【正文】 從設(shè)計的選題到資料的搜集直至最后設(shè)計的修改的整個過程中，花費了老師很多的寶貴時間和精力，在此向?qū)煴硎局孕牡馗兄x！導(dǎo)師嚴謹?shù)闹螌W(xué)態(tài)度，開拓進取的精神和高度的責(zé)任心都將使學(xué)生受益終生！還要感謝我的幾位同學(xué)，是你們在我平時設(shè)計中和我一起探討問題，并指出我設(shè)計上的誤區(qū)，使我能及時的發(fā)現(xiàn)問題把設(shè)計順利的進行下去，沒有你們的幫助我不可能這樣順利地結(jié)稿，在此表示深深的謝意。表5 二極管參數(shù)型號反向工作峰值電壓額定正向整流電流正向不重復(fù)浪涌峰值電流正向壓降反向電流工作頻率外形封裝URM/VIF/AIFSM/AUF/VIR/Uaf/KHZ1N400025130≤1＜53DO411N4001501N40021001N40032001N40044001N40056001N40068001N40071000致 謝本設(shè)計的完成是在我們的導(dǎo)師的細心指導(dǎo)下進行的。如選擇不當(dāng)，則或者不能安全工作，甚至燒了管子，或者大材小用，造成浪費。其波形圖和全波整流波形圖是一樣的。電路中構(gòu)成EDRL、D4通電回路，同樣在RL上形成上正下負的另外半波的整流電壓。電路中構(gòu)成UDRL、D3通電回路，在RL，上形成上正下負的半波整流電壓。具有全波整流電路的優(yōu)點，而同時在一定程度上克服了它的缺點。表3 濾波電容器容量和輸出電流的關(guān)系2A左右1A左右10050mA50mA以下4000μ2000μ1000μ500μ200μ500μ200μ表4 帶有濾波器的整流電路中各電壓的關(guān)系輸入交流電壓（有效值）負載開路時的輸出電壓帶負載的輸出電壓每管承受的最大反向電壓半波整流E2E22E2全波整流E2+E2E22E2橋式整流E2E22E2采用電容濾波的整流電路，輸出電壓隨時輸出電流變化較大，這對于變化負載（如乙類推挽電路）來說是很不利的。通常應(yīng)根據(jù)負載電用和輸出電用的大小選擇最佳電容量。圖16 濾波前后波形顯然，電容量越大，濾波效果越好，輸出波形越趨于平滑，輸出電壓也越高。當(dāng)電壓E2處于負半周時同理。但是由于電容按規(guī)律放電，所以當(dāng)E2下降到一定數(shù)值后，UC的下降速度小于E2的下降速度，使UC大于U2，從而導(dǎo)致DD4反向偏置而變?yōu)檩d止。在二極管導(dǎo)通期間，當(dāng)電壓E2處于正半周并且數(shù)值大于電容兩端電壓UC時，二極管DD4導(dǎo)通，電流一路流經(jīng)負載電阻R，另一路對電容C充電。因此，一般在整流后，通常要采取一定的措施，一方面盡量降低輸出電壓中的脈動成分，另一方面又要盡量保留其中直流成分，使輸出電壓接近于理想的直流電壓，這便是濾波。這種電容帶兩端電壓不能突變的特性，正好可以用來承擔(dān)濾波的任務(wù)。充電的時候，電容器兩端的電壓逐漸升高，直到接近充電電壓；放電的時候，電容器兩端的電壓逐漸降低，直到完全消失。 電容濾波及濾波電路電容器是一個儲存電能的倉庫。2 觸發(fā)導(dǎo)通在控制極G上加入正向電壓時因J3正偏，P2區(qū)的空穴時入N2區(qū)，N2區(qū)的電子進入P2區(qū)，形成觸發(fā)電流IGT。進入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結(jié)注入N1區(qū)的空穴復(fù)合，同樣，進入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過J3結(jié)注入P2區(qū)的電子復(fù)合，雪崩擊穿，進入N1區(qū)的電子與進入P2區(qū)的空穴各自不能全部復(fù)合掉，這樣，在N1區(qū)就有電子積累，在P2區(qū)就有空穴積累，結(jié)果使P2區(qū)的電位升高，N1區(qū)的電位下降，J2結(jié)變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現(xiàn)所謂負阻特性。⑵ 正向特性當(dāng)控制極開路，陽極上加上正向電壓時，JJ3結(jié)正偏，但J2結(jié)反偏，這與普通PN結(jié)的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態(tài)。由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋作用，所以一旦可控硅導(dǎo)通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。