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正文內(nèi)容

試議部分品牌產(chǎn)品的封裝命名規(guī)則(參考版)

2025-06-26 23:26本頁(yè)面
  

【正文】 6.環(huán)境試驗(yàn)過(guò)程:  P 塑料雙列直插      Q 陶瓷四列 V 塑料有引線(xiàn)芯片載體        H 縮小型微型封裝     S 微型封裝     I PCB芯片載體        D 陶瓷雙列直插                  E 陶瓷,帶窗口 4. 封裝形式: 2. 器件型號(hào) 1. 前綴 7 5 6 3X X XX XXXXX Z Z 1KΩ,    Y 2KΩ,     W 10KΩ,    U 50KΩ,  T 100KΩ            ,                 空白 ,      3           55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150ns 6.存取時(shí)間(僅限EEPROM和NOVRAM):M 55℃至125℃        K 針振列     L薄型四面引線(xiàn)扁平封裝                        F 扁平封裝       V 薄型縮小型微型封裝  Y 新型卡式           P 塑料雙列直插 R 陶瓷微型封裝 2. 器件型號(hào) 8 4 2 X X 3 7 2 1XXXEEPOT 6 5 3 2 1 (XX)X X XXXXX XXICOR 產(chǎn)品型號(hào)命名  QX 塑料四面引線(xiàn)扁平封裝   G 陶瓷四面扁平封裝成針陣列 T 薄型四面引線(xiàn)扁平封裝6.溫度范圍:  0℃~70℃(民用)  2 40℃~125℃(汽車(chē)工業(yè)) ,61 40℃~85℃(工業(yè)) E 55℃~125℃       K 無(wú)引線(xiàn)芯片載體      L 陶瓷有引線(xiàn)芯片載體 R 陶瓷什陣列         B 塑料雙列直插     D 陶瓷雙列真插 S 陶瓷微型封裝 4.序列號(hào)        E EPROM            空白 ROM         T OTP(PROM) 3.版本:        92 專(zhuān)用ST9系列      10 ST10位系列 62 普通ST6系列      63 專(zhuān)用視頻ST6系列 2.系列: 1.前綴 6 4X XX X XX ST 6.溫度:  1 0℃~70℃       6 40℃~85℃  3 40℃~125℃ 5.封裝:   B 8腿塑料雙列直插      M 8腿塑料微型封裝        16 16K,      32 32K,    64 64KLV 低電壓(EEPROM)CS 寫(xiě)保護(hù)(微導(dǎo)線(xiàn))        W 寫(xiě)保護(hù)士                95 SPI總線(xiàn)     28 EEPROM 1.器件系列: 24 12C ,     25 12C(低電壓),    93 微導(dǎo)線(xiàn) 6 4 3 2 1X X 串行EEPROM的編號(hào)                      90 90ns,   120 120ns 4.Vcc:    空白 5V+10%Vcc,      X +5%Vcc 200T (256K16)頂部塊,   200B (256K16)底部塊 100T (128K16)頂部塊,   100B (128K16)底部塊 2.類(lèi)型:   F 5V單電源            V 6 X 僅為3V和僅為5V的快閃EPROM編號(hào) 10.溫度:        M 塑料微型封裝          N 薄型微型封裝,雙列直插        100 100ns,   120 120ns,   150 150ns,   200 200ns 8.速度: 5.結(jié)構(gòu):   0 8/16可選擇,   1 僅8,    2 僅16 4.擦除:   0 大容量    1 頂部啟動(dòng)邏輯塊 3.容量:   1 1M, 2 2M,  3 3M,   8M,      16 16M 10 8 43 X X X C B A X 快閃EPROM的編號(hào)        K 塑料有引線(xiàn)芯片載體(低電壓)        B 塑料雙列直插          C 塑料有引線(xiàn)芯片載體(標(biāo)準(zhǔn))        F 陶瓷雙列直插(窗口)             200/20 200 ns,         250/25 250 ns 6.速度: 4 改進(jìn)等級(jí)        4002…4M位(X16)        801…4M位(X8)        4001…4M位(X8)         101…1M位(X8)低電壓       1024…1M位(X8)        64…64K位(X8)          256…256K位(X8) 3.容量: 空白…NMOS,           2.類(lèi)型: 7 5 3 X XXXX X M 7.質(zhì)量等級(jí): 空白 標(biāo)準(zhǔn)      B/B MILSTD883B B級(jí) 5.速度 4.封裝:   C 陶瓷雙列      J 陶瓷雙列        TS29 EEPROM 靜態(tài)RAM        MK45 雙極端口FIFO           MK48 MK41        ET21 靜態(tài)RAM             ETL21 靜態(tài)RAM 7 6 5 4 3XX XX XXXX X XX 5.溫度        4.封裝:   BIR,BEY 2.序列號(hào)高速
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