電流： CMOS 器件的高噪聲抵抗特性 OE￣120Vcc1D—219—1Q2D—318—2Q3D—417—3Q4D—516—4Q5D—615—5Q6D—714—6Q7D—813—7Q8D—912—8QGND1011LEOELEDQLHHHLHLLLLXQ0HXXZ1腳三態(tài)允許控制端低電平有效1D~8D為數(shù)據(jù)輸入端1Q~8Q為數(shù)據(jù)輸出端74HC573引腳圖LE為鎖存控制端晶振是單片機(jī)系統(tǒng)里的一個(gè)部分，全稱為晶體震蕩器。 當(dāng)鎖存使能端LE為高時(shí)，這些器件的鎖存對(duì)于數(shù)據(jù)是透明的（也就是說輸出同步）。 高性能硅門 CMOS 器件 SL74HC573 跟 LS/AL573 的管腳一樣。 2個(gè)16位的定時(shí)器/計(jì)數(shù)器； 5個(gè)中斷源，兩個(gè)中斷優(yōu)先級(jí)； 全雙工串行口； 布爾處理器； 74HC573八進(jìn)制 3 態(tài)非反轉(zhuǎn)透明鎖存器 74HC573 結(jié)構(gòu)特點(diǎn) 8位CPU； 片內(nèi)振蕩器和時(shí)鐘電路； 32根I/O線； 外部存貯器尋址范圍ROM、RAM64K； 但RAM，定時(shí)器，計(jì)數(shù)器，串口和中斷系統(tǒng)仍在工作。 此外，AT89C51設(shè)有穩(wěn)態(tài)邏輯，可以在低到零頻率的條件下靜態(tài)邏輯，支持兩種軟件可選的掉電模式。 芯片擦除 整個(gè)PEROM陣列和三個(gè)鎖定位的電擦除可通過正確的控制信號(hào)組合，并保持ALE管腳處于低電平10ms 來完成。如采用外部時(shí)鐘源驅(qū)動(dòng)器件，XTAL2應(yīng)不接。該反向放大器可以配置為片內(nèi)振蕩器。 XTAL2：來自反向振蕩器的輸出。在FLASH編程期間，此引腳也用于施加12V編程電源（VPP）。 /EA/VPP：當(dāng)/EA保持低電平時(shí)，則在此期間外部程序存儲(chǔ)器（0000HFFFFH），不管是否有內(nèi)部程序存儲(chǔ)器。在由外部程序存儲(chǔ)器取指期間，每個(gè)機(jī)器周期兩次/PSEN有效。如果微處理器在外部執(zhí)行狀態(tài)ALE禁止，置位無效。此時(shí)， ALE只有在執(zhí)行MOVX，MOVC指令是ALE才起作用。然而要注意的是：每當(dāng)用作外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)，將跳過一個(gè)ALE脈沖。在平時(shí)，ALE端以不變的頻率周期輸出正脈沖信號(hào)，此頻率為振蕩器頻率的1/6。 ALE/PROG：當(dāng)訪問外部存儲(chǔ)器時(shí)，地址鎖存允許的輸出電平用于鎖存地址的地位字節(jié)。 RST：復(fù)位輸入。作為輸入，由于外部下拉為低電平，P3口將輸出電流（ILL）這是由于上拉的緣故。 P3口：P3口管腳是8個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的雙向I/O口，可接收輸出4個(gè)TTL門電流。在給出地址“1”時(shí)，它利用內(nèi)部上拉優(yōu)勢(shì)，當(dāng)對(duì)外部八位地址數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫時(shí)，P2口輸出其特殊功能寄存器的內(nèi)容。這是由于內(nèi)部上拉的緣故。 P2口：P2口為一個(gè)內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/
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