此時，電流IC2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流IC2=β1Ig。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發(fā)信號，BG2便有基流流過，經(jīng)BG2放大，其集電極電流IC1=β2Ig。 晶閘管及其工作原理晶閘管（又稱可控硅）是由3個PN結(jié)四層結(jié)構(gòu)硅芯片和3個電極組成半導(dǎo)體器件。ICBO的大小取決于少數(shù)載流子的濃度，而少子濃度受溫度的影響比較大，故ICBO隨溫度的升高而增大。另一方面，集電區(qū)的少數(shù)載流子空穴向基區(qū)漂移，基區(qū)的少數(shù)載流子自由電子向集電區(qū)漂移，形成集電結(jié)反向飽和電流ICBO，并流過極電極和基極支路，構(gòu)成IC和IB的另一部分電流。由于集電結(jié)外加反向電壓（PN結(jié)反向偏置），有利于少數(shù)載流子的漂移運動，使發(fā)射區(qū)發(fā)射到基區(qū)聚集在集電結(jié)邊緣的非平衡少子電子很快漂移到集電區(qū)。復(fù)合后基區(qū)帶負電，電源VEE的正極將從基區(qū)拉走電子（或者說補充空穴）。在該濃度差作用下，注入基區(qū)的電子將繼續(xù)向集電結(jié)方向擴散。發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子自由電子注入基區(qū)后，稱為基區(qū)的非平衡少子。發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠遠大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，IEPIEN，因而發(fā)射結(jié)的電流IE主要取決于從發(fā)射區(qū)注入到基區(qū)的電子電流IEN，而從基區(qū)注入到發(fā)射區(qū)的空穴電流IEP，因為數(shù)值很小面將其忽略，即IE＝IEN+IEP≈IEN。放大狀態(tài)下BJT中載流子的傳輸過程如圖14： 圖13 放大狀態(tài)下BJT中載流子的傳輸過程如圖13，以NPN為例，其中：發(fā)射結(jié)外加正向電壓（PN結(jié)正向偏置），其內(nèi)電場被大大削弱，有利于多數(shù)載流子的擴散運動：發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子自由電子源源不斷地越過發(fā)射結(jié)注入基區(qū)（發(fā)射區(qū)發(fā)射電子），形成電子注入電流IEN。 ②外部條件：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。 三極管工作原理我們知道，三極管的放大作用，主要是依靠它的發(fā)射極電流能夠通過基區(qū)傳輸，然后到達集電極而實現(xiàn)的。當(dāng)三極管的基極上加一個微小的電流時，在集電極上可以得到一個是注入電流 倍的電流，即集電極電流。三極管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的電信號變成一定強度的信號，當(dāng)然這種轉(zhuǎn)換仍然遵循能量守恒，它只是把電源的能量轉(zhuǎn)換成信號的能量罷了。 三極管 三極管的結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體三極管也稱為晶體三極管，可以說它是電子電路中最重要的器件。⑦安全系數(shù)高　所需電壓、電流較小，發(fā)熱較小，不產(chǎn)生安全隱患，于礦場等危險場。⑤保護視力　直流驅(qū)動，無頻閃（普通燈都是交流驅(qū)動，就必然產(chǎn)生頻閃）。③光線健康光線中不含紫外線和紅外線，不產(chǎn)生輻射（普通燈光線中含有紫外線和紅外線），LED輻照器（365） LED輻照器（365）。⑵ 發(fā)光二極管的特性①高效節(jié)能　一千小時僅耗幾度電（普通60W白熾燈十七小時耗1度電，普通10W節(jié)能燈一百小時耗1度電)。這種利用注入式電致發(fā)光原理制作的二極管叫發(fā)光二極管，通稱LED。在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。⑴ 發(fā)光原理它的基本結(jié)構(gòu)是一塊電致